Найдено научных статей и публикаций: 2, для научной тематики: Сульфид кадмия
1.
О.Ф. Вывенко, И.А. Давыдов, А.П. Одринский, В.А. Теплицкий
- Физика и техника полупроводников , 1994
Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (ФЭРС) изучены свойства глубоких уровней (ГУ) в высокочистых монокристаллах CdS, отличающихся друг от друга по величине отклонений от стехиометрического состава, что достигалось контролируемым изменением режимов технологического процесса выращив...
Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (ФЭРС) изучены свойства глубоких уровней (ГУ) в высокочистых монокристаллах CdS, отличающихся друг от друга по величине отклонений от стехиометрического состава, что достигалось контролируемым изменением режимов технологического процесса выращивания из паровой фазы. Определены параметры наиболее интенсивно проявляющихся в спектрах ловушек как для электронов, так и для дырок, выявлены технологические условия получения кристаллов, состав которых наиболее близок к стехиометрическому для данного способа выращивания, а также подтверждена возможность использования феноменологической модели ФЭРС для описания фотоэлектрических процессов в высокоомном сульфиде кадмия.
2.
А.П. Одринский
- Физика и техника полупроводников , 2004
Обсуждается исследование высокоомных монокристаллов CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии глубоких уровней (ФЭНСГУ). Проведено компьютерное моделирование экспериментов, позволившее сравнить результаты экспериментов, полученные методами ФЭНСГУ и термостимулированной проводимости....
Обсуждается исследование высокоомных монокристаллов CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии глубоких уровней (ФЭНСГУ). Проведено компьютерное моделирование экспериментов, позволившее сравнить результаты экспериментов, полученные методами ФЭНСГУ и термостимулированной проводимости. Сравниваются экспериментальные возможности этих методов.