Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS) has been utilized to study electrically active defects in TlInS2 single crystals doped with Er, B, and Tb. Eight traps with activation energies lying in between 0.21 to 0.55 eV have been detected. The origin of these traps is discussed.

В систематических исследованиях кристаллов из различных технологических партий обнаружено пять электрически активных дефектов с энергией термоактивации перезарядки 0.1-0.7 eV. Обсуждаются особености их регистрации, связанные с наличием в материале сегнетоэлектрических свойств. Представлена найденная закономерность изменения с температурой энтальпии перезарядки дефекта, регистрируемого в окрестности фазового перехода.

Обсуждается исследование высокоомных монокристаллов CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии глубоких уровней (ФЭНСГУ). Проведено компьютерное моделирование экспериментов, позволившее сравнить результаты экспериментов, полученные методами ФЭНСГУ и термостимулированной проводимости. Сравниваются экспериментальные возможности этих методов.

Рассмотрены особенности DLTS-регистрации дефектов, обладающих склонностью к перезахвату термически возбуждаемых носителей вследствие большой величины эффективного сечения захвата. Обнаружены признаки, позволяющие идентифицировать реализацию данной модели.