Обнаружена способность нагретой пленки поверхностного сплава Na/Au, выращенной на золотой подложке, эффективно термодесорбировать многоатомные положительные ионы, образующиеся при поступлении на поверхность органических молекул и кислорода. Масс-спектрометрически исследована ионизация молекул диэтиламина на этом термоэмиттере. Выявлены особенности гетерогенных процессов формирования многоатомных комплексов и термодесорбции кластерных ионов. Предложена модель, объясняющая эффективную термодесорбцию ионов с поверности сплава, являющегося широкозонным полупроводником.
Кнатько М.В., Лапушкин М.Н., Палеев В.И. Термостимулированная десорбция ионизированных частиц с поверхности сплава Na/Au, активированного кислородом // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 7, Стр. 99

Приведены результаты измерения концентрации меди и цинка на растровом электронном микроскопе РЭММА 102, оснащенном волновым и энергодисперсионным спектрометрами, в поверхностных слоях исходного образца латуни М161 и образца, эрозированного сфокусированным излучением оптического квантового генератора. Проведено их сравнение с результатами измерений на масс-спектрометре МС 3101 с лазерно-плазменным источником ионов. Показано, что эрозия поверхностного слоя образца латуни приводит в нем к значительному изменению концентрации меди и цинка. Установлено, что режим сканирования образца при отсутствии наложения кратеров от лазерных импульсов на исходной поверхности обеспечивает адекватность состава меди и цинка в лазерной плазме их содержанию в исследуемом образце.
Борискин А.И., Еременко В.М., Павленко П.А., Скрипченко А.Н., Хоменко С.Н. Влияние лазерной эрозии на концентрацию меди и цинка в поверхностном слое латуни // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 6, Стр. 109

На основе численного решения уравнений Ландау и Лифшица исследовано нелинейное динамическое поведение доменных стенок с двухмерным вихреподобным распределением намагниченности в магнитно-одноосных пленках с плоскостной анизотропией в импульсных магнитных полях. Установлена возможность переходов между различными стационарными состояниями движения стенок, отличающихся характером распределения намагниченности, под действием импульсного магнитного поля Hi. Показана возможность регулирования периода нелинейных динамических преобразований внутренней структуры стенок и связанного с ними периода изменения скорости движения стенок под действием одиночных и периодически повторяющихся прямоугольных импульсов Hi.
Филиппов Б.Н., Корзунин Л.Г., Кассан-Оглы Ф.А. Влияние импульсного магнитного поля на нелинейную динамику вихреподобных доменных стенок в магнитных пленках // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 6, Стр. 102

Нанокристаллические образцы вольфрама исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии, полевой ионной и полевой электронной эмиссией. Обнаружены существенные отличия в энергетических распределениях электронов нанокристаллического вольфрама по сравнению с крупнозернистым металлом. Теоретический анализ показал, что обнаруженные отличия обусловлены изменениями работы выхода при переводе металла в нанокристаллическое состояние.
Литвинов Е.А., Мулюков Р.Р., Зубаиров Л.Р., Юмагузин Ю.М., Ивченко В.А. Расшифровка сложных спектров (распределений по полным энергиям) электронов автоэмиссии для катодов с неоднородной работой выхода // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 6, Стр. 96

Рассмотрим источник ионов и электронов на основе магнетронного разряда с холодным полым и неохлаждаемым стержневым катодами с улучшенными физическими и общетехническими характеристиками.
Семенов А.П., Семенова И.А. Тонкие пленки углерода. I. Техника выращивания пучками заряженных частиц // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 4, Стр. 102

В рамках простой модели рассчитано изменение работы выхода при адсорбции атомов Cs на поверхности (100) и K, Rb и Cs на поверхности (110) GaAs. Модель включает как диполь-дипольное взаимодействие адатомов, так и уширение их квазиуровней за счет обменных эффектов. Результаты расчета хорошо согласуются с данными эксперимента.
Давыдов С.Ю., Павлык А.В. Адсорбция атомов щелочных металлов на поверхности арсенида галлия: изменение работы выхода // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 4, Стр. 98

Исследованиями импульсной автоэлектронной эмиссии в электронном проекторе было установлено, что при приближении к предельно высоким плотностям тока происходит характерное изменение эмиссионной картины, состоящее в появлении яркого кольца, окружающего обычное эмиссионное изображение. При исследованиях плоских автоэмиссионных катодов не однократно было замечено появление колец. Для объяснения их появления была предложена модель, в основе которой лежит предположение о том, что вторичные электроны, эмитируемые с анода, под действием электрического поля возвращаются на анод, образуя наблюдаемое кольцо. Рассмотрены возможности использования этого явления при создании автоэмиссионных приборов.
Никольский К.Н., Батурин А.С., Князев А.И., Чесов Р.Г., Шешин Е.П. Образование колец вокруг первичного автоэмиссионного изображения и возможности их практического использования // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 2, Стр. 110

Изучено термическое разрушение двумерных графитовых пленок (ДГП) на четырех подложках: Ni(111), Re(10-10), Ir(111), Pt(111). Показано, что во всех случаях лимитирующей стадией процесса является отрыв краевого атома углерода от островка. Оценена энергия активации этого процесса --- она изменяется от 2.5 eV на никеле до 4.5 eV на иридии. Природа этих изменений связана с большей или меньшей способностью поверхности металла устанавливать сильные хемосорбционные связи с валентно активными краями графитовых островков, ослабляющих C-C связи в графите.
Галль Н.Р., Лавровская Н.П., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Термическое разрушение двумерных графитовых островков на тугоплавких металлах (Ir, Re, Ni, Pt) // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 2, Стр. 105

Рассматривается вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) из алмазных пленок, выполненных в виде мембран толщиной 2.5-5 mum. ВЭЭ исследуется в двух режимах: в режиме \glqq на отражение\grqq, когда вторичные электроны выходят с поверхности мембраны, на которую падают первичные электроны, и в режиме \glqq на прострел\grqq, когда вторичные электроны выходят с поверхности, противоположной поверхности, на которую падают первичные электроны. Оценка коэффициента ВЭЭ производится на основе анализа поведения в твердом веществе электронов с энергией 0.1--30 keV. Показано, что в случае \glqq на отражение\grqq коэффициент ВЭЭ может быть более 100 при энергиях порядка 3 keV, а в случае \glqq на прострел\grqq он не превышает 5 даже при энергиях 30 keV. Для улучшения эмиссионных свойств мембран при работе \glqq на прострел\grqq предложен ряд конструкций, в частности пористые мембраны, которые позволяют получить характеристики, близкие к характеристикам при работе \glqq на отражение\grqq. Приведены экспериментальные результаты, согласующиеся с расчетными данными, и описана технология получения алмазных мембран, в том числе и пористых.
Гаврилов С.А., Дзбановский Н.Н., Ильичев Э.А., Минаков П.В., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Суетин Н.В. Усиление потока электронов с помощью алмазной мембраны // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 1, Стр. 108

Рассматривается нагретая поверхность металлического острия, к которой приложено сильное электрическое поле. При температурах, достаточных для активации поверхностной самодиффузии, на поверхности вырастают кристаллические наросты и мелкие микровыступы. Последние в случае приложения к эмиттеру положительного потенциала, оказываются источниками ионных потоков высокотемпературного полевого испарения. Рассматриваются условия существования на поверхности эмиттера большего или меньшего количества микровыступов, относительная устойчивость которых обеспечивается балансом между тремя потоками: диффузионным от вершины, диффузионным к вершине и потоком полевого испарения с вершины. Обсуждаются различные возможности реализации такого баланса. В десорбционном полевом ионном микроскопе микровыступы, испаряющие ионы, визуализируются как более или менее яркие пятна. На фоне хаотичного движения таких пятен выделяются упорядоченные циклические их перемещения: микровыступы выстраиваются в виде пунктирных колец вдоль контура развитых граней кристаллического эмиттера, а затем эти кольца стремительно \glqq схлопываются\grqq к центру грани. Впервые построена количественная теория этих циклических процессов, объясняющая \glqq замирание\grqq кольца перед схлопыванием и лавинно ускоряющийся после этого процесс самого схлопывания. Рассчитывалось распределение напряженности электрического поля вдоль поверхности в случае существования на ней нароста, и анализировались диффузионные потоки на разных стадиях его роста и растворения. Анализ результатов расчетов показал, что высота наростов относительно невелика, а их склоны сравнительно пологие.
Шредник В.Н., Глазанов Д.В., Конторович Е.Л. К теории динамических изменений поверхности во время высокотемпературного полевого испарения // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 9, Стр. 120