В PbTe : 2 at.% Tl исследовано влияние малых добавок германия (порядка сотых-десятых долей  at.%) на параметры сверхпроводящего перехода l(критическую температуру Tc, второе критическое магнитное поле Hc2 и l|(dHc2)/(dT)r|T-> Tcr), определенные из зависимости электросопротивления образцов от температуры (0.4-4.2 K) и напряженности магнитного поля (0-1.3 T). Обнаруженная особенность в экспериментальных данных связывается с появлением структурного фазового перехода при введении Ge.
Немов С.А., Парфеньев Р.В., Житинская М.К., Шамшур Д.В. Влияние малых добавок Ge на сверхпроводящий переход в PbTe : Tl // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 7, Стр. 1204

Измерения магнитострикции изотропного высокотемпературного сверхпроводника Ba0.66K0.34BiO3, обнаружили величину эффекта порядка 10-6, превыщающую значения для традиционных сверхпроводников, но не достигающую величин гигантской магнитострикции купратных ВТСП. Проведены термодинамический анализ результатов и сопоставление с данными численных расчетов эффектов, индуцированных пиннингом магнитного потока.
Еременко В.В., Сиренко В.А., Шимчак Г., Набялек А., Барило С.Н., Гатальская В.И., Ширяев С.В. Магнитострикция высокотемпературного бескупратного сверхпроводника BaBiKO // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 7, Стр. 1199

В анизотропных монокристаллах высокотемпературного сверхпроводника BiSrCuO (фаза 2201) исследован характер изменения температурных зависимостей удельного сопротивления в ab-плоскости, rho(T), при переходе диэлектрик--металл. При низких температурах с изменением параметра близости к переходу зависимость Мотта для двумерного случая (rho~ exp(T0/T)1/3) сменяется зависимостью rho~ exp(T1/T)1/2, отвечающей прыжковой проводимости при наличии кулоновской щели в плотности состояний. В образцах вблизи перехода обнаружены отрицательные температурные наклоны. Проведенные оценки показывают, что в этих образцах сверхпроводимость наступает из состояния андерсоновского диэлектрика. По измерениям магнитной восприимчивости на переменном токе исследовано поведение ширины сверхпроводящего перехода и температуры его начала Tc on при переходе диэлектрик--металл. Показано, что вблизи перехода диэлектрик--металл сверхпроводящий переход становится шире, а начало перехода Tc on смещается в область более высоких температур. Такое поведение объясняется неоднородной сверхпроводимостью, возникновением в кристалле сверхпроводящих капель с различной величиной Tc, вследствие флуктуации локальной плотности состояний, обусловленной внутренней неупорядоченностью материала. Сверхпроводимость носит при этом перколяционный характер.
Бурбаев Т.М., Курбатов В.А. Переход диэлектрик--металл в монокристаллах высокотемпературного сверхпроводника Bi-2201 // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 7, Стр. 1190

С использованием результатов электрохимического эксперимента рассчитаны концентрационные зависимости химического потенциала и энтропии серебра в AgxTiTe2. Показано, что для их объяснения необходимо учитывать электронный вклад в термодинамические функции. Проведено моделирование термодинамических функций и уточнена плотность состояний в зоне проводимости. Подтверждено существование полосы локализованных состояний вблизи уровня Ферми, предполагавшееся ранее для объяснения кинетических экспериментов. Рассмотрены различные механизмы возникновения локализованных состояний.
Титов А.Н., Долгошеин А.В. Особенности термодинамики электронной подсистемы интеркалированных дихалькогенидов титана // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 7, Стр. 1187

Методом ККР с функцией Грина, усредненной по атомным конфигурациям в сложной решетке Изинга, при использовании потенциала в muffin-tin-форме рассчитана зонная структура электронов в литии с вакансиями и s-, p-, d-примесями. Показано, что сильные изменения формы поверхности Ферми приводят не к образованию шейки, как предполагалось ранее, а к расщеплению электронных состояний на грани зоны Бриллюэна. Оно вызвано понижением симметрии кристаллической решетки с примесным возбуждением электронной подсистемы.
Попов В.А. Поверхность Ферми лития с примесями // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 7, Стр. 1185

Построена форма линии ЯМР в анизотропных сверхпроводниках II рода в наклонных магнитных полях с учетом изменения неоднородности магнитного поля вихревой решетки и скин-эффекта вблизи поверхности сверхпроводника. Показано, что параметры линии ЯМР значительно меняются при изменении направления внешнего магнитного поля. Это дает возможность получить более подробные сведения о параметрах сверхпроводника, в частности, о параметре анизотропии сверхпроводника.
Ефремова С.А., Прошин Ю.Н., Царевский С.Л. Форма линии магнитного резонанса в анизотропных сверхпроводниках в наклонных магнитных полях // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 6, Стр. 993

На основе модели крипа магнитного потока с учетом вязкого движения вихрей и пространственной формы потенциала пиннинга построена модель, объясняющая вид вольт-амперных характеристик (ВАХ) высокотемпературных сверхпроводящих пленок и изменение знака кривизны этих характеристик с изменением температуры. Данная модель также позволяет объяснить скейлинг ВАХ этих пленок.
Лыков А.Н., Цветков А.Ю. Скейлинг вольт-амперных характеристик сверхпроводящих пленок в модели крипа потока // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 6, Стр. 989

Рассмотрено затухание квазимонохроматических пакетов звуковых волн в металлах, обусловленное электромагнитным взаимодействием колебаний решетки с резонансными носителями тока. Предполагается, что длина акустической волны lambda много меньше длины свободного пробега электронов l, но существенно превышает характерную глубину затухания электромагнитного поля в металлах в условиях аномального скин-эффекта sigma. Считается также, что время пролета lambda/v резонансной частицей области неоднородности поля (~lambda) меньше электронного времени релаксации taup (a=lambda/vtaup<<1, v --- характерная скорость резонансных электронов). С помощью решения кинетического уравнения и уравнения Максвелла найдено распределение потенциала вихревого электромагнитного поля, сопровождающего акустический радиоимпульс заданной формы. Исследована сила, действующая на решетку со стороны резонансных электронов, и решено уравнение теории упругости, описывающее эволюцию звуковой волны. Показано, что для эволюции мощного поперечного радиоимпульса характерно слабое (порядка малого параметра a) затухание в экстремумах деформации на фронтах импульса, а также появление высокочастотных предвестников вблизи его границы. Такие предвестники ранее наблюдались Филем с сотрудниками в качестве компоненты шумового всплеска, возникающего на переднем фронте мощного поперечного радиоимпульса при его распространении в сверхчистом галлии.
Кукушкин В.А., Курбатова А.Г. Электромагнитное поглощение пакетов акустических волн в металлах // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 6, Стр. 966

Описана люминесценция, возбуждаемая на тыльной стороне металлических мишеней, облучаемых импульсом лазера с энергией, существенно меньшей порога загорания плазменного факела; рассчитаны временное и пространственное распределение температуры, термонапряжений и скорости изменения термонапряжений в образцах. Выполнено сравнение динамики импульса люминесценции с динамикой облучающего импульса лазера, температуры образца, термонапряжений и скорости изменения термонапряжений. Установлено, что люминесценция возбуждается, когда напряжения на поверхности образца становятся примерно равными пределу текучести материала образца, интенсивность ее растет, пока увеличивается скорость нарастания напряжения, затем процесс затухает. Для описанных в литературе и не нашедших объяснения экспериментов, в которых зарегистрирована аномальная электронная эмиссия с тыльной поверхности металлических мишеней, облучаемых лазерными импульсами, рассчитаны также временное и пространственное распределение температуры, термонапряжений и скорости изменения термонапряжений. Выполнено сравнение динамики экспериментальных и расчетных зависимостей. Установлено существование такой же корреляции, как и для механолюминесценции.
Абрамова К.Б., Русаков А.И., Семенов А.А., Щербаков И.П. Люминесценция металлов, возбуждаемая при быстром неразрушающем нагружении // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 6, Стр. 957

Показано, что существование определенных топологических особенностей эквипотенциальных поверхностей затравочных носителей заряда вблизи уровня Ферми в сверхпроводнике может сказываться на характере температурных аномалий флуктуационных поправок. Получено выражение для флуктуационной поправки к проводимости в модели сверхпроводника, в которой высокие значения температуры перехода обусловлены увеличением плотности состояний затравочных носителей заряда в области вблизи поверхности Ферми, где константа взаимодействия отлична от нуля. Аномалия в плотности состояний приводит к неаналитичности частотной зависимости пропагатора куперовских пар и к изменению времени релаксации флуктуаций по отношению к классическому в теории БКШ. Это обстоятельство оказывается ответственным за усиление роли флуктуаций и повышение степени сингулярности температурных поправок. С этой точки зрения обсуждаются возможные интерпретации имеющихся в литературе экспериментальных данных.
Щедрина Н.В., Щедрин М.И. Об усилении флуктуационных эффектов в сверхпроводниках с особенностями вблизи поверхности Ферми. Парапроводимость // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 4, Стр. 603