Исследовано плавление двумерных микрокластеров из абрикосовских вихрей в островке сверхпроводника второго рода с толщиной, меньшей длины когерентности. Рассчитаны равновесные конфигурации, соответствующие локальным и глобальным минимумам потенциальной энергии, для кластеров с N=1-50 частицами. Исследованы температурные зависимости структуры и среднеквадратичного радиального и углового смещения вихрей. Показано, что плавление микрокластеров вихрей осуществляется в две стадии: сначала происходит переход из замороженной фазы в состояние, соответствующее вращательной переориентации кристаллических оболочек друг относительно друга; при существенно более высокой температуре происходит переход с исчезновением радиального порядка. Это связано с тем, что барьер относительно вращения оболочек существенно ниже барьера относительно радиального разрушения оболочек.
Лозовик Ю.Е., Ракоч Е.А. Двумерные микрокластеры абрикосовских вихрей: оболочечная структура и плавление // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 6, Стр. 1005

Рассчитаны амплитуды нестационарного джозефсоновского I1, интерференционного I2 и квазичастичного J токов через симметричный и несимметричный туннельные контакты, включающие сверхпроводники с волнами зарядовой плотности. В симметричном (s) случае зависимость джозефсоновского тока I1s от напряжения V на контакте имеет логарифмические особенности при |eV|=2Delta, Delta+D и 2D, где D=sqrt((Delta2+Sigma2))sqrt, Delta и Sigma --- сверхпроводящий и диэлектрический параметры порядка, e --- элементарный заряд. При температурах T#0 в вольт-амперных характеристиках I1s(V) появляются скачки при |eV|=D-Delta. В токах I2s и Js скачки и сингулярности наблюдаются при тех же напряжениях, при которых в I1s имеют место сингулярности и скачки соответственно. В несимметричных (ns) контактах, включающих обычный сверхпроводник, особенности и скачки имеют место при |eV|=D+DeltaBCS, Delta+DeltaBCS и (при T#0) |D-DeltaBCS|, |Delta-DeltaBCS|, где DeltaBCS --- параметр порядка обычного сверхпроводника. Квазичастичный ток Jns является несимметричной функцией напряжения V и не зависит от знака Sigma. Результаты сравниваются с экспериментом.
Войтенко А.И., Габович А.М. Джозефсоновский и одночастичный токи между частично-диэлектризованными сверхпроводниками с волнами зарядовой плотности // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 6, Стр. 991

С использованием метода сканирующей туннельной микроскопии исследована начальная стадия фасетирования вицинальной грани (110) вольфрама при отжиге кристалла в условиях, близких к термодинамическому равновесию, и термодиффузионного массопереноса. В первом случае исходные нанофасетки (следы электрохимической полировки) с частотой следования q=(3-4)·105 cm-1 объединяются, образуя микроступени с выраженной огранкой. Во втором случае на фоне сохраняющихся нанофасеток образуется волноподобная в виде синусоидального гофра структура. Частота гофрировки хорошо совпадает с теоретически рассчитанной на основе модели поверхностного массопереноса.
Витухин В.Ю., Закурдаев И.В. Наблюдение самоорганизации поверхности кристаллов вольфрама при термодиффузии атомов с помощью метода сканирующей туннельной микроскопии // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 6, Стр. 968

Рассмотрена модель адгезионного взаимодействия металлов и полупроводников, основанная на диэлектрическом формализме и использовании представлений о коллективных возбуждениях электрон-ионной системы --- плазмонах. В рамках модели "желе" в длинноволновом приближении получены выражения для энергии адгезии и силы адгезионного взаимодействия, определенные через дисперсионные зависимости энергий поверхностных плазменных колебаний, для различных материалов, поверхности которых разделены зазором произвольной величины. Проведены расчеты энергии адгезии и силы адгезионного взаимодействия для ряда простых и переходных металлов, полупроводников, а также получены адгезионные характеристики контакта данных материалов с диэлектрической средой.
Вакилов А.Н., Мамонова М.В., Прудников В.В. Адгезия металлов и полупроводников в рамках диэлектрического формализма // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 6, Стр. 964

Электропроводность керамических образцов с общей формулой HxBa2YCu3O7+z измерялась в процессе гидрирования (образования гидрокупрата) и последующего окисления (образования оксигидрокупрата). Гидрокупрат (x>0, -0.1 < z
Байков Ю.М., Никитин С.Е., Степанов Ю.П., Егоров В.М. Электропроводность гидрогенизированного купрата бария--иттрия и окисленного гидрокупрата при 300--450 K // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 5, Стр. 823

Исследуется влияние квантовых флуктуаций на фазовый переход в двумерном массиве джозефсоновских контактов в рамках 2D XY-модели. В самосогласованном гармоническом приближении линейный отклик системы на ее возмущение однородным градиентом фазы (модуль спиральности gamma) вычисляется как фукнция безразмерной температуры Theta и квантового параметра q, обусловленного конечной емкостью каждого контакта. Расчет этой величины позволил найти зависимость температуры перехода Костерлица--Таулесса от q, которая в широкой области q хорошо согласуется с результатами численного моделирования квантовым методом Монте--Карло.
Верзаков С.А., Лозовик Ю.Е. Модуль спиральности, квантовые флуктуации и переход в сверхпроводящее состояние массива джозефсоновских контактов // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 5, Стр. 818

Исследованы свойства цилиндрического порошкообразного образца системы Cu--C как микроволновой антенны на частоте 35 GHz в интервале температур 80--300 K. Показано, что добротность такой антенны увеличивается при понижении температуры от комнатной до азотной практически в 2 раза, что связано, по-видимому, со сверхпроводящим переходом в области температур около 80 K.
Мастеров В.Ф., Приходько А.В., Коньков О.И., Теруков Е.И. Исследование сверхпроводящих свойств системы Cu--C в миллиметровом диапазоне длин волн // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 5, Стр. 816

В рамках диффузионного приближения для динамики магнитного потока построена модель динамической магнитной восприимчивости сверхпроводника с неоднородным и нестационарным распределением магнитного поля в образце. Показана возможность возникновения нескольких пиков в температурной (или частотной) зависимости chi'' в структурно-однородном сверхпроводящем образце при наличии индуцированной магнитным полем неоднородности параметра диффузии. Предсказан характер и исследованы особенности временной эволюции магнитной восприимчивости в процессе релаксации магнитного момента образца.
Высоцкий В.В. Динамическая магнитная восприимчивость сверхпроводника с релаксирующим магнитным моментом // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 5, Стр. 811

Электронная структура и термодинамические свойства неупорядоченных сплавов Al--Zn исследованы в приближении когерентного потенциала в рамках метода ККР--ПАС. Анализ плотности электронных состояний и поверхностей Ферми неупорядоченных сплавов показал наличие восьми электронных топологических переходов в интервале концентраций 0-70 at % Zn. Показано, что прохождение уровнем Ферми двух минимумов плотности состояний, связанных с наложением электронных топологических переходов разных типов, приводит к появлению особенностей на концентрационной зависимости второй производной термодинамического потенциала в точках, соответствующих границам области изоструктурного распада высокотемпературного твердого раствора, в соответствии с фазовой диаграммой системы Al--Zn.
Коржавый П.А., Смирнова Е.А., Эйбельман И.А., Абрикосов И.А., Рубан А.В., Векилов Ю.Х. Природа изоструктурного спинодального распада в системе Al--Zn // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 4, Стр. 593

Методами вторичной электронной эмиссиометрии, катодолюминесценции и рентгеноспектрального микроанализа в растровом электронном микроскопе исследованы изменения структуры, катионного и анионного состава поверхности сверхпроводящих керамик YBa2Cu3O7-x и Tl2Ba2CuO6+x после локального облучения электронным зондом с энергией 25 kV и током, большим 10-7 A, в течение нескольких секунд. В эпицентре облучения обнаружены морфологически измененные области, в которых структура, химический и фазовый состав исходного соединения полностью утеряны. В промежуточной области между эпицентром и периферией обнаружен сложный и различный для иттриевой и таллиевой керамик характер распределения выхода вторичной электронной эмиссии и выявлены особенности в спектрах катодолюминесценции. Экспериментальные данные объяснены на основе представлений о потерях кислорода в результате воздействия электронного зонда и о связанных с ними электронных процессах в сверхпроводниках.
Томашпольский Ю.Я., Садовская Н.В., Диаз-Гуерра К., Пикерас Х., Опагист С. Структурные и композиционные изменения в сверхпроводящих керамиках при локальном электронном облучении // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 3, Стр. 452