Проводится совместный анализ низкоэнергетических спектров полного тока (СПТ) и вторичной электронной эмиссии (ВЭС) на начальной стадии формирования серебряного покрытия на поверхности W(110). Показана связь особенностей, наблюдаемых в спектрах, с энергетической структурой плотности вакантных состояний, расположенных выше уровня вакуума. Динамика изменения особенностей в СПТ с увеличением толщины пленки свидетельствует, что на начальном этапе серебряное покрытие характеризуется ориентацией Ag(111), а по мере увеличения толщины преобладающей становится ориентация Ag(110).
Новолодский В.А., Артамонов О.М., Комолов С.А. Проявление незаполненных электронных состояний в спектрах полного тока серебра // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 7, Стр. 99

Для сильноточного планарного диода с дискретной эмиссионной поверхностью получена зависимость величины тока от размера эмиттеров. Показано, что если расстояние между эмиттерами значительно превышает их размер, зависимость тока от отношения размера эмиттера к величине диодного зазора является степенной с показателем 3/2. При этом зависимость тока от напряжения подчиняется закону "трех вторых" до более высоких напряжений, чем в случае плоского диода с однородной эмиссионной поверхностью.
Беломытцев С.Я., Коровин С.Д., Пегель И.В. Ток в сильноточном планарном диоде с дискретной эмиссионной поверхностью // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 6, Стр. 97

Дана теоретическая интерпретация тонкой структуры (ТС) спектра вторично-электронной эмиссии (СВЭЭ) Ir по нормали к поверхности (111) и спектра полного тока (СПТ) поликристалла Ir. В расчетах учитывались энергетическая зависимость уширения зонных уровней энергии, электрон-электронный и электрон-плазмонный вклады в функцию распределения неравновесных электронов, изотропная компонента тока от электронов, рассеянных на поверхности. Показано, что ТС СВЭЭ и СПТ обусловлена главным образом электронным строением конечных состояний, в которые попадают электроны или из которых происходит их эмиссия, что позволяет непосредственно восстанавливать особенности расположения зон в энергетической зонной структуре из данных эксперимента. Развиваемый метод позволяет отделить объемные эффекты в СВЭЭ и СПТ от поверхностных. Подтверждена зависимость ТС СВЭЭ и СПТ от геометрической структуры и степени упорядоченности кристаллов. При этом ослабление интенсивности ТС служит мерой дефектности в приповерхностной области образца, что может успешно применяться для контроля состояния поверхности в процессе обработки.
Панченко О.Ф. Методы расчета зонной структуры и низкоэнергетическая вторично-электронная спектроскопия иридия // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 6, Стр. 94

Изучена роль начального состояния адатомов в формировании зарядового состава потока распыленных частиц. Расчеты проделаны для атомов щелочных металлов, адсорбированных на поверхности вольфрама и испытывающих взаимное диполь-дипольное отталкивание. Показано, что с ростом поверхностной концентрации адатомов вероятность выхода положительных ионов уменьшается, причем учет начального состояния адатомов усиливает этот эффект.
Давыдов С.Ю. О влиянии начального состояния адатомов на соотношение атомов и ионов в потоке распыляемых частиц // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 5, Стр. 116

Предложен новый метод определения теплопроводящих свойств алмазных пленок, основанный на фотоакустическом эффекте. С использованием этого метода исследованы алмазные поликристаллические пленки, выращенные на кремнии путем газофазного химического осаждения в плазме СВЧ разряда. Полученная величина коэффициента теплопроводности оказалась примерно вдвое ниже, чем в монокристаллическом алмазе.
Образцов А.Н., Павловский И.Ю., Ральченко В.Г., Окуши Х., Ватанабе Х. Определение теплопроводности алмазных поликристаллических пленок с помощью фотоакустического эффекта // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 4, Стр. 97

Исследовалась модификация поверхности арсенида галия во время облучения тяжелыми ионами цезия Cs+ путем измерения распределения высот поверхностей образцов атомно-силовым микроскопом. Наблюдалось как увеличение, так и уменьшение интегрального параметра sigma-среднеквадратичной высоты. Установлено, что в латеральном диапазоне 1-100 nm шероховатость поверхности арсенида галия увеличивается для всех исследуемых образцов. Анализ структурной функции позволил оценить характерные латеральные размеры поверхностных структур, возникающих в процессе ионного травления.
Меркулов А.В., Меркулова О.А. Влияние процесса ионного распыления на статистические характеристики поверхности // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 2, Стр. 107

Описан простой прибор для визуализации атомного строения поверхностных слоев путем регистрации максимумов фокусировки в пространственном распределении электронов с энергией 1-3 keV, отраженных от исследуемого образца с потерями энергии до ~300 eV. Его основу составляют широкоугольный энергоанализатор тормозящего поля с микроканальным усилителем потока электронов и видеосистема для сбора и обработки информации, обеспечивающая получение данных со скоростью до 50 распределений в секунду, что позволяет изучать в динамике структурные перестройки в приповерхностной области толщиной примерно 15Angstrem. При этом малый ток пучка первичных электронов (0.1 muA) сводит к минимуму электронно-стимулированные воздействия на исследуемый объект.
Пронин И.И., Валдайцев Д.А., Гомоюнова М.В., Фараджев Н.С., Банщиков А.Г. Прибор для визуализации атомной структуры поверхностных слоев на основе эффекта фокусировки электронов // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 12, Стр. 80

Получены и проанализированы выражения для температурных коэффициентов частот магнитостатических волн в касательно намагниченных ферритовых пленках, обладающих кубической анизотропией. Показано, что в случаях, когда кубическая ось лежит в плоскости пленки, для термостабилизации частот можно использовать температурные изменения внешнего поля как по величине, так и по направлению. Рассмотрена задача двухчастотной термостабилизации. Приведены результаты экспериментальных исследований температурных характеристик волн намагниченности в касательно намагниченной пленке железо-иттриевого граната с поверхностью {100}.
Шагаев В.В. Влияние кубической анизотропии на температурные характеристики магнитостатических волн в ферритовых пленках, намагниченных в плоскости // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 10, Стр. 99

На примере однородно намагниченной пленки ромбического антиферромагнетика изучены аномалии эластообменной спиновой динамики ограниченного магнетика, индуцированные влиянием обменных граничных условий.
Тарасенко С.В. Эффекты поверхностной магнитной анизотропии в эластообменной спиновой динамике тонких магнитных пленок // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 8, Стр. 110

Исследуются начальные стадии роста пленок и покрытий методом химического газофазного осаждения. Получена система уравнений, описывающая процесс эволюции островковой пленки на стадии оствальдовского созревания в условиях, характерных для процесса газофазного осаждения. Решение данной системы позволило получить зависимости всех основных характеристик островковой пленки (функцию распределения островков по размерам, зависимости среднего радиуса и плотности островков) как функции времени и пространственной координаты. Даны рекомендации по получению пленок с заранее заданными свойствами.
Григорьев Д.А., Кукушкин С.А. Механизмы и кинетика начальных стадий роста пленок, выращиваемых методом химического газофазного осаждения // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 7, Стр. 111