Самосогласованным линейным методом МТ-орбиталей в приближении атомной сферы (ЛМТО--ПАС) проведен расчет электронной структуры дигидридов металлов IV группы в кубической и тетрагональной фазах. Исследовано влияние тетрагональной деформации и водородных вакансий на электронные характеристики. Получено удовлетворительное согласие с экспериментальными результатами по фотоэлектронным спектрам. Обсуждается природа неустойчивости высокотемпературной кубической фазы.
Кулькова С.Е., Мурыжникова О.Н., Наумов И.И. Электронная структура и устойчивость решетки в дигидридах титана, циркония и гафния // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 11, Стр. 1922

Рассчитаны вольт-амперные характеристики (ВАХ) джозефсоновских, интерференционных и квазичастичных компонент тока через туннельный переход, образованный двумя сверхпроводниками с волнами спиновой плотности (ВСП). Рассмотрение основано на модели частичной диэлектризации поверхности Ферми и в предположении пиннинга ВСП. Детально исследуются частные случаи: несимметричные переходы ВСП сверхпроводник --- обычный сверхпроводник и симметричные переходы между двумя тождественными ВСП сверхпроводниками. Определены положение и характер особенностей ВАХ. Для симметричного контакта предсказана возможность существования несимметричных ВАХ. Расчеты качественно согласуются с обнаруживаемым в эксперименте поведением ВАХ туннельных и микроконтактов, включающих ВСП сверхпроводник с тяжелыми фермионами URu2Si2.
Войтенко А.И., Габович А.М. Джозефсоновские и квазичастичные токи в туннельных переходах между частично-диэлектризованными сверхпроводниками с волнами спиновой плотности // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 10, Стр. 1743

В работе анализируются геометрико-морфологические свойства сверхпроводящих пленок YBCO и их влияние на магнитные и транспортные явления. Исследуются статистические характеристики критических токов, измеренных по изменению захваченного магнитного потока при пропускании импульсного транспортного тока. Показано, что критические токи в изучаемых материалах обладают определенным статистическим распределением, основные свойства которого обусловлены морфологией пленок и могут быть определены на основе геометрико-вероятностного анализа. Сверхпроводящая пленка рассматривается как перколяционная система. По эмпирической функции распределения площадей кластеров нормальной фазы получена функция распределения магнитных критических токов, описывающая результаты экспериментов по воздействию транспортного тока на захваченный магнитный поток. Рассчитан критический ток перехода пленки в резистивное состояние.
Кузьмин Ю.И., Плешаков И.В., Разумов С.В. Статистическое распределение магнитных критических токов, определяемое морфологией пленок высокотемпературных сверхпроводников // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 10, Стр. 1739

Методом смещения рентгеновских K-линий экспериментально определена электронная структура (заселенность валентных d- и s-оболочек) Y и Pr в фазах Лавеса RM2 с Mg, Al, Fe, Co и Ni. Обнаружено, что в RM2 с Mg и Al электронные структуры Y и Pr практически такие же, как в металлах, однако распределение трех внешних электронов между d- и s-оболочками для Y существенно иное, чем для Pr. В фазах Лавеса с 3d-металлами (Fe, Co или Ni) распределения внешних электронов между d и s-оболочками для Y и Pr практически одинаковы и не зависят от d-металла.
Совестнов А.Е., Шабуров В.А., Смирнов Ю.П., Тюнис А.В. Особенности электронной структуры Y и Pr в фазах Лавеса с Mg, Al, Fe, Co, Ni // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 10, Стр. 1721

Построена феноменологическая теория анизотропии глубины проникновения магнитного поля (lambdaialpha) в высокотемпературных сверхпроводниках с учетом анизотропии магнитной восприимчивости поверхностного слоя (chiik). Изменение анизотропии lambdac/lambdaab в 1.9 раза при 4% замещении в YBa2Cu3O7 ионов Cu на Co практически полностью обязано увеличению анизотропии магнитной восприимчивости. При замещениях Cu--Zn изменение lambdac/lambdaab характеризует в основном изменение анизотропии тензора обратных эффективных масс носителей заряда (пар).
Гуфан Ю.М., Левченко И.Г., Рудашевский Е.Г. Магнитная восприимчивость и анизотропия глубины проникновения магнитного поля в высокотемпературных оксидных сверхпроводниках // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 9, Стр. 1552

В рамках гамильтониана Андерсона--Ньюнса и простой модели плотности состояний подложки проанализирована возможность перехода, вызванного диполь-дипольным отталкиванием адатомов, от однородного зарядового распределения (ОЗР) в адсорбированном слое к неоднородному (НЗР). Рассмотрены два предельных случая: бесконечно широкая и узкая зоны разрешенных состояний субстрата. Получены критерии перехода ОЗР -> НЗР. Проанализированы экспериментальные данные по реконструкции чистых граней металлов.
Давыдов С.Ю. О неоднородном распределении электронной плотности в слое, адсорбированном на металле // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 9, Стр. 1543

Представлены результаты исследования нетеплового свечения поверхности вольфрама, инициируемого термодеформациями, возникающими при воздействии лазерных импульсов. Исследовался спектральный состав и временная зависимость отдельных спектральных компонент свечения. Обнаружены осцилляции интенсивности свечения, которые интерпретируются определенной последовательностью выхода дислокаций на поверхность.
Банишев А.Ф., Панченко В.Я., Шишков А.В. Нетепловое свечение поверхности вольфрама, при воздействии лазерных импульсов // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 9, Стр. 1538

Рассмотрена динамика осциллирующих структурных изменений в неравновесных системах Fe--C и Pd--Er--H. Для Fe--C установлено, что Фурье-спектр временной зависимости его мессабауэровских спектров аналогичен Фурье-образу систем, находящихся в состоянии динамического хаоса, на который накладывается несколько длинноволновых мод. Структурно-осцилляционные эффекты для Pd--Er--H представляют собой совокупность колебательных процессов, отвечающих появлению и частичному рассасыванию H-D-M-комплексов, колебательным изменениям соотношения долей богатой и бедной эрбием фаз и разницы составов этих фаз. Колебания носят многомодовый характер с растущими со временем периодами. Таким образом, в рассмотренных процессах явно просматриваются кооперативные эффекты, связанные с коллективными взаимодействиями атомов матрицы, дефектов и "возмущающих" примесей типа атомов водорода и углерода. Показано, что для макроскопического описания обнаруженных эффектов целесообразно использование синергической концепции в духе системы нелинейных уравнений Лоренца.
Авдюхина В.М., Домбровский Л., Кацнельсон А.А., Ревкевич Г.П., Сувальский И., Христов В. Кооперативные структурные эффекты в релаксирующих системах Pd--Er--H и Fe--C // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 9, Стр. 1532

Теоретически изучено влияние квантования энергии дырок в постоянном магнитном поле на проникновение СВЧ-волн через пластину благородного металла. Показано, что квантование приводит к сильным осцилляциям циклотронного поглощения. При этом в интервалах между пиками поглощения затухание настолько уменьшается, что становится возможным распространение своеобразных квантовых волн. Возбуждение таких волн в пластине металла приводит к резким осцилляциям ее поверхностного сопротивления как функции магнитного поля. Форма этих осцилляций весьма своеобразна.
Савельева С.Н., Скобов В.Г., Чернов А.С. Квантовые волны в благородных металлах // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 8, Стр. 1354

Сверхпроводящие туннельные переходы Nb/Al/AlOx/Nb исследованы в качестве детекторов рентгеновского излучения. Амплитудные спектры импульсов, возникающих при облучении туннельных переходов различных размеров рентгеновским излучением 55Mn, были получены при температуре 1.4 K. Одновременно проводился анализ временной формы импульсов. Рассмотрено влияние диффузионного движения неравновесных квазичастиц, эффектов обратного туннелирования, а также обмена 2Delta-фононами между электродами на характеристики туннельных детекторов. Показано, что фононные процессы могут вызывать изменения амплитуды, длительности и полярности сигнала.
Андрианов В.А., Горьков В.П., Козин М.Г., Ромашкина И.Л., Сергеев С.А., Шпинель В.С., Дмитриев П.Н., Кошелец В.П. Электронные и фононные эффекты в сверхпроводящих туннельных детекторах рентгеновского излучения // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1168