Показано существование зависимости между скоростью импульсного разряда с анода, параметрами ударной волны, напряженностью электрического поля, упругими свойствами и вероятностью ионизации валентной зоны твердых диэлектриков. На примере кристаллов NaCl и KCl проведена количественная оценка этих зависимостей в интервале скоростей разряда 5· 103-106 m/s.
Вершинин Ю.Н., Ильичев Д.С., Морозов П.А. Влияние ударного сжатия твердых диэлектриков на процесс инжекции валентных электронов в сильных электрических полях // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 1, Стр. 85

Изучены вольт-амперные характеристики органических соединений на игольчатом платиновом эмиттере при напряженностях поля от 0.2 до 1.0 V / Angstrem. Показано, что при ионизации атомов и молекул в электрическом поле с высоким градиентом потенциала, обеспечивающим туннелирование электрона на уровень Ферми материала эмиттера, параметр (V-varphi) не участвует в формировании барьера десорбции иона и в явном виде отсутствует зависимость вероятности десорбции иона от этого параметра.
Гришин Н.Н. К вопросу о механизме ионизации на игольчатых эмиттерах органических соединений // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 1, Стр. 79

Исследованы структурные и фазовые превращения в пленках титана при обработке в азот-водородной плазме. Установлены закономерности формирования и роста нитрида титана в зависимости от параметров плазменного облучения. Определено удельное электросопротивление облученных пленок.
Чапланов А.М., Щербакова Е.Н. Структурные и фазовые превращения в тонких пленках титана при облучении азот-водородной плазмой // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 10, Стр. 102

Представлены исследования нелинейных, селективных по энергии материальных взаимодействий, локализованных на поверхностях, гетерограницах, примесях и дефектах в твердом теле. В частности, обсуждаются новый эффект молекулярного взаимодействия, связанный с передачей энергии поверхности посредством низкоэнергетических соударений, новая безконтактная нелинейная оптическая методика исследования электронной и дырочной динамики на гетерогранице и новый подход, использующий лазер на свободных электронах, развитый в университете Вандербильта, для активации пассивированных водородом легирующих примесей в кремнии. В каждом случае уникальные характеристики пучков частиц и фотонов, оптимизированных для технологии, были использованы для расширения диапазона применений новых энергоселективных методик при решении фундаментальных и прикладных проблем.
Марка З., Паркс Чейни К., Ванг В., Люпке Г., Гиллиган Дж., Яо Я., Толк Н.Х. Нелинейные энергоселективные наномасштабные модификации материалов и динамика в металлах и полупроводниках // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 9, Стр. 76

Рассматриваются общие закономерности нового физического явления --- самопроизвольного проникновения частиц (атомов, молекул C60), адсорбированных на двумерной пленке графика (ДПГ) на металлах (Ir, Re, Pt, Mo, ...) под графитовый слой (интеркалирование). Показано, что атомы с малыми потенциалами ионизации (Cs, K, Na) интеркалируют ДПГ на иридии при T=300-400 K с эффективностью varkappa~ 0.5, накапливаясь под пленкой до концентрации, не превышающей монослойную. Атомы с большими потенциалами ионизации (Si, Pt, Ni, C, Mo и др.) интеркалируют ДПГ на иридии при T~ 1000 K с эффективностью varkappa~ 1, формируя под пленкой толстый слой интеркалята, который сильно химически связан с металлической подложкой, но слабо, вероятно, силами Ван-дер-Ваальса с монослоем графита. Наличие графитовой "крыши", препятствующей слету атомов из интеркалированного состояния вплоть до рекордно больших T~ 2000 K, приводит к суперэффективной диффузии (с эффективностью, близкой к единице) ряда атомов (Cs, K) в объем подложки (Re, Ir).
Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я., Усуфов М.М. Интеркалирование атомами и молекулами двумерной графитовой пленки на металлах // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 9, Стр. 72

Предложен метод регулируемого расходования накопленной в электрическом конденсаторе электроэнергии с требуемой мощностью в течение длительного времени. Показана возможность использования электрических конденсаторов в качестве автономного источника электроэнергии.
Адейшвили Д.И., Кортхонджия В.П., Шульга Н.Ф. Метод регулируемого расходования энергии, накопленной в электрическом конденсаторе // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 8, Стр. 118

Рассчитаны поверхности постоянной силы и профили горизонтальной составляющей силы при сканировании острия атомно-силового микроскопа над поверхностью решетки плотной упаковки в контактной моде с учетом подвижности атомов решетки. Показано, что при учете подвижности обнаруженные ранее разрывы на поверхности постоянной силы возникают при меньших силах сканирования острия над поверхностью, чем в приближении неподвижных атомов. Получены силовые поверхности, возникающие при сканировании над вакансией. Обсуждается возможность использования данных атомно-силовой микроскопии для диагностики точечных дефектов на поврехности твердого тела.
Благов Е.В., Климчицкая Г.Л., Мостепаненко В.М. Описание силовых поверхностей в атомно-силовой микроскопии с учетом подвижности атомов решетки // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 8, Стр. 111

Проводится совместный анализ низкоэнергетических спектров полного тока (СПТ) и вторичной электронной эмиссии (ВЭС) на начальной стадии формирования серебряного покрытия на поверхности W(110). Показана связь особенностей, наблюдаемых в спектрах, с энергетической структурой плотности вакантных состояний, расположенных выше уровня вакуума. Динамика изменения особенностей в СПТ с увеличением толщины пленки свидетельствует, что на начальном этапе серебряное покрытие характеризуется ориентацией Ag(111), а по мере увеличения толщины преобладающей становится ориентация Ag(110).
Новолодский В.А., Артамонов О.М., Комолов С.А. Проявление незаполненных электронных состояний в спектрах полного тока серебра // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 7, Стр. 99

Для сильноточного планарного диода с дискретной эмиссионной поверхностью получена зависимость величины тока от размера эмиттеров. Показано, что если расстояние между эмиттерами значительно превышает их размер, зависимость тока от отношения размера эмиттера к величине диодного зазора является степенной с показателем 3/2. При этом зависимость тока от напряжения подчиняется закону "трех вторых" до более высоких напряжений, чем в случае плоского диода с однородной эмиссионной поверхностью.
Беломытцев С.Я., Коровин С.Д., Пегель И.В. Ток в сильноточном планарном диоде с дискретной эмиссионной поверхностью // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 6, Стр. 97

Дана теоретическая интерпретация тонкой структуры (ТС) спектра вторично-электронной эмиссии (СВЭЭ) Ir по нормали к поверхности (111) и спектра полного тока (СПТ) поликристалла Ir. В расчетах учитывались энергетическая зависимость уширения зонных уровней энергии, электрон-электронный и электрон-плазмонный вклады в функцию распределения неравновесных электронов, изотропная компонента тока от электронов, рассеянных на поверхности. Показано, что ТС СВЭЭ и СПТ обусловлена главным образом электронным строением конечных состояний, в которые попадают электроны или из которых происходит их эмиссия, что позволяет непосредственно восстанавливать особенности расположения зон в энергетической зонной структуре из данных эксперимента. Развиваемый метод позволяет отделить объемные эффекты в СВЭЭ и СПТ от поверхностных. Подтверждена зависимость ТС СВЭЭ и СПТ от геометрической структуры и степени упорядоченности кристаллов. При этом ослабление интенсивности ТС служит мерой дефектности в приповерхностной области образца, что может успешно применяться для контроля состояния поверхности в процессе обработки.
Панченко О.Ф. Методы расчета зонной структуры и низкоэнергетическая вторично-электронная спектроскопия иридия // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 6, Стр. 94