В рамках компьютерного эксперимента рассмотрен магниторефрактивный эффект в одномерном магнитофонном кристалле, точнее, в фотонном кристалле (ФК) (SiO2/Ta2O5), содержащем встроенный дефект в виде тонкого слоя магнитного нанокомпозита Co--(Al--O). Найдено строение элементарной ячейки ФК, при котор...
В рамках компьютерного эксперимента рассмотрен магниторефрактивный эффект в одномерном магнитофонном кристалле, точнее, в фотонном кристалле (ФК) (SiO2/Ta2O5), содержащем встроенный дефект в виде тонкого слоя магнитного нанокомпозита Co--(Al--O). Найдено строение элементарной ячейки ФК, при котором основная энергия поля сосредоточена в ближайших к дефекту ячейках ФК, что позволяет повысить добротность дефект-моды и за счет многократного прохождения света по дефекту увеличить магниторефрактивный эффект более чем на порядок по сравнению с тонкой пленкой на подложке и на два порядка по сравнению с толстыми пленками. При этом коэффициент отражения таких структур при приложении магнитного поля может достигать 60%. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16127 и 04-02-16830), гранта Ведущие научные школы НШ. 1694.2003.02, программы \glqq Университеты России\grqq и Фонда некоммерческих программ \glqq Династия\grqq и МЦФФМ. PACS: 42.70.-a, 78.20.Ls
Борискина Ю.В., Ерохин С.Г., Грановский А.Б., Виноградов А.П., Inoue M. Усиление магниторефрактивного эффекта вмагнитофотонных кристаллах // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 4, Стр. 674