Рассчитаны поверхности постоянной силы при сканировании острия АСМ в режиме сил отталкивания над решеткой плотной упаковки атомов. Показано, что при достаточно малых начальных высотах сканирования острия с одним атомом на кончике имеют место разрывы поверхностей постоянной силы в областях между атомами поверхностной решетки. Построена кластерная модель кончика острия, обеспечивающая непрерывность сканирования при произвольных начальных высотах. Исследована зависимость АСМ изображений решетки плотной упаковки атомов, как невозмущенной, так и содержащей точечные дефекты, от ориентации кластера на кончике острия относительно кристаллографических осей поверхности. Обсуждены диагностические возможности полученных результатов.
Благов Е.В., Климчицкая Г.Л., Лобашев А.А., Мостепаненко В.М. О моделировании поверхностей постоянной силы над решеткой плотной упаковки атомов в режиме сил отталкивания // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 6, Стр. 77

Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) используется для формирования изменений рельефа поверхности пленок диоксида татана, содержащих адсорбированные ионы серебра. В результате воздействия коротких импульсов амплитудой <=15 В, подаваемых на зонд СТМ, находящийся в режиме туннельного тока, на поверхности пленки образуются структуры размером ~10 нм, состоящие предположительно из частиц серебра.
Порошков В.П., Гурин В.С. Формирование локализованных серебряных центров на поверхности пленок диоксида титана при помощи сканирующего туннельного микроскопа // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 6, Стр. 72

В рамках релаксационной модели электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) рассмотрено влияние температуры на выход десорбированных ионов и вычислен соответствующий температурный коэффициент. Результаты теории применены для объяснения экспериментальных данных по ЭСД ионов лития и натрия с поверхности вольфрама, покрытого монослоем кремния.
Давыдов С.Ю. Влияние температуры на выход ионов, десорбированных вследствие электронных переходов: релаксационная модель // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 5, Стр. 109

С помощью метода, основанного на использовании меридианального интенсивностного магнитооптического эффекта, исследованы петли гистерезиса на разных сторонах тонких кобальт-никелевых пленок, напыленных под изменяющимся углом на подложку из полиэтилентерефталата. На основе сравнения магнитных свойств пленок на их разных сторонах и в объеме установлено, что эти свойства непрерывно изменяются по толщине. Коэрцитивная сила всегда выше на той стороне пленок, на которой угол напыления больше. Различие магнитных характеристик на разных сторонах пленок усиливается при увеличении их толщины.
Дун Инби, Зубов В.Е., Перов Н.С. Исследование статических магнитных характеристик неоднородных по толщине CoNi пленок // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 3, Стр. 63