Поиск публикаций Научные конференции и семинары Новости науки Научная сеть

 Найдено научных статей и публикаций: 7, для научной тематики: глубокие уровни


Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 



1.

Пироэлектрические свойства и дефекты структуры слоистого кристалла TlInS2, легированного лантаном (публикация автора на scipeople)     

M.-H.Yu Seyidov, А.П. Одринский, R.A. Suleymanov, E. Acar, Т.Г. Мамедов, В.Б. Алиева - Наука , 2014
Представлены результаты исследований пироэлектрического тока слоистого кристалла TlInS2, легированного примесью La. Проведен...
2.

Photo - Induced Current Transient Spectroscopy of TlInS2 Layered Crystals Doped by Er, B and Tb Impurities (публикация автора на scipeople)     

MirHasan Yu. Seyidov, Rauf A. Suleymanov, Andrey P. Odrinsky, Arzu I. Nadjafov, Tofik G. Mammadov, Elnure G. Samadli - Japanese Journal of Applied Physics , 2011
Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS) has been utilized to study electrically active defects in TlInS2 single crystals doped with Er, B, and Tb. Eight traps with activation energies lying in between 0.21 to 0.55 eV have been...
3.

Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe2 (публикация автора на scipeople)     

А.П.Одринский - Физика твердого тела , 2014
В систематических исследованиях кристаллов из различных технологических партий обнаружено пять электрически активных дефектов с...
4.

Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия глубоких уровней в монокристаллах CdS с заданными в процессе роста отклонениями от стехиометрии (публикация автора на scipeople)     

О.Ф. Вывенко, И.А. Давыдов, А.П. Одринский, В.А. Теплицкий - Физика и техника полупроводников , 1994
Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (ФЭРС) изучены свойства глубоких уровней (ГУ) в высокочистых монокристаллах...
5.

Критический анализ исследования ГУ в высокоомных монокристаллах CdS методом PICTS (публикация автора на scipeople)     

А.П. Одринский - Физика и техника полупроводников , 2004
Обсуждается исследование высокоомных монокристаллов CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии глубоких уровней...
6.

Влияние концентрации хрома в полуизолирующей подложке ПТШ на время восстановления при воздействии импульсной помехи (Chrome concentration in MESFET substrate effect on relaxation time under exposure of pulse interference ) (публикация автора на scipeople)   

А.М.Бобрешов, И.С.Коровченко, Ю.Ю.Разуваев, Г.К.Усков, Д.А.Шацкий - Физика и технические приложения волновых процессов : VII Междунар. науч.-техн. конф., посвящ. 150-летию со дня рождения А.С. Попова, 15 - 21 сент. 2008 г. : тез. конф. , 2008
В работе рассмотрено моделирование работы транзистора при импульсной перегрузке и влияние концентрации глубоких уровней на нее.
7.

Моделирование деградационных процессов в полевом транзисторе под воздейстием импульсных помех большой амплитуды (Modeling the process of degardation of GaAs MESFET`s under exposure of pulses whith big amplitude) (публикация автора на scipeople)   

А.М. Бобрешов, Г.К. Усков, И.И. Мещеряков, И.С. Коровченко (A.M. Bobreshov, G.K. Uskov, I.I. Mescheriacov, I.S. Korovchenko) - Вестник воронежского государственного университета. Серия.Физика.Математика. , 2006
В работе рассматриваются эффекты, возникающие при воздействии нано- и пикосекундных видеоимпульсов на полевые транзисторы с затвором...