Рассмотрено черенковское излучение обобщенных волн Свихарта при медленном движении вихря Абрикосова--Джозефсона (АД), отвечающего 2pi-кинку разности фаз куперовских пар по разные стороны туннельного перехода. Определена сила радиационного трения, действующая на такой вихрь. Найдена скорость стационарного движения вихря, устанавливающаяся в результате компенсации ускоряющего влияния на вихрь постоянной плотности электрического тока через джозефсоновский переход и радиационного торможения вихря, обусловленного черенковским излучением вихря АД.
Силин В.П., Студенов А.В. Черенковское излучение вихря Абрикосова--Джозефсона // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 3, Стр. 444

В адиабатическом приближении изучаются двумерный и трехмерный биполяроны большого радиуса, симметризованные по координатным частям двухцентровых волновых функций с учетом динамических межэлектронных корреляций. Построены линии адиабатических потенциалов. Показано, что как в двумерном, так и в трехмерном случаях квазимолекулярная конфигурация, проявляющаяся в приближении Хартри--Фока, неустойчива. Основным состоянием является одноцентровая конфигурация. Приведены оценки энергии связи и теплоты диссоциации биполярона.
Байматов П.Ж., Хабибуллаев П.К. Взаимодействие поляронов в двух и трех измерениях // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 3, Стр. 441

В рамках самосогласованной теории локализации, обобщенной в направлении учета эффектов электрон-электронного взаимодействия, численными методами исследуется частотное поведение обобщенного коэффициента диффузии как в металлической, так и в диэлектрической областях. Рассматривается поведение одночастичной плотности состояний вблизи перехода металл--диэлектрик. Вычисление одночастичной плотности состояний проводится с учетом влияния эффектов электрон-электронного взаимодействия на обобщенной диффузии.
Кучинский Э.З., Эркабаев М.А. Переход металл--диэлектрик в самосогласованной теории локализации с учетом эффектов электрон-электронного взаимодействия // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 3, Стр. 412

Развит метод выхода за рамки однозонного приближения с учетом рассеяния на кластерах. Метод основан на кластерном разложении для усредненной функции Грина сплава. Показано, что вклады процессов рассеяния убывают с увеличением числа частиц в кластере по некоторому малому параметру. В приближении диагонального беспорядка в многозонной s-d-модели проведены числовые исследования особенностей электронной структуры и электропроводности упорядочивающихся сплавов.
Кулиш Н.П., Репецкий С.П., Лень Е.Г., Пастушенко Т.С. Плотность электронных состояний и электропроводность упорядочивающихся сплавов. Выход за рамки однозонного приближения с учетом рассеяния на кластерах // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 3, Стр. 401

Вычислена плотность одноэлектронных состояний на уровне Ферми с учетом слабых кулоновских корреляций зонных электронов в модели сверхпроводимости с перекрывающимися широкой и плоской зонами. Получена зависимость температуры сверхпроводящего перехода от допирования.
Медведев М.Д. Сверхпроводимость в модели с перекрывающимися широкой и плоской зонами // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 2, Стр. 237

Сообщается об обнаружении сверхпроводимости SnSe с Tc около 4.5 K при давлениях, превышающих величину 58 GPa. Делается предположение, что сверхпроводящая модификация высокого давления имеет структуру типа CsCl.
Тимофеев Ю.А., Виноградов Б.В., Бегоулев В.Б. Сверхпроводимость селенида олова при давлении до 70 GPa // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 2, Стр. 236

Проанализировано влияние взаимодействия вихрей Абрикосова с намагниченностью на продольную вихревую неустойчивость в слоистой структуре ферродиэлектрик--сверхпроводник второго рода. Показано, что в окрестности ориентационного фазового перехода в магнетике, где поперечная магнитная восприимчивость велика, величина продольного критического тока в структуре может быть почти в 1.5 раза меньше, чем в изолированном сверхпроводнике. Причиной этого является компенсация источников поля рассеяния вне сверхпроводника "магнитными зарядами", возникающими из-за скачка поперечной намагниченности на поверхности магнетика. Рассматривается структура со сверхпроводником, толщина которого значительно превышает лондоновскую глубину проникновения магнитного поля и длину волны критической моды, поэтому (ввиду отсутствия качественных массивных высокотемпературных сверхпроводников) для экспериментального исследования описанного явления следует использовать традиционные низкотемпературные сверхпроводники.
Беспятых Ю.И., Василевский В., Харитонов В.Д. Продольный критический ток в структуре феррит--сверхпроводник второго рода // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 2, Стр. 231

Предложена методика измерения эффективности экранирования переменного магнитного поля сверхпроводящими пленками с применением полосковой линии в качестве источника переменного магнитного поля в широкой области частот. Исследована зависимость эффективности экранирования переменного магнитного поля пленками YBCO и монокристаллами BiSrCaCuO от температуры и частоты изменения магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости образца, в интервале частот от 104 до 109 Hz. Показано, что зависимость эффективности экранирования от температуры и частоты изменения магнитного поля существенно зависит от метода изготовления пленок.
Бурбаев Т.М., Калюжная Г.А., Курбатов В.А., Ноздрин В.С., Пенин Н.А. Экранирование переменного магнитного поля пленками и монокристаллами высокотемпературных сверхпроводников // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 2, Стр. 228

Исследованы особенности формирования эпитаксиальных гетероструктур, включающих тонкие пленки YBa2Cu3O7-delta и SrTiO3, на R-плоскости сапфира. Тонкий слой CeO2 и эпитаксиальная комбинация CeO2/SrBi2Nb2O9 были использованы в качестве буферных прослоек. Существенные различия наблюдались в температурных зависимостях varepsilon для пленки SrTiO3 в случае конденсаторных структур YBa2Cu3O7-delta/SrTiO3/YBa2Cu3O7-delta и Ag/SrTiO3/YBa2Cu3O7-delta. Двухкратное уменьшение varepsilon в пленке SrTiO3 наблюдалось при приложении внешнего напряжения смещения Ub=±2.5 V в случае плоскопараллельной конденсаторной структуры YBa2Cu3O7-delta/SrTiO3/YBa2Cu3O7-delta (T
Бойков Ю.А., Иванов З.Г., Клаесон Т. Эпитаксиальные гетероструктуры сверхпроводник--сегнетоэлектрик для настраиваемых СВЧ-элементов // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 2, Стр. 222

Для получения кристаллов Bi2Sr2CaCu2O8 (2212) применено сочетание раствор-расплавного метода и твердофазного синтеза сложных окислов. Замена части висмута свинцом приводит к изменению ориентации ростовых слоев на плоскости (001) кристалла 2212 с ромбической решеткой. Отмечено увеличение размеров и повышение совершенства кристаллов при введении Pb в состав прекурсоров.
Осипов В.Н., Зимкин И.Н., Гурин В.Н., Носов Ю.Г. Влияние примеси Pb в системе Bi--Sr--Ca--Cu--O на формирование кристаллов 2212, выращенных из раствора в расплаве KCl с использованием предварительно синтезированных соединений (прекурсоров) // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 2, Стр. 219