Представлены данные рентгеновской дифракции и инфракрасной спектроскопии для полученных МОС-гидридным методом гетероструктур Alx Ga1−x As : Si/GaAs(100) и гомоэпитаксиальных структур GaAs : Si/GaAs(100), легированных кремнием до ∼ 1 ат%. Показано, что образование твердых растворов с кремнием в гомоэпитаксиальных структурах приводит к уменьшению параметра кристаллической решетки эпитаксиального слоя и отрицательной величине рассогласования с параметром монокристаллической подложки, a < 0. В то же время образование четверных твердых растворов в гетероструктурах Alx Ga1−x As : Si/GaAs(100) не приводит к существенным напряжениям кристаллической решетки. Введением кремния в эпитаксиальные слои этих гетероструктур можно добиться полного согласования параметров кристаллических решеток пленки и подложки при соответствующем подборе технологических условий роста эпитаксиальных слоев.
Физика и техника полупроводников. – 2011. – Т.45.- №5. – С. 488–499.