Представлены результаты исследований пироэлектрического тока слоистого кристалла TlInS2, легированного примесью La. Проведен сравнительный анализ полученных результатов с данными фотоэлектрической релаксационной спектроскопии. Обсуждаются обнаруженные особенности вклада электрически активных дефектов в пироэлектрические свойства кристалла.

Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS) has been utilized to study electrically active defects in TlInS2 single crystals doped with Er, B, and Tb. Eight traps with activation energies lying in between 0.21 to 0.55 eV have been detected. The origin of these traps is discussed.

В систематических исследованиях кристаллов из различных технологических партий обнаружено пять электрически активных дефектов с энергией термоактивации перезарядки 0.1-0.7 eV. Обсуждаются особености их регистрации, связанные с наличием в материале сегнетоэлектрических свойств. Представлена найденная закономерность изменения с температурой энтальпии перезарядки дефекта, регистрируемого в окрестности фазового перехода.

Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (ФЭРС) изучены свойства глубоких уровней (ГУ) в высокочистых монокристаллах CdS, отличающихся друг от друга по величине отклонений от стехиометрического состава, что достигалось контролируемым изменением режимов технологического процесса выращивания из паровой фазы. Определены параметры наиболее интенсивно проявляющихся в спектрах ловушек как для электронов, так и для дырок, выявлены технологические условия получения кристаллов, состав которых наиболее близок к стехиометрическому для данного способа выращивания, а также подтверждена возможность использования феноменологической модели ФЭРС для описания фотоэлектрических процессов в высокоомном сульфиде кадмия.

Обсуждается исследование высокоомных монокристаллов CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии глубоких уровней (ФЭНСГУ). Проведено компьютерное моделирование экспериментов, позволившее сравнить результаты экспериментов, полученные методами ФЭНСГУ и термостимулированной проводимости. Сравниваются экспериментальные возможности этих методов.

В работе рассмотрено моделирование работы транзистора при импульсной перегрузке и влияние концентрации глубоких уровней на нее.

В работе рассматриваются эффекты, возникающие при воздействии нано- и пикосекундных видеоимпульсов на полевые транзисторы с затвором Шотки (ПТШ). Предложена модель, в которой произведен учет основных характеристик деградации ПТШ. Разработана методика определения параметров модели по экспериментально полученным зависимостям. Показано, что характер поведения тока стока определяется кратковременным эффектом воздействия положительных выбросов напряжения на затворе, увеличивающим ток стока, и действием отрицательных импульсов, уменьшающих этот ток. На основе полученной модели рассчитаны зависимости тока стока от времени во время и после воздействия. Теоретические характеристики хорошо согласуются с экспериментальными. На основе полученных данных рассчитана зависимость изменения коэффициента усиления от времени при наличии импульсного воздействия. The effects in MESFET`s under exposure of video pulses with big amplitude was presented. The model for calculation base characteristics of degradation of MESFET`s was produced. The method of solving models parameters by experimental date was developed. The dependencies of the drain’s current is defined by two facts: the effect of short duration under the small positive tail in gate, which augment the drain’s current, and increasing of the negative charge in substrate via main negative pulse, that reduce current. The characteristic of the drain’s current in time domain in duration of exposure and after it was given. The theoretical results were in good agreement with experimental characteristic.