Изучена роль начального состояния адатомов в формировании зарядового состава потока распыленных частиц. Расчеты проделаны для атомов щелочных металлов, адсорбированных на поверхности вольфрама и испытывающих взаимное диполь-дипольное отталкивание. Показано, что с ростом поверхностной концентрации адатомов вероятность выхода положительных ионов уменьшается, причем учет начального состояния адатомов усиливает этот эффект.
Давыдов С.Ю. О влиянии начального состояния адатомов на соотношение атомов и ионов в потоке распыляемых частиц // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 5, Стр. 116

Предложен новый метод определения теплопроводящих свойств алмазных пленок, основанный на фотоакустическом эффекте. С использованием этого метода исследованы алмазные поликристаллические пленки, выращенные на кремнии путем газофазного химического осаждения в плазме СВЧ разряда. Полученная величина коэффициента теплопроводности оказалась примерно вдвое ниже, чем в монокристаллическом алмазе.
Образцов А.Н., Павловский И.Ю., Ральченко В.Г., Окуши Х., Ватанабе Х. Определение теплопроводности алмазных поликристаллических пленок с помощью фотоакустического эффекта // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 4, Стр. 97

Исследовалась модификация поверхности арсенида галия во время облучения тяжелыми ионами цезия Cs+ путем измерения распределения высот поверхностей образцов атомно-силовым микроскопом. Наблюдалось как увеличение, так и уменьшение интегрального параметра sigma-среднеквадратичной высоты. Установлено, что в латеральном диапазоне 1-100 nm шероховатость поверхности арсенида галия увеличивается для всех исследуемых образцов. Анализ структурной функции позволил оценить характерные латеральные размеры поверхностных структур, возникающих в процессе ионного травления.
Меркулов А.В., Меркулова О.А. Влияние процесса ионного распыления на статистические характеристики поверхности // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 2, Стр. 107

Описан простой прибор для визуализации атомного строения поверхностных слоев путем регистрации максимумов фокусировки в пространственном распределении электронов с энергией 1-3 keV, отраженных от исследуемого образца с потерями энергии до ~300 eV. Его основу составляют широкоугольный энергоанализатор тормозящего поля с микроканальным усилителем потока электронов и видеосистема для сбора и обработки информации, обеспечивающая получение данных со скоростью до 50 распределений в секунду, что позволяет изучать в динамике структурные перестройки в приповерхностной области толщиной примерно 15Angstrem. При этом малый ток пучка первичных электронов (0.1 muA) сводит к минимуму электронно-стимулированные воздействия на исследуемый объект.
Пронин И.И., Валдайцев Д.А., Гомоюнова М.В., Фараджев Н.С., Банщиков А.Г. Прибор для визуализации атомной структуры поверхностных слоев на основе эффекта фокусировки электронов // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 12, Стр. 80

Получены и проанализированы выражения для температурных коэффициентов частот магнитостатических волн в касательно намагниченных ферритовых пленках, обладающих кубической анизотропией. Показано, что в случаях, когда кубическая ось лежит в плоскости пленки, для термостабилизации частот можно использовать температурные изменения внешнего поля как по величине, так и по направлению. Рассмотрена задача двухчастотной термостабилизации. Приведены результаты экспериментальных исследований температурных характеристик волн намагниченности в касательно намагниченной пленке железо-иттриевого граната с поверхностью {100}.
Шагаев В.В. Влияние кубической анизотропии на температурные характеристики магнитостатических волн в ферритовых пленках, намагниченных в плоскости // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 10, Стр. 99

На примере однородно намагниченной пленки ромбического антиферромагнетика изучены аномалии эластообменной спиновой динамики ограниченного магнетика, индуцированные влиянием обменных граничных условий.
Тарасенко С.В. Эффекты поверхностной магнитной анизотропии в эластообменной спиновой динамике тонких магнитных пленок // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 8, Стр. 110

Исследуются начальные стадии роста пленок и покрытий методом химического газофазного осаждения. Получена система уравнений, описывающая процесс эволюции островковой пленки на стадии оствальдовского созревания в условиях, характерных для процесса газофазного осаждения. Решение данной системы позволило получить зависимости всех основных характеристик островковой пленки (функцию распределения островков по размерам, зависимости среднего радиуса и плотности островков) как функции времени и пространственной координаты. Даны рекомендации по получению пленок с заранее заданными свойствами.
Григорьев Д.А., Кукушкин С.А. Механизмы и кинетика начальных стадий роста пленок, выращиваемых методом химического газофазного осаждения // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 7, Стр. 111

Рентгеновским методом и методом ферромагнитного резонанса изучены свойства магнитооптических пленок системы (Bi,Gd,Ln)3 / (Fe,M)5O12, где Ln=Lu или La, M=Ga или Al, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках Nd3Ga5O12 с ориентацией (100), (110) и близкой к (111).
Рандошкин В.В., Козлов В.И., Мочар В.Ю., Васильева Н.В., Воронов В.В. Влияние замещений на магнитную анизотропию Gd-содержащих магнитооптических пленок феррит-гранатов // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 5, Стр. 113

Полевое испарение сплава Hf--Mo (15 весовых % Hf) исследовалось с помощью времяпролетного атомного зонда. Умеренно прогретое острие обнаружило на поверхности примесь окислов Hf и Mo. Термополевые микровыступы, выращенные при температуре T=1440-1850 K и в электрическом поле (тормозящем электроны) напряженностью E=(3.2-5)·107 V / cm анализировались при комнатной и более высоких температурах.
Логинов М.В., Шредник В.Н. Полевое испарение сплава Hf--Mo // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 3, Стр. 69

Методом дифракции квазиупруго рассеянных электронов средней энергии исследовано атомное строение кластеров серебра, сформированных на поверхности монокристалла Si(111)-7x7 путем отжига тонкой пленки Ag, конденсированной при комнатной температуре. Моделирование дифракционной картины, полученной в пределах почти полной полусферы отражения электронов, показало, что формирующиеся на кремнии островки серебра имеют упорядоченную структуру и фиксированную относительно подложки ориентацию. Параллельно поверхности располагаются плотноупакованные монослои Ag(111), образующие гранецентрированную кубическую структуру, причем направление [112] этих микрокристаллов оказывается антипараллельным оси [112] подложки.
Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Фараджев Н.С. Атомное строение кластеров серебра на кремнии // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 12, Стр. 62