Исследуется кинетика эмиссии ионов щелочных металлов с поверхности металлов, прогретых до температуры 800--2500 K. Релаксация ионного тока описывается функцией I=Ae-Bsqrt(t)sqrt. После релаксации эмиссия ионов восстанавливается воздействием на поверхность H2O при комнатной температуре. Обсуждается природа явления.
Баткин В.И., Савченко О.Я. Низкотемпературная ионная эмиссия // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 5, Стр. 91

Тонкие пленки полиимида были имплантированы ионами Ar+ и Ar2+ с энергиями 40 и 80 keV соответственно в широком интервале доз 2.5· 1014-1.5· 1017 cm-2 и плотностей ионного тока 1-16 muA/cm2. Изучено влияние режимов ионной имплантации на электрические, парамагнитные и оптические характеристики приповерхностного слоя полимера, модифицированного ионным облучением. Показано, что эффект радиационно-стимулированного термолиза полиимида и особенности его химического строения обусловливают монотонный рост электропроводности облученного слоя с увеличением плотности ионного тока при заданной дозе имплантации. Напротив, при неизменной плотности ионного тока с увеличением дозы имплантации наблюдается скачкообразный характер роста электропроводности, а также снижение концентрации парамагнитных центров и оптического пропускания модифицированного слоя полиимида. Наблюдаемые зависимости электрофизических характеристик полимера от дозы имплантации и плотности тока интерпретируются в рамках модели структурной перестройки карбонизированной фазы полимера, формируемой в условиях ионного облучения.
Попок В.Н., Азарко И.И., Хайбуллин Р.И. Влияние высоких доз имплантации и плотности ионного тока на свойства пленок полиимида // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 4, Стр. 88

Представлены результаты экспериментального исследования нового явления --- индуцированного медью образования сверхтвердых структур с микротвердостью от 2· 1010 до 5· 1010 Pa в приповерхностном слое чугуна при лазерной обработке поверхности серого чугуна, покрытого тонким слоем индуктора-меди. Показано, что под воздействием меди происходят насыщение приповерхностного слоя чугуна углеродом и образование глобулярного (и даже сферического) по форме углерода. Проведен элементный анализ и получен спектр комбинационного рассеяния глобул углерода. На основании анализа спектров и сопоставления их со спектрами других структур углерода обоснована идея, в соответствии с которой при лазерной обработке поверхности чугуна графит в приповерхностном слое чугуна превращается в пироуглерод, обладающий высокой твердостью. Высказаны соображения о возможном механизме этого процесса.
Козлов Г.И. Образование сверхтвердых структур и фазовые превращения углерода, происходящие в приповерхностном слое чугуна при лазерном воздействии // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 4, Стр. 81

При исследовании фуллереновых покрытий острийных полевых эмиттеров в автоэмиссионном проекторе было обнаружено формирование специфическиx упорядоченных структур на изображении эмиттера в форме дуплетов, квадруплетов, колец дисков и т. п. Были определены закономерности возникновения упорядоченных картин указанного типа и их связь с эмиссией микрообразований из молекул C60. Проанализированы возможные объяснения формирования упорядоченных эмиссионных изображений на основе существующих литературных данных и полученных экспериментальных результатов. Предложено уточнение модели автоэмиссии с поверхности микрообразований, учитывающее внутреннее отражение электронных волн от их границ.
Тумарева Т.А., Соминский Г.Г., Поляков А.С. Формирование микрообразований с упорядоченной структурой эмиссии в фуллереновых покрытиях полевых эмиттеров // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 2, Стр. 111

Изучены закономерности формирования и характеристики фуллереновых покрытий на поверхности острийных полевых эмиттеров из вольфрама, а также эмиттеров со сформированным на их поверхности ребристым кристаллом. Выявлено влияние электрических полей и термической обработки на структуру и эмиссионные характеристики фуллереновых покрытий. Разработаны и испытаны способы создания на поверхности покрытий микровыступов, существенно усиливающих поле. Продемонстрирована возможность создания эмиттеров с одиночным микровыступом, обеспечивающим плотности тока эмиссии до 106-107 A/cm2, а также фуллереновых покрытий в виде распределенной микрокластерной структуры, обеспечивающих в статическом режиме токи с одиночного микронного острия свыше 100 muA.
Тумарева Т.А., Соминский Г.Г., Ефремов А.А., Поляков А.С. Острийные полевые эмиттеры с фуллереновым покрытием // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 2, Стр. 105

Предложен метод получения композитных металл-углеродных покрытий, основанный на магнетронном распылении мозаичных катодов. В качестве катода использованы металлы IV, V и VI групп. Для каждого случая проведена компьютерная оптимизация мозаичных элементов катода. Электронная дифракция на отражение показала, что покрытия имеют аморфную и нанокристаллическую структуру. Эти структуры термически стабильны, а покрытия характеризуются особыми физическими свойствами, в особенности низким коэффициентом трения и высокой твердостью.
Ширяев С.А., Атаманов М.В., Гусева М.И., Мартыненко Ю.В., Митин А.В., Митин В.С., Московкин П.Г. Получение и свойства композиционных покрытий на основе металл--углерод с нанокристаллической структурой // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 2, Стр. 99

Экспериментально исследуется распределение намагниченности в эпитаксиальных пленках феррит-гранатов под действием гармонического поля сигнала магнитной ленты. Средствами обработки изображений и анализа спектра дифракции показано, что увеличение амплитуды и периода поля обусловливает рост искажений формы отображаемого сигнала.
Вишневский В.Г., Михерский Р.М., Дубинко С.В. Отображение неоднородных магнитных полей пленками феррит-гранатов // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 2, Стр. 96

Анализируется связь между энергией ионизации атомов I и работой выхода phi металлов, построенных из этих атомов. Энергия перехода Sigma=I-phi представляется в виде суммы кинетической K и кулоновской C составляющих. Вклад K рассчитывается в рамках модели однородного газа квазисвободных электронов, затем C определяется по экспериментальным значениям Sigma. Расчеты, проведенные для широкого круга металлов, показали, что безразмерные коэффициенты, определяющие величину кулоновского вклада C, мало отличаются для различных групп металлов. Полученные соотношения применены к описанию работы выхода бинарных сплавов.
Давыдов С.Ю. О соотношении потенциала ионизации и работы выхода: металлы // ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 1, Стр. 96

Представлены результаты исследования углеродных пленок, осаждавшихся с использованием газофазной химической реакции в плазме разряда постоянного тока. Пленки, полученные при различных параметрах процесса осаждения, отличались по структуре и фазовому составу в широких пределах: от поликристаллического алмаза до графитоподобного материала. Сравнительное исследование структуры и фазового состава пленок с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния света, катодолюминесценции, электронной микроскопии и дифрактометрии, а также их автоэлектронных эмиссионных свойств показало, что пороговое значение напряженности электрического поля, при котором наблюдается электронная эмиссия, уменьшается с уменьшением размеров алмазных кристаллитов и ростом доли неалмазного углерода. Наиболее низкие пороговые значения поля (менее 1.5 V/mum) были получены для пленок, состоящих в основном из графитоподобного материала. На основе представленных экспериментальных фактов предлагается модель, объясняющая механизм автоэлектронной эмиссии в углеродных материалах.
Образцов А.Н., Павловский И.Ю., Волков А.П. Автоэлектронная эмиссия в графитоподобных пленках // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 11, Стр. 89

Обнаружены инициированные атомарным водородом выбросы вещества с поверхности твердых тел (ZnS, Ni), предварительно обработанных диссоциированным углекислым газом. Наблюдались свечение кристаллофосфора и динамический эффект реакции в среде диссоциированного углекислого газа. Обнаружено изменение динамического эффекта реакции, не связанное с изменением ее скорости. Эти эффекты использованы при изучении механизма гетерогенной рекомбинации радикалов на поверхности твердых тел (Al2O3, ZnS, Ni), помещенных в среду диссоциированного углекислого газа. Установлено: в условиях опытов скорость реакции не зависит от концентрации хемосорбированных радикалов, что обусловлено протеканием реакции с участием радикалов, захваченных в предадсорбционное состояние (precursor state) с малым временем жизни на поверхности.
Харламов В.Ф., Фроленкова Л.Ю., Рогожина Т.С. Рекомбинация предадсорбированных радикалов на поверхности твердых тел в среде диссоциированного углекислого газа и сопутствующие эффекты // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 10, Стр. 90