Найдено научных статей и публикаций: 1, для научной тематики: Гетероструктуры InxGa1−x As/GaAs(100)
1.
А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.]
- Физика и техника полупроводников , 2009
Методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии исследованы эпитаксиальные гетероструктуры InxGa1−x As/GaAs(100), выращенные МОС-гидридным методом, со значительно рассогласованными параметрами решетки. Рассчитан коэффициент релаксации кристаллической решетки
эпитаксиального тв...
Методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии исследованы эпитаксиальные гетероструктуры InxGa1−x As/GaAs(100), выращенные МОС-гидридным методом, со значительно рассогласованными параметрами решетки. Рассчитан коэффициент релаксации кристаллической решетки
эпитаксиального твердого раствора, и оценена энергия деформации. Показано, что при концентрациях
атомов In в металлической подрешетке, близких к x = 0.5, сверхструктурная фаза, образовавшаяся на
поверхности эпитаксиального твердого раствора InxGa1−xAs, представляет собой соединение InGaAs2 со слоисто-тетрагональной (layered thetragonal) кристаллической решеткой и упорядоченным расположением атомов металлической подрешетки в плоскости роста эпитаксиальной пленки.
Физика и техника полупроводников. – 2010. – Т.44.- №8. – С. 1140–1146.