Рассмотрена магнитная структура компенсированной границы раздела ферромагнетик--антиферромагнетик. Показано, что быстрота убывания искажений магнитных параметров порядка по мере удаления от границы раздела определяется типом кристаллической структуры слоев и видом среза поверхности, их разделяющей. Работа поддержана грантом CRDF--Минобразования РФ N VZ-010-0 и грантом PICS/RFBR N 1573/02-02-22002.
Морозов А.И. Магнитная структура компенсированной границы раздела ферромагнетик--антиферромагнетик // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 10, Стр. 1847

Рассмотрена модель лестничного ферромагнетика с изинговскими спинами, состоящего из двух ферромагнитных цепочек с взаимодействием ближайших соседей и случайным взаимодействием между ближайшими спинами разных цепочек. При определенном выборе параметров случайного взаимодействия описание вырожденния основного состояния и термодинамики при T=0 оказывается довольно элементарным и сводится к использованию статистики одномерных кластеров. Полевые зависимости термодинамических параметров обнаруживают серию фазовых переходов, связанных с изменением спиновых конфигураций антиферромагнитных кластеров. Численное исследование термодинамики такой системы при конечных температурах подтверждает справедливость аналитических результатов, полученных при T=0.
Тимонин П.Н. Термодинамика лестничного ферромагнетика сослучайным поперечным обменом // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 10, Стр. 1842

Рассматриваются поляризация и диэлектрическая восприимчивость полярных областей, состоящих из микроскопических диполей ланжевеновского типа, помещенных в случайное электрическое поле. Показано, что кроме обычного фононного вклада такая система имеет две дополнительные составляющие поляризации: ориентационную и флуктуационную. Оба вклада расходятся при устремлении амплитуды случайного поля к нулю, но могут быть стабилизированными в конечных внутренних полях. Ориентационная восприимчивость не зависит от внешнего поля, если последнее меньше амплитуды случайного поля, и быстро убывает при больших значениях. Зависимость флуктуационной восприимчивости от поля имеет максимум; при малых полях восприимчивость квадратично возрастает с полем как const+AE2, а при больших убывает как E-1/2. Уравнение состояния в относительно больших (по сравнению с внутренними) полях имеет вид P2~ E, а в слабых P~ E. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 01-02-16029).
Просандеев C.А. Ориентационная ифлуктуационная поляризации ланжевеновских диполей вслучайном электрическом поле // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1691

Обсуждается вклад механических напряжений, возникающих за счет различия в температурных коэффициентах линейного расширения подложки и сегнетоэлектрической пленки, в величину самополяризации на примере тонких пленок цирконата-титаната свинца PbZrxTi1-xO3 (PZT) разных составов. Согласно развиваемым представлениям, природа самополяризации связывается с внутренними поляризующими электрическими полями, вызванными различной плотностью заряда на поверхностных состояниях интерфейсов сегнетоэлектрического слоя, тогда как растягивающие или сжимающие механические напряжения способны лишь изменить ориентацию поляризации, что приводит к увеличению или уменьшению величины самополяризации. Рассматриваются проблемы повышения эффективности использования пленок PZT в приемниках ИК-излучения и устройствах памяти. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17-799) и грантом Министерства образования РФ (E02-3.4-89).
Пронин И.П., Каптелов Е.Ю., Гольцев А.В., Афанасьев В.П. Вклад механических напряжений всамополяризацию тонких сегнетоэлектрических пленок // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1685

Впервые обнаружен эффект селективного воздействия постоянного магнитного поля на характеристики номинально чистых кристаллов триглицинсульфата. В результате непродолжительного (минуты) воздействия слабого магнитного поля B0=0.08± 0.01 T наблюдались долговременные (сотни часов) изменения спонтанной поляризации, коэрцитивного поля, температуры Кюри и диэлектрической проницаемости кристалла в точке Кюри. Селективный характер эффекта предположительно связан с участием протонов водородных связей в спин-зависимых процессах трансформации дефектных комплексов реального кристалла.
Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю. Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля накристаллы триглицинсульфата // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1680

Впервые обнаружены гигантские пьезоэлектрический эффект и пьезоэлектрическая релаксация в структурах, состоящих из последовательно соединенных слоев сегнетоэлектрика и полимера. Одновременно возникают гигантские величины статических диэлектрических проницаемостей. Рассмотрены физические механизмы, ответственные за необычное поведение пьезоэлектрических и диэлектрических констант.
Радченко Г.С., Турик А.В. Гигантский пьезоэлектрический эффект вслоистых композитах сегнетоэлектрик--полимер // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1676

Описаны магнитные свойства образцов нанопористого углерода, в поры которых был введен никель. Показано, что в том случае, когда значительная доля Ni находится именно в нанопорах, образец при температурах T
Федосюк В.М., Данишевский А.М., Курдюков Д.А., Шуман В.Б., Гордеев С.К. Магнитные свойства кластеров никеля внанопористом углероде // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1667

Исследование спектра нелинейного двухфотонного и двухступенчатого поглощения в монокристалле NiO в области энергий homega1+homega2=2.45-4.575 eV показало, что он имеет сложную форму и состоит из пиков очень высокой интенсивности (от 0.05 до 2.7 cm/MW). В области энергий 2.45-3.3 eV спектр определяется переходами в d-d-состояниях иона Ni2+. Определена ширина запрещенной зоны Eg=3.466 eV. Выше этой энергии особенности спектра обусловлены межзонными переходами из трех валентных подзон на дно зоны проводимости. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований.
Шаблаев С.И., Писарев Р.В. Гигантское нелинейное поглощение вантиферромагнетике NiO // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1660

Экспериментально исследовано поведение гексагональной решетки цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) в тонких одноосных пленках ферритов-гранатов в температурном интервале от точки компенсации до температуры Нееля. Изучены два вида фазовых переходов первого рода в решетке ЦМД при изменении температуры: с сохранением общего числа доменов и с изменением их числа. Показано, что характер фазового перехода определяется зависимостью изменения характеристической длины пленки от температуры. Объяснение двух фазовых переходов дано с точки зрения существования в решетке ЦМД магнитостатического давления.
Мамалуй Ю.А., Сирюк Ю.А., Безус А.В. Решетки цилиндрических магнитных доменов вблизи точки компенсации // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1645

Показано, что магнитное упорядочение в магнетиках с целой величиной спинов ионов и достаточно большой величиной одноионной анизотропии типа легкая плоскость происходит в виде магнитного фазового перехода типа смещения. Параметром порядка при таких переходах является величина магнитной поляризации ионных состояний, которая возникает в точке фазового перехода спонтанным образом. Возникновение магнитоупорядоченного состояния в таких магнетиках происходит в результате конкуренции обменного взаимодействия и одноионной анизотропии. Работа частично поддержана грантами 1.4.1ВЦ/95 и 0102U002332 НАН Украины.
Калита В.М., Локтев В.М. Омагнитных фазовых переходах типа смещения при спиновом упорядочении вмагнетиках ссильной одноионной анизотропией // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 8, Стр. 1450