Проведен сравнительный анализ компьютерного моделирования и аналитических теорий отражения легких ионов от поверхности твердых тел. Сравнение полученных результатов с экспериментальными данными показывает, что для правильного описания процесса отражения в области энергий от нескольких единиц до десятков килоэлектрон-вольт необходимо учитывать рассеяние на большие углы при столкновении налетающего иона с атомами твердого тела.
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2004. - № 5. - С. 33-36

Для характеристики поверхностной активности различных веществ и поверхностей с использованием нового метода нет необходимости определять традиционно применяемые для этого показатели – краевой угол смачивания и поверхностное натяжение. Оценка производится по количеству жидкости перемещаемой поверхностно активным веществом.

В изучении поверхностных явлений основными и единственными инструментально определяемыми показателями являются поверхностное натяжение и краевой угол смачивания. Эти показатели были введены более 200 лет назад, и каких либо новых изобретений в этой области больше не было. В университете разработан новый способ и прибор для определения поверхностной активности. Основу способа и прибора составляет применение видеокамер для фиксирования размера капли и изменений на поверхности слоя жидкости известной толщины от воздействия капли поверхностно-активного вещества (ПАВ). Зафиксированные изменения затем обрабатываются с помощью компьютерных программ и вычисляются показатели, которыми можно характеризовать поверхностно-активное вещество и свойства поверхности, на которой находится жидкость и саму жидкость. Определять поверхностное натяжение или краевой угол смачивания нет необходимости. Показателями поверхностной активности при использовании способа и прибора являются: 1. количество жидкости, которое может переместить один килограмм ПАВ. Величина этого показателя изменяется от десятков единиц до сотен тысяч единиц. Показатель может быть преобразован в единицы энергии, джоули. 2. количество жидкости, удерживаемое поверхностью в единицу времени вычисляется на основании первого показателя, дополняет характеристику ПАВ и может служить показателем характеристики поверхности и жидкости. 3. скорость распространения капиллярных и микроволн. Этот показатель дополняет два первых.

В газовом разряде оптогальваническим методом измерен коэффициент фотоэмиссии gammaph под действием резонансного излучения атомов гелия. Диапазон рабочих токов j/P2He от 2 до 1000 muA/cm2·Torr2 (j --- плотность тока, PHe --- давление газа) и напряженности поля на катоде E/N от 0.45 до 13 kTd (1 Td=10-17 V·cm2). До j/PHe2=10 muA/cm2·Torr2 наблюдается рост gammaph с дальнейшим насыщением на уровне gammaph=0.3±0.01. В отсутствие разряда gammaph=0.35±0.05. Сделан вывод о том, что эмиссионные свойства холодных катодов в газовом разряде определяются адсорбцией рабочего газа поверхностью катода и имплантацией рабочего газа в катод. С учетом этого пересмотрен вклад фотоэмиссии в ток разряда. Показано, что во всех благородных газах в нормальном и слабо аномальном разрядах при диаметре катода dc>> lc (lc --- длина области катодного слоя) разряд носит преимущественно фотоэлектронный характер. В легких благородных газах фотоэлектронный характер разряда сохраняется и для глубоко аномального разряда. С учетом имплантации атомов в катод рассчитана зависимость от энергии коэффициента gamma кинетической и потенциальной эмиссии для атомов гелия и проведено сравнение с имеющимися данными. Оценено влияние имплантации на величину gamma в вакууме. PACS: 79.60.-i
Бохан П.А., Закревский Дм.Э. Состояние поверхности и эмиссия электронов с холодных катодов в вакууме и в тлеющем разряде в благородных газах // ЖТФ, 2007, том 77, выпуск 1, Стр. 109

Фотоэлектрическим методом Фаулера и в условиях сверхвысокого вакуума изучены температурные и концентрационные зависимости работы выхода электрона (РВЭ) рубидия, цезия и их 9 сплавов на основе цезия. Показано, что политермы работы выхода электрона чистых компонентов и всех изученных сплавов с повышением температуры убывают по линейному закону. На основании полученных авторами экспериментальных данных сделан вывод, что концентрационная зависимость РВЭ бинарной системы Rb-Cs в пределах погрешности эксперимента (около 1%) имеет линейный, аддитивный характер. Наличие азеотропной точки на диаграмме фазового состояния изученной системы не находит отражения на концентрационной зависимости РВЭ. PACS: 61.80.Fe, 79.90.+b
Алчагиров Б.Б., Карамурзов Б.С., Сижажев Т.А., Таова Т.М., Архестов Р.Х. Работа выхода электрона сплавов рубидия на основе цезия // ЖТФ, 2006, том 76, выпуск 12, Стр. 89

С помощью времяпролетного атомного зонда и полевого эмиссионного микроскопа изучалось полевое испарение Ni, нихрома и карбида W при различных температурах T эмиттера. Рост T эмиттера не влияет на заряд испаряемых ионов, понижение заряда происходит вследствие соответствующего снижения величины напряженности испаряющего поля Fev. Если при изменении T величина Fev не меняется, остается неизменным и заряд ионов. При полевом испарении неоднокомпонентных эмиттеров, содержащих элементы с различными потенциалами ионизации, все элементы испаряются при одной и той же величине Fev как в виде атомарных, так и в виде кластерных ионов. Механизм такого испарения состоит в том, что первичное испарение более легко ионизуемого элемента приводит к понижению энергии связи более трудно ионизуемого до такой величины, когда и его испарение становится возможным при той же величине поля. PACS: 79.70.+q, 83.60.Np
Голубев О.Л., Логинов М.В. Влияние температуры эмиттера и потенциалов ионизации атомов эмиттера на процесс полевого испарения // ЖТФ, 2006, том 76, выпуск 9, Стр. 107

Изучено активирование острийных полевых эмиттеров с фуллереновым покрытием потоками атомов и ионов калия. Напыление атомарного калия позволяет снизить в 3.5-4 раза характерные напряжения U1, необходимые для получения фиксированного тока I полевой эмиссии. Однако полевые эмиттеры, активированные атомами калия, быстро дезактивируются, и результирующее снижение величины U1 после выдержки в вакууме не превышает 25-30%. Стабильного снижения характерных напряжений ориентировочно в два раза удается достичь, обработав фуллереновое покрытие потоком ионов калия. Повышенная эффективность активировки эмиттеров потоком ионов калия объяснена с учетом формирования в фуллереновом покрытии эндоэдральных (K@C60) и/или экзоэдральных (C60@K) молекул. PACS: 85.45.Db, 81.05.Tp
Тумарева Т.А., Соминский Г.Г., Бондаренко А.К., Веселов А.А., Светлов И.А. Активирование фуллереновых покрытий полевых эмиттеров потоками атомов и ионов калия // ЖТФ, 2006, том 76, выпуск 7, Стр. 81

Рассмотрена эволюция кластеризованной структуры в аморфных пленках LaSrMnO с повышением температуры роста от 20 до 300oC. Показано, что при этом имеют место два фазовых перехода типа порядок-беспорядок, различающиеся масштабным параметром. Один из них --- формирование мелких (~20 Angstrem) аморфных кластеров из неупорядоченно расположенных атомов при Ts=100oC, что проявляется в экстремальном увеличении интенсивности диффузного рассеяния рентгеновских лучей в виде гало 1 при уменьшении до минимальной интенсивности некогерентного рассеяния (фона). Повышение температуры до Ts=150oC приводит к доминированию процессов разупорядочения (Iincoh=Imax), предшествующих второму фазовому переходу (Ts=250-300oC) --- новому этапу упорядочения структуры, при котором из крупных (>100 Angstrem) кристаллических кластеров формируется кристаллическая фаза (переход аморфное состояние-кристалл) с появлением дебаевских линий при одновременном ослаблении интенсивности гало. Показано, что структурный фазовый переход, приводящий к формированию дальнего порядка, сопровождается уменьшением удельного сопротивления образцов LaSrMnO от 1010 до 101 Omega·cm с изменением механизма проводимости от свойственного гранулированным системам туннельного механизма с участием металлических кластеров до прыжкового с переменной длиной прыжка, соответствующего закону Мотта: rho~exp(T-1/4). В магнитной подсистеме происходит переход от парамагнитного состояния к ферромагнитному. PACS: 68.48.Jk
Самойленко З.А., Окунев В.Д., Пушенко Е.И., Пафомов Н.Н., Szymczak R., Baran M., Lewandowski S.J. Фазовые переходы в атомной, электронной и магнитной подсистемах пленок LaSrMnO с изменением температуры роста // ЖТФ, 2006, том 76, выпуск 6, Стр. 111

Исследована математическая модель, описывающая туннельный ток электронов с поверхности металла, столкновения атомных частиц с которой вызывают электронное возбуждение твердого тела. PACS: 79.90.+b
Разин А.В., Харламов В.Ф. Холодная эмиссия горячих электронов // ЖТФ, 2006, том 76, выпуск 5, Стр. 118

Тонкие пленки 4-кватерфенила (4-QP) осаждались термически в условиях высокого вакуума на поверхности поликристаллического золота и окисленного кремния. Структура незаполненных электронных состояний, расположенных 5-20 eV выше уровня Ферми (EF), и потенциал поверхности регистрировались в процессе осаждения пленки посредством падающего пучка низкоэнергетических электронов в соответствии с методом спектроскопии полного тока (TCS). Электронная работа выхода поверхности изменялась за счет изменения состава поверхностного слоя в процессе нанесения пленок и достигла стабильного значения 4.3±0.1 eV при толщине 4-QP пленок 8-10 nm. Плотность валентных электронных состояний (DOS) и плотность незаполненных электронных состояний (DOUS) были рассчитаны для модельных пленок 4-QP с помощью метода присоединенных плоских волн (LAPW) в приближении обобщенного градиента (GGA) теории функционала плотности (DFT). В модельной структуре 4-QP минимальное расстояние между атомами углерода соседних 4-QP молекул было выбрано 0.4 nm для того, чтобы было возможно полагать межмолекулярное взаимодействие достаточно слабым. Такое межмолекулярное взаимодействие также характерно для неупорядоченных пленок 4-QP, исследованных экспериментально. Было обнаружено хорошее соответствие между DOUS пленок 4-QP, полученной экспериментально на основе TCS измерений, и DOUS пленок 4-QP, рассчитанной теоретически. PACS: 73.21.-b
Комолов А.С. Незаполненные электронные состояния пленки олигомера кватерфенила и ее интерфейса с поверхностями золота и окисленного кремния // ЖТФ, 2006, том 76, выпуск 3, Стр. 70