Исследован электронный транспорт в пленках аморфной двуокиси кремния с наночастицами (Co, Nb, Ta). В предположении, что электронный транспорт определяется неупругим резонансным туннелированием через цепочку локализованных состояний между гранулами, из температурных зависимостей проводимости найдено среднее число локализованных состояний в межчастичном туннельном канале при разных концентрациях гранул. Для подтверждения предположения о неупругом характере туннелирования исследованы зависимости магнитосопротивления от концентрации гранул, температуры и величины магнитного поля. В рамках одноорбитальной модели, когда туннельное магнитосопротивление между гранулами определяется s-s-туннелированием, найдено, что присутствие слаборасщепленных локализованных состояний в туннельном канале приводит к отсутствию насыщения магнитосопротивления в сильных магнитных полях. Одновременное понижение коэффициента s-s-туннелирования и рост вероятности неупругого рассеяния спина электрона при увеличении длины межчастичной цепочки локализованных состояний, по которой туннелирует электрон, формируют характерные температурно-концентрационные зависимости магнитосопротивления. Экспериментальное обнаружение этих особенностей подтверждает то, что электронный транспорт в структурах a-SiO2 (Co, Nb, Ta) определяется неупругим резонансным туннелированием через локализованные состояния между гранулами. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-17071).
Луцев Л.В., Калинин Ю.Е., Ситников А.В., Стогней О.В. Электронный транспорт вмагнитном поле вгранулированных пленках аморфной двуокиси кремния сферромагнитными наночастицами // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 10, Стр. 1802

Рассмотрено влияние на пьезорезистивный эффект в поликристаллических сегнетоэлектриках-полупроводниках переориентаций доменов, происходящих под действием механических напряжений. Учет 90o доменных переориентаций при рассмотрении формирования потенциальных барьеров на границах кристаллитов позволяет правильно описать как величину, так и знак (плюс при сжатии, минус при растяжении) пьезорезистивных коэффициентов в BaTiO3.
Павлов А.Н., Раевский И.П. Пьезорезистивный эффект вполикристаллических сегнетоэлектриках-полупроводниках // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1671

Изучены реверсивные зависимости диэлектрической проницаемости varepsilon'r(E=), токи поляризации и деполяризации в широкой области температур в многокомпонентной сегнетопьезокерамике на основе цирконата-титаната свинца. Результаты позволяют выделить эффекты, связанные с изменением фазового состояния, и эффекты, обусловленные главным образом переключением доменной структуры в данном материале. Предполагается существование двух размытых фазовых переходов в исследуемой системе.
Бурханов А.И., Шильников А.В., Мамаков Ю.Н., Акбаева Г.М. Особенности электрофизических свойств приразмытых фазовых переходах вмногокомпонентной сегнетопьезокерамике наоснове цирконата-титаната свинца // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1665

Показано, что в результате высокотемпературной обработки самополяризованных пленок цирконата-титаната свинца, содержащих избыток оксида свинца, и продолжительной последующей выдержки при комнатной температуре происходит перераспределение зарядов в приэлектродных областях сегнетоэлектрической пленки. Такая термообработка, как правило, приводит к исчезновению самополяризованного состояния и устранению диэлектрической неоднородности. Предложена модель тонкопленочного сегнетоэлектрического конденсатора, позволяющая описать изменение формы петель гистерезиса (P-V), вольт-емкостных характеристик (C-V), а также частотно-зависимого пироотклика (LIMM). В рамках модели обсуждается влияние интерфейса и межкристаллитных границ на появление самополяризованного состояния, его изменение и исчезновение. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17-799) и грантом Министерства образования РФ (EOO-3.4-350).
Пронин И.П., Каптелов Е.Ю., Тараканов Е.А., Афанасьев В.П. Влияние отжига на самополяризованное состояние втонких сегнетоэлектрических пленках // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1659

Предложена модель магнитного упорядочения в мультиструктурах типа Fe/Cr при температурах значительно выше точки Нееля объемного хрома. Перераспределение зарядовой (и, как следствие, спиновой) плотности вблизи границ раздела Fe/Cr ведет к формированию в прослойке хрома существенно неоднородного состояния с волной спиновой плотности (ВСП). Описана пространственная структура антиферромагнитного параметра порядка в толстых прослойках. Рассчитан вклад ВСП в эффективную обменную связь между моментами соседних слоев железа. На основе полученных результатов интерпретируются данные экспериментов по туннельной спектрометрии трислоев и дифракции нейтронов на сверхрешетках Fe/Cr. Работа частично поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований N01-02-16175.
Меньшов В.Н., Тугушев В.В. Индуцированные границами раздела состояния снесоизмеримой волной спиновой плотности вмультислоях типа Fe/Cr // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1650

Исследуется влияние конечной глубины проникновения высокочастотного поля в ферромагнитный металл на спектр спин-волнового резонанса перпендикулярно намагниченного слоя с различными типами поверхностного закрепления спинов и при наличии затухания в спиновой системе. Получено точное численное решение уравнения движения намагниченности с учетом конечной толщины скин-слоя. В случае существенно неоднородного распределения высокочастотного поля по толщине слоя наряду с уширением и уменьшением амплитуды всех резонансных пиков выявлено изменение формы резонансной кривой на частотах, близких к частоте ферромагнитного резонанса.
Носов Р.Н., Семенцов Д.И. Спин-волновой резонанс вмагнитных пленках вусловиях скин-эффекта // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1639

Изучена технология синтеза тонких пленок феррита Ba-M методом реактивного радиочастотного диодного распыления керамической мишени BaO· nFe2O3. Подложками служили предварительно отожженные пластинки из кварца. Исследовано влияние количества ионов Ba на кристаллические, магнитные свойства и микроструктуру пленок. Обсуждаются связи между величиной dHc/dT и микроструктурой пленки. Полученные пленки удовлетворяют требованиям, предъявляемым к носителям информации со сверхвысокой плотностью записи. Работа выполнена при поддержке Китайского фонда поддержки науки (National Scientific Foundation of China) и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-17889).
Камзин А.С., Вей Фулинь, Янг Зхенг, Лиу Хсиоахси Исследования процессов кристаллизации тонких пленок гексагональных ферритов Ba-M // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1635

Предложен метод, позволяющий в рамках модели Изинга исследовать магнитные фазовые переходы в условиях конкуренции прямого и косвенного обмена. Показано, что вблизи порога протекания при охлаждении ниже температуры Кюри такая конкуренция, приводит к возвратному переходу ферромагнетик--спиновое стекло.
Белоконь В.И., Нефедев К.В. Магнитные фазовые переходы ваморфных системах сконкурирующими обменными взаимодействиями // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1632

Стробоскопическим методом исследована эволюция динамических спиральных доменов в пленках ферритов-гранатов в переменном магнитном поле. Показано, что в течение периода поля значительно изменяется форма спирального домена; основные процессы перестройки формы имеют место в диапазоне фаз ± pi/4 относительно момента времени смены полярности поля. За время формирования/распада спирального домена плавно изменяются площадь и форма петли гистерезиса участка пленки, на котором находится домен. Установлено, что существование верхней (по частоте) границы формирования спиральных доменов связано с преобразованиями структуры границ доменов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-03325).
Логунов М.В., Герасимов М.В. Эволюция динамических спиральных доменов втечение периода переменного магнитного поля // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1627

Анализируются процессы намагничивания и перемагничивания плотноупакованного нанодисперсного порошка гексаферрита бария в области магнитостабильного состояния. Эффекты обратимости обсуждаются в контексте межчастичного взаимодействия. Показано, что по характеру кривой намагничивания и параметрам, связанным с необратимостью процессов перемагничивания, исследованный объект является модельной системой малых стонер-вольфартовских частиц. Один из авторов (А.С. Камзин) благодарит Российский фонд фундаментальных исследований (грант N 01-02-17889).
Голубенко З.В., Камзин А.С., Ольховик Л.П., Хворов М.М., Сизова З.И., Шабатин В.П. Стонер-вольфартовское поведение плотноупакованного ансамбля наночастиц высокоанизотропного гексаферрита // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1622