Показано, что с изменением температуры роста Ts свойства пленок LaSrMnO в области перехода ромбоэдрической фазы в орторомбическую (600-650oC) зависят от взаимодействия металлических (ферромагнитных) Mn-O-кластеров в диэлектрической (антиферромагнитной) матрице. При Ts=
Показано, что с изменением температуры роста Ts свойства пленок LaSrMnO в области перехода ромбоэдрической фазы в орторомбическую (600-650oC) зависят от взаимодействия металлических (ферромагнитных) Mn-O-кластеров в диэлектрической (антиферромагнитной) матрице. При Ts=<q 600oC низкая плотность eg-состояний и диэлектрическая щель (Eg=0.3-0.5 eV) обеспечивают оптическую прозрачность в области homega=0.5-2 eV, разницу между FC- и ZFC-измерениями намагниченности M(T), высокие значения сопротивления и появление участков, R(T)~ const, связанных с превращением кластеров в систему туннельно-связанных квантовых точек. При Ts>=q 650oC локальное увеличение атомной и электронной плотности вызывает снижение оптического пропускания и сопротивления на 3-9 порядков с максимумом и минимумом на зависимостях R(T) пленок и увеличение M (10 K) на порядок. Сделан вывод о том, что магнитное упорядочение системы кластеров при туннельной связи между ними стимулирует увеличение размера кластеров и концентрации металлической (ферромагнитной) фазы. Данная работа частично поддержана грантом N PBZ-KBN-013/T08/19 правительства Польши.
Окунев В.Д., Самойленко З.А., Дьяченко Т.А., Szymczak R., Lewandowski S.J., Szymczak H., Baran M., Gierlowski P. Изменения электронных, оптических имагнитных свойств пленокLaSrMnO при переходе отромбоэдрической корторомбической фазе // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10, Стр. 1831