Исследованы кристаллографические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок CaCuO2 (CCO), выращенных путем лазерной абляции на подложках (110)NdGaO3, (001)SrTiO3, (001)LaAlO3. Обнаружена зависимость сопротивления от кристаллографического качества пленок. Тип механизма проводимости меняется в з...
Исследованы кристаллографические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок CaCuO2 (CCO), выращенных путем лазерной абляции на подложках (110)NdGaO3, (001)SrTiO3, (001)LaAlO3. Обнаружена зависимость сопротивления от кристаллографического качества пленок. Тип механизма проводимости меняется в зависимости от допирования: при сопротивлениях больше 0.1 Omega·cm (недопированные пленки) наблюдается 3D-прыжковая проводимость, в то время как для низкоомных пленок ССО, допированных Sr, была найдена степенная зависимость, которая не описывается прыжковой проводимостью. В гетероструктурах YBCO/CCO сохраняется высокая критическая температура и малая ширина сверхпроводящего перехода. Исследовано влияние наклона подложек на дальнейший рост пленок CaCuO2. В гетероструктурах YBCO/CCO сохраняется высокая критическая температура и малая ширина сверхпроводящего перехода, что особенно важно при создании джозефсоновскиx гетероструктур сверхпроводниковой электроники. Работа выполнялась при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-16818a), ИНТАС 01-0809 и 01-0249, МНТЦ 2369, Президентской программы научных школ НШ-1344.2003.2 Российского фонда фундаментальных исследований.
Овсянников Г.А., Денисюк C.А., Бдикин И.К. Рост и проводимость кальциевых купратных пленок // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 3, Стр. 417