Предложены модели, позволяющие проводить теоретическое изучение процессов диффузионного типа при одновременном воздействии на примесный ион импульсного лазерного и пространственно неоднородного квазипостоянного электрического полей. Найдены средние скорости фотополевой десорбции. Оценки показывают, что эти эффекты сравнительно легко наблюдать экспериментально и они могут найти применение для решения различных задач нанотехнологий.
Стрекалов В.Н. Фотополевая миграция и десорбция примесных ионов // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 12, Стр. 59

В рамках релаксационной модели электронно-стимулированной десорбции изучено влияние реверсивного движения ионов на температурную зависимость их выхода. Полученные результаты применены для объяснения экспериментов по десорбции ионов натрия с поверхности вольфрама, покрытого монослойной пленкой кремния.
Давыдов С.Ю. О связи температурной зависимости выхода ионов с характером их первоначального движения при электронно-стимулированной десорбции // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 11, Стр. 77

Проведен анализ вклада различных механизмов энерговыделения в игле сканирующего туннельного микроскопа в режиме, характерном для локальной модификации поверхности твердого тела с учетом специфики геометрии микроскопа. Показано, что доминирующий механизм нагрева зависит от параметров материала и режима протекания тока. Из решения точной задачи получена формула для оценки тепературы острия модельной формы в виде параболоида вращения. На основе известных решений задач флуктуационной электродинамики получено выражение для скорости диссипации энергии теплового электромагнитного поля полупространства в острие иглы туннельного микроскопа.
Дорофеев И.А. Энергобаланс в системе игла--образец туннельного микроскопа в режиме модификации поверхности // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 11, Стр. 70

Получена нестационарная система уравнений, описывающая динамику распределений концентраций компонентов многокомпонентного материала с учетом имплантации, распыления, внешего напыления и диффузии, сформулированы граничные условия и даны приближенные решения, позволяющие проанализировать влияние различных факторов на формирование концентрации в приповерхностных слоях.
Кучинский В.В. Перенос атомов и изменение состава поверхности в процессе имплантации ионов в многокомпонентные материалы // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 10, Стр. 95

Термополевые микровыступы, выращенные при нагреве в электрическом поле на поверхности вольфрамового острия с напыленным на него кремнием, исследовались с помощью комплекса полевых эмиссионных методов: полевой электронной, ионной десорбционной микроскопии и атомного зонда. При толщине слоя Si не менее нескольких моноатомных слоев наблюдавшиеся в полевом десорбционном режиме микровыступы вырастали в результате прогрева острия до температур T=1100-1200 K в присутствии начального электрического поля напряженностью F 5.7-8.6·107 В/см. Испаряющее поле составляло 1.2-1.8·108 В/см. Множество движущихся пятен --- микровыступов образовывало кольца, которые схлопывались, демонстрируя растворение термополевых наростов на развитых гранях. Наибольший интерес представляли острые микровыступы, выраставшие при определенных условиях на центральной грани {110} вольфрама. Их состав анализировался с помощью атомного зонда. При этом выяснилось, что они состоят из трисилицида вольфрама WSi3 с моноатомной поверхностной коркой, близкой по составу к WSi2. Интенсивный рост таких образований на исходно гладкой плотноупакованной грани {110} вольфрама свидетельствовал о ее реконструкции под влиянием сильного поля и взаимодействия с кремнием.
Логинов М.В., Шредник В.Н. Структура и состав термополевых микровыступов из силицидов вольфрама // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 9, Стр. 102

Предложена новая теоретическая модель для описания поведения пленок составных водородсодержащих соединений при термических обработках. В основе модели лежит термическая генерация атомов водорода и атомов составных соединений с их последующей диффузией к границам и просачиванием через поверхность в атмосферу. Выполнены расчеты по термической обработке пленок нитрида кремния. Сравнение с литературными экспериментальными данными показывает высокую эффективность предлагаемой модели.
Гадияк Г.В., Гадияк В.Г., Косинова М.Л., Сальман Е.Г. Теоретическая модель для описания деградации тонких водородсодержащих пленок // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 8, Стр. 105

Из газообразных углеводородов в барьерном разряде при атмосферном давлении получены алмазоподобные пленки. Проведены исследования покрытий методами просвечивающей электронной микроскопии, дифракции электронов и абсорбционной ИК спектроскопии. Изложена методика определения количественных характеристик пленок (доля водорода, соотношение разных видов углерод-углеродных связей и углеводородных групп) с помощью эталонных образцов. Покрытия с наилучшими характеристиками получены из метана (отношение атомов водорода и углерода H/C=1.04, доля алмазоподобных и графитоподобных связей sp3!:! sp2=100%!:!0%) и из смеси ацетилена и водорода в соотношении 1!:!19 (H/C=0.73, sp3!:sp2= 68%:32%).
Бугаев С.П., Коротаев А.Д., Оскомов К.В., Сочугов Н.С. Свойства алмазоподобных пленок, полученных в барьерном разряде при атмосферном давлении // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 8, Стр. 100

Рассчитаны поверхности постоянной силы при сканировании острия АСМ в режиме сил отталкивания над решеткой плотной упаковки атомов. Показано, что при достаточно малых начальных высотах сканирования острия с одним атомом на кончике имеют место разрывы поверхностей постоянной силы в областях между атомами поверхностной решетки. Построена кластерная модель кончика острия, обеспечивающая непрерывность сканирования при произвольных начальных высотах. Исследована зависимость АСМ изображений решетки плотной упаковки атомов, как невозмущенной, так и содержащей точечные дефекты, от ориентации кластера на кончике острия относительно кристаллографических осей поверхности. Обсуждены диагностические возможности полученных результатов.
Благов Е.В., Климчицкая Г.Л., Лобашев А.А., Мостепаненко В.М. О моделировании поверхностей постоянной силы над решеткой плотной упаковки атомов в режиме сил отталкивания // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 6, Стр. 77

Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) используется для формирования изменений рельефа поверхности пленок диоксида татана, содержащих адсорбированные ионы серебра. В результате воздействия коротких импульсов амплитудой <=15 В, подаваемых на зонд СТМ, находящийся в режиме туннельного тока, на поверхности пленки образуются структуры размером ~10 нм, состоящие предположительно из частиц серебра.
Порошков В.П., Гурин В.С. Формирование локализованных серебряных центров на поверхности пленок диоксида титана при помощи сканирующего туннельного микроскопа // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 6, Стр. 72

В рамках релаксационной модели электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) рассмотрено влияние температуры на выход десорбированных ионов и вычислен соответствующий температурный коэффициент. Результаты теории применены для объяснения экспериментальных данных по ЭСД ионов лития и натрия с поверхности вольфрама, покрытого монослоем кремния.
Давыдов С.Ю. Влияние температуры на выход ионов, десорбированных вследствие электронных переходов: релаксационная модель // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 5, Стр. 109