Методами вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и электронной оже-спектроскопии (ЭOС) определет состав приповерхностных и поверхностных примесей цилиндрической поверхности газофазного поликристаллического покрытия W на сплаве Nb + 1% Zr, применяемого в качестве материала коллектора термоэмиссионных преобразователей (ТЭП) тепловой энергии в электрическую в космических ядерных энергетических установках. Проведено сравнение с составом примесей плоскопараллельного достаточно совершенного монокристалла W (110) как эталона. На всех стадиях травления поверхности пучками ионов He+ и Ar+ покрытие загрязнено сильнее эталона. При первом же прогреве в вакууме до 1625 K удаляются все примеси, кроме углерода, кислорода и ниобия, не удаляемых прогревом вплоть до 2075 K. Показано, что ниобий диффунидирует к поверхности сквозь W покрытие толщиной 30 mum. Отмечается сильное распыление материала при температурах выше 1925 K. После проведения 50 циклов специального окисления содержание углерода в покрытии значительно уменьшено, но последующие 25 циклов к дальнейшему уменьшению уже не приводят. Исходя из невозможности удаления с поверхности при 1925--2075 K кислорода сделан вывод о наличии на ней высокотемпературного субоксида Nb2W2O. Для улучшения адсорбционных свойств по отношению к O--Cs пленке даны рекомендации по повышению чистоты W покрытия при его получении.
Браварец А.В., Зыков Б.М., Зыкова В.Н., Лебедев В.Н., Удовиченко Ю.К. Состав примесей и очистка цилиндрической поверхности газофазного поликристаллического вольфрама // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 9, Стр. 112

С помощью полевого электронного микроскопа и дисперсионного энергоанализатора автоэлектронов исследовались углеродные нанокристаллы, содержащиеся в углеродном ПАН волокне. Обнаружен переход эмиттирующих нанокристаллов во второе стабильное состояние, соответствующее почти на порядок меньшему току эмиссии и энергораспределению автоэлектронов с дополнительным низкоэнергетическим максимумом. Прогрев образцов при 750oC восстанавливал исходные энергораспределения автоэлектронов и вольт-амперные характеристики нанокристаллов. Оценивалась ширина запрещенной зоны нанокристаллов.
Лобанов В.М., Юмагузин Ю.М. Энергораспределение автоэлектронов из углеродного нанокристалла // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 9, Стр. 108

С помощью полевых эмиссионных методов изучалось высокотемпературное полевое испарение Re, а также Pt, Ta и W. Ионы металлов испарялись в основном с вершин термополевых микровыступов, возникающих на поверхности эмиттера под воздействием высоких электрических полей и температур. В полях напряженностью до F=1-2 V/Angstrem и температурах T до 1500-2000 K регистрировались ионные токи i со всей поверхности эмиттера от долей nA до нескольких nA. С использованием графиков Аррениуса \lg i=f(1/T) были определены энергии активации процесса полевого испарения, которые оказались заметно меньше полученных расчетным путем на основе модели обмена зарядом при известных параметрах процесса испарения и испаряемого металла. Обсуждаются причины подобного различия энергий активации и механизм явления испарения ионов при высоких F иT.
Голубев О.Л., Шредник В.Н. Высокотемпературное полевое испарение рения // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 8, Стр. 109

Методами полевой ионной и электронной микроскопии исследовалась радиационно-стимулированная эрозия поверхности вольфрамовых автоэмиттеров в условиях низкоэнергетичной ионной бомбардировки. Показано, что изменение эмиссионных характеристик эмиттеров в процессе бомбардировки связано со смещением поверхностных атомов в положения с пониженными значениями координационных чисел и скачкообразным возникновением нановыступов, характеризующихся повышенной локальной напряженностью электрического поля. При полевом испарении нановыступов вскрывались полости, что свидетельствовало о возможности описания такого типа эрозии в терминах блистерообразования. Проанализированы квазистатические механизмы эрозии поверхности и показано, что наноблистеринг может быть связан с абсорбцией гелия в приповерхностных слоях металла.
Мазилова Т.И., Михайловский И.М. Эрозия поверхности автоэмиттеров под действием низкоэнергетичной ионной бомбардировки // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 7, Стр. 117

Методами инфракрасной абсорбционной спектроскопии, резонансной многофотонной ионизации и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии исследовано фотоиндуцированное поведение в системах, образующихся при адсорбции молекул NO и CO на поверхности Pt(111), Ni(111) и  сплава Pt(111)-Ge, при энергии фотонов от 2.3 до 6.4 eV. Характер фотопроцесса зависит от типа адсорбционной системы. На поверхности Pt(111) молекулы NO в зависимости от покрытия либо диссоциируют, либо десорбируются, в то время как на поверхности Ni(111) наблюдается только диссоциация. На поверхности Pt(111)-Ge, наоборот, имеет место только фотодесорбция молекул. Воздействие фотонов на системы CO/Pt(111), Pt(111)-Ge приводит к десорбции молекул CO, адсорбированных по линейной схеме, в то время как свойства молекул, находящихся в мостиковых центрах адсорбции, не претерпевают заметных изменений. Предложена модель фотоиндуцированных процессов, согласно которой решающую роль в реализации того или иного процесса играет время жизни возбужденного состояния, вызванного переносом заряда между валентной зоной металла и разрыхляющей 2pi-орбиталью молекулы.
Магкоев Т.Т., Мурата Й. Влияние электронной структуры подложки на характер фотоиндуцированного поведения адсорбированных молекул оксидов азота и углерода // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 6, Стр. 101

Методами вторично-ионной масс-спектрометрии, электронной оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов определены химический состав приповерхностных и поверхностных примесей и структуры их пленок на цилиндрической поверхности газофазного монокристаллического вольфрама, применяемого в качестве материала эмиттера термоэмиссионных преобразователей тепловой энергии в электрическую в космических ядерных энергетических установках. Проведено сравнение с составом примесей плоскопараллельного достаточно совершенного монокристалла W (110) как эталона.
Зыков Б.М., Зыкова В.Н., Лебедев В.Н., Удовиченко Ю.К. Состав примесей и очистка цилиндрической поверхности газофазного монокристаллического вольфрама // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 6, Стр. 90

Теоретически исследована фотоэмиссия из полупроводника с отрицательным электронным сродством для неравномерного распределения интенсивности света на освещаемой поверхности при стационарном и импульсном возбуждении. Показано, что максимальное значение тока эмиссии экспоненциально возрастает с увеличением отношения отрицательного электронного сродства Delta0 к характерной энергии туннелирования E0, и найдена интенсивность возбуждения Iopt, соответствующая максимальному току. Неравномерность возбуждения приводит к ослаблению зависимости тока эмиссии от интенсивности вблизи его максимального значения. Время восстановления квантовой эффективности, измеряемое при двухимпульсном возбуждении, слабо зависит от интенсивности и неравномерности распределения интенсивности в пятне и близко ко времени релаксации малых фотонапряжений.
Резников Б.И., Субашиев А.В. Эффекты ограничения заряда эмиссии фотокатодов при неоднородном освещении // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 5, Стр. 95

Исследуется кинетика эмиссии ионов щелочных металлов с поверхности металлов, прогретых до температуры 800--2500 K. Релаксация ионного тока описывается функцией I=Ae-Bsqrt(t)sqrt. После релаксации эмиссия ионов восстанавливается воздействием на поверхность H2O при комнатной температуре. Обсуждается природа явления.
Баткин В.И., Савченко О.Я. Низкотемпературная ионная эмиссия // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 5, Стр. 91

Тонкие пленки полиимида были имплантированы ионами Ar+ и Ar2+ с энергиями 40 и 80 keV соответственно в широком интервале доз 2.5· 1014-1.5· 1017 cm-2 и плотностей ионного тока 1-16 muA/cm2. Изучено влияние режимов ионной имплантации на электрические, парамагнитные и оптические характеристики приповерхностного слоя полимера, модифицированного ионным облучением. Показано, что эффект радиационно-стимулированного термолиза полиимида и особенности его химического строения обусловливают монотонный рост электропроводности облученного слоя с увеличением плотности ионного тока при заданной дозе имплантации. Напротив, при неизменной плотности ионного тока с увеличением дозы имплантации наблюдается скачкообразный характер роста электропроводности, а также снижение концентрации парамагнитных центров и оптического пропускания модифицированного слоя полиимида. Наблюдаемые зависимости электрофизических характеристик полимера от дозы имплантации и плотности тока интерпретируются в рамках модели структурной перестройки карбонизированной фазы полимера, формируемой в условиях ионного облучения.
Попок В.Н., Азарко И.И., Хайбуллин Р.И. Влияние высоких доз имплантации и плотности ионного тока на свойства пленок полиимида // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 4, Стр. 88

Представлены результаты экспериментального исследования нового явления --- индуцированного медью образования сверхтвердых структур с микротвердостью от 2· 1010 до 5· 1010 Pa в приповерхностном слое чугуна при лазерной обработке поверхности серого чугуна, покрытого тонким слоем индуктора-меди. Показано, что под воздействием меди происходят насыщение приповерхностного слоя чугуна углеродом и образование глобулярного (и даже сферического) по форме углерода. Проведен элементный анализ и получен спектр комбинационного рассеяния глобул углерода. На основании анализа спектров и сопоставления их со спектрами других структур углерода обоснована идея, в соответствии с которой при лазерной обработке поверхности чугуна графит в приповерхностном слое чугуна превращается в пироуглерод, обладающий высокой твердостью. Высказаны соображения о возможном механизме этого процесса.
Козлов Г.И. Образование сверхтвердых структур и фазовые превращения углерода, происходящие в приповерхностном слое чугуна при лазерном воздействии // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 4, Стр. 81