С применением методов полевой электронной микроскопии изучены островки двумерной фазы гафния в области граней (100) вольфрама и их террас. Для островков измерена энергия двумерной сублимации, оказавшаяся равной 6.1±0.5 eV. Островки обнаруживали существенный эффект усиления полевой электронной эмиссии с температурой, значительно превышавший теоретически ожидаемый. Отрицательный температурный коэффициент изменения varphi alphaT для островков составил по величине 4-6· 10-4 eV · grad-1 или более, тогда как для вольфрама было получено alphaT=2· 10-5 eV · grad-1.
Голубев О.Л., Судакова Т.И., Шредник В.Н. Температурная зависимость работы выхода островков гафния на вольфраме // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 12, Стр. 67

Методами электронографии и электронной оже-спектроскопии исследованы фазовые превращения в системе титан-кремний при обработке в азотводородной плазме. Определены оптимальные режимы формирования тонких пленок TiN на кремнии. Показано, что имеют место уменьшение высоты барьера Шоттки и увеличение практически на порядок пробивного напряжения контактов, обработанных азотводородной плазмой, по сравнению с исходными образцами. Установлены зависимости электрофизических свойств контактов от параметров обработки азотводородной плазмой.
Чапланов А.М., Щербакова Е.Н. Изменение фазового состава и электрофизических свойств контакта титан-кремний при облучении азотводородной плазмой // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 10, Стр. 102

Природные алмазы типа IIa исследовались методами фотопроводимости на сверхвысоких частотах и постоянном токе, оптического поглощения при нормальных условиях, а также тока фотоэмиссии в вакуум (~ 10-5 Pa). Предложена модель СВЧ фотопроводимости алмаза (материала с отрицательным электронным сродством поверхности к электрону), учитывающая как внутренний, так и внешний фотоэффект.
Захаров А.Г., Поклонский Н.А., Вариченко В.С. Сверхвысокочастотная фотопроводимость левитирующих над природным алмазом электронов // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 10, Стр. 95

Предложен метод расчета процессов распыления металла в виде больших нейтральных и заряженных кластеров с числом атомов N<=5 при ионной бомбардировке, основанный на простых физических предположениях и находящийся в неплохом согласии с экспериментом. В качестве примера рассчитаны степени и коэффициенты ионизации, а также относительные выходы кластеров в зависимости от числа атомов в составе кластеров при бомбардировке различных металлов (Ag, Nb и Ta) однозарядными ионами Ar+1 и Au-1. Развит флуктуационный механизм формирования зарядового состава больших кластеров, позволящий описать зависимости зарядовых распределений от размеров кластеров и температуры мишени.
Матвеев В.И. Эмиссия заряженных кластеров при ионном распылении металла // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 8, Стр. 108

Рассмотрена задача о нахождении равновесной атомной структуры нагруженного внешней силой нанотрибоконтакта, образованного жестким зондом, имеющим форму параболоида вращения, с мягкой поверхностью, моделируемой совокупностью параллельных атомных плоскостей. Проведены расчеты структурных, энергетических и силовых характеристик, а также диссипативной силы статического адгезионного трения в зависимости от величины нормальной нагрузочной силы и радиуса кривизны зонда для системы алмаз-графит. Использованы несколько аппроксимаций межатомных потенциалов. Показано, что учет деформации контактной зоны приводит к уменьшению сил адгезионного трения в области растягивающих (отрицательных) нагрузок. При положительных нагрузках в диапазоне 0--80 nN характер изменения сил трения (при учете деформации) зависит от радиуса кривизны зонда и типа применяемой аппроксимации потенциала взаимодействия. Зависимость сил трения от радиуса кривизны зонда приблизительно прямо пропорциональная. Проводится сопоставление результатов расчета с имеющимися экспериментальными данными.
Дедков Г.В., Дышеков М.Б. Деформация зоны контакта и адгезионное трение между зондом сканирующего фрикционного микроскопа и атомарно-гладкой поверхностью // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 7, Стр. 96

Изучено влияние термического отжига на свойства углеродных пленок, осажденных на никелевых электродах электрохимическим методом. Показано, что отжиг при температуре 300oC приводит к образованию наноразмерных кластеров алмаза. При увеличении температуры отжига размеры алмазных кластеров уменьшаются. При температуре отжига 900oC весь углерод взаимодействует с никелем, образуя карбид никеля.
Дымонт В.П., Самцов М.П., Некрашевич Е.М. Влияние термического отжига на спектральные свойства электролитически осажденных углеродных пленок // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 7, Стр. 92

Исследована электронная эмиссия, индуцированная рентгеновским излучением во вторично-эмиссионных пористых материалах.
Шихалиев П.М. Электронная эмиссия, индуцированная рентгеновским излучением во вторично-эмиссионных пористых материалах // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 3, Стр. 52

Рассмотрены промежуточные (между трех- и двумерными) неоднородные двухфазные проводящие пленки, размер которых вдоль пленки больше корреляционной длины, а поперек --- меньше. В рамках перколяционного подхода получены зависимости сопротивления в слабонелинейном случае от концентрации хорошо проводящих частиц, их размеров и толщины пленки.
Дзедзиц А., Снарский А.А., Буда С.И. Нелинейные свойства двухфазных композитных пленок во фрактальном режиме // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 3, Стр. 48

Показана возможность наблюдать химическую реакцию на поверхности металлической мишени в бесстолкновительной плазменной струе, анализируя рассеянные поверхностью ионы плазменной струи по их продольной скорости. Мишень выполнена в виде полоски Ta сечением 3x 0.1 mm. Энергия ионов 30 eV. После кратковременного прогрева мишени до 1000 K наблюдаются уменьшение тока рассеянных ионов и его последующее восстановление за время 40 s для ионов азота и 60 s для ионов водорода. Релаксация тока рассеянных ионов коррелирует с накоплением на поверхности промежуточного реагента (вероятно, TaO2Na+), из которого в дальнейшем образуется экспериментально наблюдаемый ион с массой 245± 1 (вероятно, TaO2Na+· H2O).
Баткин В.И. Рассеяние ионов плазменной струи танталовой мишенью // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 2, Стр. 106

Сообщаются результаты исследования процесса формирования вольфрамовых игольчатых микрозондов под действием ионной бомбардировки в сильных электрических полях и последующего низкотемпературного полевого испарения. Обнаружена немонотонность изменения скорости возрастания плотности тока в процессе облучения, связанная с наличием в составе потока бомбардирующих ионов тяжелых частиц материала эмиттера, образующихся в результате его распыления. Показано, что в процессе бомбардировки первоначально полусферическая рабочая часть зондов трансформируется в осесимметричную поверхность сложной конфигурации. Обсуждена связь наблюдавшихся эффектов с особенностями протекания процессов ионизации атомов инертных газов и распыления атомов вольфрама в сверхплотных электронных пучках. Микрозонды с атомногладкой поверхностью, формируемой в процессе ионной бомбардировки и полевого испарения, обнаруживали высокую стабильность и обеспечивали атомное разрешение на тест-объектах.
Мазилова Т.И. Радиационно-стимулированное формирование микрозондов сканирующих туннельных микроскопов // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 2, Стр. 102