Изучено термическое разрушение двумерных графитовых пленок (ДГП) на четырех подложках: Ni(111), Re(10-10), Ir(111), Pt(111). Показано, что во всех случаях лимитирующей стадией процесса является отрыв краевого атома углерода от островка. Оценена энергия активации этого процесса --- она изменяется от 2.5 eV на никеле до 4.5 eV на иридии. Природа этих изменений связана с большей или меньшей способностью поверхности металла устанавливать сильные хемосорбционные связи с валентно активными краями графитовых островков, ослабляющих C-C связи в графите.
Галль Н.Р., Лавровская Н.П., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Термическое разрушение двумерных графитовых островков на тугоплавких металлах (Ir, Re, Ni, Pt) // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 2, Стр. 105

Рассматривается вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) из алмазных пленок, выполненных в виде мембран толщиной 2.5-5 mum. ВЭЭ исследуется в двух режимах: в режиме \glqq на отражение\grqq, когда вторичные электроны выходят с поверхности мембраны, на которую падают первичные электроны, и в режиме \glqq на прострел\grqq, когда вторичные электроны выходят с поверхности, противоположной поверхности, на которую падают первичные электроны. Оценка коэффициента ВЭЭ производится на основе анализа поведения в твердом веществе электронов с энергией 0.1--30 keV. Показано, что в случае \glqq на отражение\grqq коэффициент ВЭЭ может быть более 100 при энергиях порядка 3 keV, а в случае \glqq на прострел\grqq он не превышает 5 даже при энергиях 30 keV. Для улучшения эмиссионных свойств мембран при работе \glqq на прострел\grqq предложен ряд конструкций, в частности пористые мембраны, которые позволяют получить характеристики, близкие к характеристикам при работе \glqq на отражение\grqq. Приведены экспериментальные результаты, согласующиеся с расчетными данными, и описана технология получения алмазных мембран, в том числе и пористых.
Гаврилов С.А., Дзбановский Н.Н., Ильичев Э.А., Минаков П.В., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Суетин Н.В. Усиление потока электронов с помощью алмазной мембраны // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 1, Стр. 108

Рассматривается нагретая поверхность металлического острия, к которой приложено сильное электрическое поле. При температурах, достаточных для активации поверхностной самодиффузии, на поверхности вырастают кристаллические наросты и мелкие микровыступы. Последние в случае приложения к эмиттеру положительного потенциала, оказываются источниками ионных потоков высокотемпературного полевого испарения. Рассматриваются условия существования на поверхности эмиттера большего или меньшего количества микровыступов, относительная устойчивость которых обеспечивается балансом между тремя потоками: диффузионным от вершины, диффузионным к вершине и потоком полевого испарения с вершины. Обсуждаются различные возможности реализации такого баланса. В десорбционном полевом ионном микроскопе микровыступы, испаряющие ионы, визуализируются как более или менее яркие пятна. На фоне хаотичного движения таких пятен выделяются упорядоченные циклические их перемещения: микровыступы выстраиваются в виде пунктирных колец вдоль контура развитых граней кристаллического эмиттера, а затем эти кольца стремительно \glqq схлопываются\grqq к центру грани. Впервые построена количественная теория этих циклических процессов, объясняющая \glqq замирание\grqq кольца перед схлопыванием и лавинно ускоряющийся после этого процесс самого схлопывания. Рассчитывалось распределение напряженности электрического поля вдоль поверхности в случае существования на ней нароста, и анализировались диффузионные потоки на разных стадиях его роста и растворения. Анализ результатов расчетов показал, что высота наростов относительно невелика, а их склоны сравнительно пологие.
Шредник В.Н., Глазанов Д.В., Конторович Е.Л. К теории динамических изменений поверхности во время высокотемпературного полевого испарения // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 9, Стр. 120

На основе механизма джоулева инициирования рассмотрено запаздывания пробоя в вакууме. Исследовано влияние материала катода на время запаздывания пробоя. Сформулирован критерий оптимальности кондиционирования электродов вакуумного промежутка. Показано, что реализация оптимальных режимов кондиционирования формирует поверхность катода с минимальным значением коэффициента усиления поля на ее микронеоднородностях, позволяя оценивать эмиссионные параметры поверхности катода, а также импульсную электрическую прочность вакуумной изоляции.
Емельянов А.А. Запаздывание пробоя в вакууме // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 9, Стр. 113

С помощью полевых эмиссионных методов изучалось одновременное воздействие сильных электрических полей и высоких температур на острийные полевые эмиттеры из сплава W--Hf. Для подобных сплавов выявлены в принципе те же стадии термополевого формоизменения, что и для чистых металлов, хотя и с рядом характерных особенностей, обусловленных поверхностной сегрегацией Hf. Термополевая обработка эмиттеров из таких сплавов приводила к существенному увеличению степени локализации эмиссии в узком телесном угле и к улучшению эмиссионных параметров эмиттеров. Термополевая обработка сопровождалась высокотемпературным полевым испарением с эмиссией преимущественно ионов Hf.
Голубев О.Л., Шредник В.Н. Термополевые формоизменения сплава вольфрам--гафний // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 6, Стр. 118

Целью настоящей работы явилось изучение особенностей переноса заряда вблизи порога перехода полимерных пленок в высокопроводящее состояние, индуцированного малым одноосным давлением. До сих пор не решен вопрос о том, каким образом изменяется энергетическая структура широкозонного органического диэлектрика вблизи этого порога. Были измерены и проанализированы вольт-амперные характеристики пленок полидифениленфталида разной толщины в зависимости от величины одноосного давления. Интерпретация полученных результатов проведена в рамках модели инжекционных токов, ограниченных объемным зарядом. Проведены оценки таких параметров инжекционной модели переноса, как концентрация равновесных электронов, подвижность электронов, степень заполнения ловушечных состояний и др. Анализ полученных оценок позволяет сделать вывод о том, что в запрещенной зоне полимера вблизи квазиуровня Ферми под влиянием избыточного заряда могут создаваться глубокие ловушечные состояния. В результате этого процесса, во-видимому, образуется узкая подзона, перенос по которой приводит к увеличению подвижности носителей заряда и проводимости.
Бунаков А.А., Лачинов А.Н., Салихов Р.Б. Исследование вольт-амперных характеристик тонких пленок полидифениленфталида // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 5, Стр. 104

Приведен анализ литературы по рентгеновской рефлектометрии. Возможности метода рентгеновской рефлектометрии продемонстрированы в процессе исследования лазерного испарения окисной пленки с поверхности кремния.
Петраков А.П. Метод рентгеновской рефлектометрии и его применение для исследования лазерного испарения окисной пленки с поверхности кремния // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 4, Стр. 129

Приведены результаты исследований влияния размера металлических частиц, плотности их распределения на поверхности керамики и типа керамики на различные характеристики металлокерамического (МК) катода для наносекундных ускорителей электронов. Показано, что МК катод имеет повышенную эмиссионную способность при относительно небольших значениях напряженности электрического поля в вакуумном диоде, что позволяет существенно обострить и увеличить ток пучка (мощность). Установлено, что имеется возможность управлять эмиссионными свойствами МК катода посредством изменения состава МК пластины.
Котов Ю.А., Соковнин С.Ю., Балезин М.Е. Исследования характеристик металлокерамического катода // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 4, Стр. 124

Приведены результаты сравнительного анализа поверхности электролитически осажденных пленок CoxCu100-x (x=8, 11 и 20 at%) толщиной до 1 mum и пленок толщиной до 0.2 mum, полученных осаждением продуктов распыления мишеней, составленных из электроосажденных пленок соответствующего состава, пучком ионов аргона. Использованы методы атомно-силовой микроскопии, растровой электронной микроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Данные последней свидетельствуют об отсутствии кобальта на поверхности электроосажденных пленок, о его наличии в объеме и на поверхности пленок, полученных ионным распылением, о менее существенных расхождениях в линиях фотоэлектронных спектров меди у пленок одного состава, полученных разными способами. Для объяснения полученных результатов предложена качественная модель, согласно которой процессы слияния субзерен основной медной компоненты в крупные образования с последующим приобретением ими на свободной поверхности вида островков правильной овальной формы способствуют миграции атомов кобальта со свободной поверхности в область приповерхностных пор. Наличие определенной доли высокоэнергетических частиц в потоке продуктов распыления мишеней и бомбардировка ими фронта поверхности роста пленок, полученных ионным распылением, сопровождается внедрением наиболее быстрых распыленных атомов кобальта в медную матрицу в виде точечных дефектов.
Стогний А.И., Корякин С.В., Новицкий Н.Н. Особенности перераспределения кобальта по поверхности пленок неоднородных сплавов кобальт--медь // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 4, Стр. 117

Изучалась закономерность кристаллографических фазовых переходов в перовскитовых структурах металлоксидов LaSrMnO при уменьшении (или увеличении) внутренних напряжений, создаваемых в процессе роста пленок (в интервале темеператур 450--730oC) и изменяющихся при последующем лазерном (KrF, УФ диапазона) облучении их. Показано, что с увеличением температуры синтеза имеет место фазовый переход ромбоэдрической структуры в орторомбическую при 650--670oC. Он обусловливает два типа температурных зависимостей электрического сопротивления: R(T)=const при T
Самойленко З.А., Окунев В.Д., Пушенко Е.И., Дьяченко Т.А., Черенков А., Gierlowski P., Lewandowski S.J., Abal'oshev A., Klimov A., Szewczyk A. Многообразие структурных форм в LaSrMnO, инициируемое условиями роста и лазерного облучения // ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 2, Стр. 118