Исследована кинетика сорбции водорода из атомарной фазы тремя типами графитов: пиролитическим, квазимонокристаллическим и техническим графитом РГТ. Показано, что процессы сорбции водорода из атомарной фазы и последующей термодегазации для всех трех типов графита имеют примерно одинаковый характер. Термодесорбционные спектры, получаемые в процессе линейного нагрева насыщенного образца, имеют вид кривых с двумя максимумами. С учетом ряда особенностей кинетики термодесорбции, наблюдающихся при остановке линейного нагрева образца, предложена математическая модель, в соответствии с которой в толще графита присутствует два типа ловушек с энергиями связи 2.4 и 4.1 eV. Рассмотрена физическая интерпретация данной модели.
Денисов Е.А., Компаниец Т.Н. Взаимодействие графита с атомарным водородом // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 2, Стр. 111

Собраны и проанализированы экспозиционные характеристики, полученные при выращивании различных пленок на естественных, с низкими индексами Миллера поверхностях некоторых кристаллов. Построена эволюционная терия, объясняющая их характерный вид. Показано, что наблюдаемая форма дозовых характеристик говорит о реконструкции, неравновесном структурном фазовом переходе, происходящем на поверхности. Проведен количественный анализ существующих экспериментов. В частности, получена количественная оценка того, в какой степени покрытие свинцом замедляет окисление никелевой поверхности. При интенсивном световом или при электронном облучении кремния преимущественными центрами образования точечных и протяженных радиационных дефектов, а также локальных областей плавления являются дивакансии. Для некоторых двумерных систем (дивакансий, атомов серы на поверхностях пассивированных полупроводников, оксидных пленок) определены времена задержки и времена эволюции возникающей самоорганизованной структуры.
Войтенко В.А. Процессы в открытых системах на поверхностях кристаллов с низкими индексами Миллера // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 2, Стр. 105

Предложена последовательная схема вычисления проводимости и других эффективных характеристик модельного композита с регулярной анизотропной структурой --- двумерной системы с включениями круговой формы, образующими прямоугольную решетку. Для электрического потенциала и эффективного тензора проводимости \hat sigmae найдены точные выражения в виде бесконечных рядов. В случае малой концентрации включений из общих формул получено вириальное разложение для \hat sigmae и выяснены условия его применимости. Для изотропной модели (квадратная решетка) первые члены этого разложения воспроизводят известный результат Рэлея.
Балагуров Б.Я., Кашин В.А. О проводимости двумерной системы с двоякопериодическим расположением круговых включений // ЖТФ, 2001, том 71, выпуск 1, Стр. 106

С применением методов полевой электронной микроскопии изучены островки двумерной фазы гафния в области граней (100) вольфрама и их террас. Для островков измерена энергия двумерной сублимации, оказавшаяся равной 6.1±0.5 eV. Островки обнаруживали существенный эффект усиления полевой электронной эмиссии с температурой, значительно превышавший теоретически ожидаемый. Отрицательный температурный коэффициент изменения varphi alphaT для островков составил по величине 4-6· 10-4 eV · grad-1 или более, тогда как для вольфрама было получено alphaT=2· 10-5 eV · grad-1.
Голубев О.Л., Судакова Т.И., Шредник В.Н. Температурная зависимость работы выхода островков гафния на вольфраме // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 12, Стр. 67

Методами электронографии и электронной оже-спектроскопии исследованы фазовые превращения в системе титан-кремний при обработке в азотводородной плазме. Определены оптимальные режимы формирования тонких пленок TiN на кремнии. Показано, что имеют место уменьшение высоты барьера Шоттки и увеличение практически на порядок пробивного напряжения контактов, обработанных азотводородной плазмой, по сравнению с исходными образцами. Установлены зависимости электрофизических свойств контактов от параметров обработки азотводородной плазмой.
Чапланов А.М., Щербакова Е.Н. Изменение фазового состава и электрофизических свойств контакта титан-кремний при облучении азотводородной плазмой // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 10, Стр. 102

Природные алмазы типа IIa исследовались методами фотопроводимости на сверхвысоких частотах и постоянном токе, оптического поглощения при нормальных условиях, а также тока фотоэмиссии в вакуум (~ 10-5 Pa). Предложена модель СВЧ фотопроводимости алмаза (материала с отрицательным электронным сродством поверхности к электрону), учитывающая как внутренний, так и внешний фотоэффект.
Захаров А.Г., Поклонский Н.А., Вариченко В.С. Сверхвысокочастотная фотопроводимость левитирующих над природным алмазом электронов // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 10, Стр. 95

Предложен метод расчета процессов распыления металла в виде больших нейтральных и заряженных кластеров с числом атомов N<=5 при ионной бомбардировке, основанный на простых физических предположениях и находящийся в неплохом согласии с экспериментом. В качестве примера рассчитаны степени и коэффициенты ионизации, а также относительные выходы кластеров в зависимости от числа атомов в составе кластеров при бомбардировке различных металлов (Ag, Nb и Ta) однозарядными ионами Ar+1 и Au-1. Развит флуктуационный механизм формирования зарядового состава больших кластеров, позволящий описать зависимости зарядовых распределений от размеров кластеров и температуры мишени.
Матвеев В.И. Эмиссия заряженных кластеров при ионном распылении металла // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 8, Стр. 108

Рассмотрена задача о нахождении равновесной атомной структуры нагруженного внешней силой нанотрибоконтакта, образованного жестким зондом, имеющим форму параболоида вращения, с мягкой поверхностью, моделируемой совокупностью параллельных атомных плоскостей. Проведены расчеты структурных, энергетических и силовых характеристик, а также диссипативной силы статического адгезионного трения в зависимости от величины нормальной нагрузочной силы и радиуса кривизны зонда для системы алмаз-графит. Использованы несколько аппроксимаций межатомных потенциалов. Показано, что учет деформации контактной зоны приводит к уменьшению сил адгезионного трения в области растягивающих (отрицательных) нагрузок. При положительных нагрузках в диапазоне 0--80 nN характер изменения сил трения (при учете деформации) зависит от радиуса кривизны зонда и типа применяемой аппроксимации потенциала взаимодействия. Зависимость сил трения от радиуса кривизны зонда приблизительно прямо пропорциональная. Проводится сопоставление результатов расчета с имеющимися экспериментальными данными.
Дедков Г.В., Дышеков М.Б. Деформация зоны контакта и адгезионное трение между зондом сканирующего фрикционного микроскопа и атомарно-гладкой поверхностью // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 7, Стр. 96

Изучено влияние термического отжига на свойства углеродных пленок, осажденных на никелевых электродах электрохимическим методом. Показано, что отжиг при температуре 300oC приводит к образованию наноразмерных кластеров алмаза. При увеличении температуры отжига размеры алмазных кластеров уменьшаются. При температуре отжига 900oC весь углерод взаимодействует с никелем, образуя карбид никеля.
Дымонт В.П., Самцов М.П., Некрашевич Е.М. Влияние термического отжига на спектральные свойства электролитически осажденных углеродных пленок // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 7, Стр. 92

Исследована электронная эмиссия, индуцированная рентгеновским излучением во вторично-эмиссионных пористых материалах.
Шихалиев П.М. Электронная эмиссия, индуцированная рентгеновским излучением во вторично-эмиссионных пористых материалах // ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 3, Стр. 52