С помощью разработанного гипоциклоидального электронного спектрометра с высоким энергетическим (=<50 meV) и угловым разрешениями (~1o-5o) методом спектроскопии обратного рассеяния электронов низких энергий (0-10 eV) проведены исследования особенностей плотности заполненных электронных состояний благородных металлов (Au, Ag, Cu) ниже уровня Ферми. Установлено, что особенности в спектрах отражения электронов хорошо согласуются с экстремумами теоретически рассчитанных энергетических распределений плотностей состояний. Полученные результаты существенно дополняют данные методов ультрафиолетовой и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопий.
Попик Т.Ю., Шпеник О.Б., Попик Ю.В. Исследование электронных спектров благородных металлов методом обратного рассеяния электронов низких энергий // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 3, Стр. 391

Работа посвящена систематическому анализу температурных зависимостей коэффициента термоэдс S(T) образцов различных фаз семейства HgBa2Can-1CunO2n+2+delta (n=1,2,3) при различной степени легирования в рамках феноменологической модели узкой зоны. Для оптимально легированных (optimally-doped) образцов представлены количественные оценки основных параметров зоны, ответственной за проводимость HgBa2Can-1CunO2n+2+delta в нормальной фазе; обсуждается характер изменения этих параметров с увеличением числа медь-кислородных слоев n. Выявлена тенденция к расширению проводящей зоны с ростом n, что может быть обусловлено возрастанием пика плотности состояний вблизи уровня Ферми при наращивании числа слоев CuO2, ответственных за формирование проводящей зоны. Также обнаружено, что с ростом n увеличивается доля локализованных носителей заряда в зоне, что связано с возрастанием степени дефектности структуры HgBa2Can-1CunO2n+2+delta при переходе к более сложным фазам. Обсуждается также динамика параметров зонного спектра при переходе к слаболегированным (underdoped) и сильнолегированным (overdoped) составам семейства HgBa2Can-1CunO2n+2+delta.
Елизарова М.В., Лукин А.О., Гасумянц В.Э. Об особенностях строения и трансформации зонного спектра ртутных ВТСП // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 12, Стр. 2123

Приведены результаты рентгеновских эмиссионных исследований особенностей электронной структуры неупорядоченных сплавов Fe--Si и Fe--P. На основании анализа параметров спектров и известных литературных данных предложена качественная модель формирования электронной структуры неупорядоченных сплавов Fe--P, которая позволила объяснить концентрационное поведение среднего магнитного момента на атом железа в исследованных неупорядоченных системах. Исследования выполнены в лаборатории электронной структуры поверхности Физико-технического института УрО РАН по программе фундаментальных исследований по теме 1.14.1.3 (N Гос. рег. 01.9.40003591).
Королев Д.А., Баянкин В.Я., Елсуков Е.П. Влияние сорта металлоида на формирование электронной структуры неупорядоченных сплавов переходный металл--металлоид // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 12, Стр. 2120

Впервые изучены свойства квазикристаллической фазы в системе Al--Pd-Tc. Рентгеновские исследования показали, что квазикристаллическая фаза в сплаве Al70Pd21Tc9 обнаруживает гранецентрированную икосаэдрическую квазирешетку с параметром a=6.514 Angstrem. Эксперименты по отжигу дают основание считать, что данная икосаэдрическая фаза является термодинамически стабильной. Были исследованы теплоемкость образца Al70Pb21Tc9 в области температур 3--30 K, электросопротивление и магнитная восприимчивость в области 2--300 K. Электросопротивление обнаруживает типичную для квазикристаллов высокую величину (600 muOmega·cm при комнатной температуре), небольшой положительный температурный коэффициент сопротивления при температурах выше 50 K и отрицательный --- ниже 50 K. Магнитная восприимчивость носит слабый парамагнитный характер. Определены коэффициент при линейном вкладе в теплоемкость (gamma=0.24 mJ/g atom K2) и характеристический параметр Дебая (Theta=410 K). Обсуждаются причины особенностей колебательного спектра квазикристаллов. Работа поддерживается Российским фондом фундаментальных исследований и выполнена в рамках проекта N 98-02-17398.
Михеева М.Н., Панова Г.Х., Теплов А.А., Хлопкин М.Н., Черноплеков Н.А., Шиков А.А. Термодинамические и кинетические свойства икосаэдрической квазикристаллической фазы системы Al--Pd--Tc // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 12, Стр. 2113

Предложена теоретическая модель для описания экспериментально наблюдаемого [1] образования расщепленных дислокаций в малоугловых границах наклона в оксидных сверхпроводниках. Теоретически определены условия, при которых расщепление дислокаций в малоугловых границах наклона типа [100] является энергетически выгодным. Настоящая работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-16075) и Офиса Морских Исследований США (the Office of US Naval Research) (грант N00014-99-1-0896).
Гуткин М.Ю., Овидько И.А. Расщепление дислокаций в малоугловых границах зерен в оксидных сверхпроводниках // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 11, Стр. 1948

Получены зависимости критических токов от величины захваченных HTRAP и остаточных HREM магнитных полей в гранулированных керамических ВТСП образцах YBa2Cu3Ox и Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu3Ox. Впервые был учтен вклад в эти поля полей рассеяния разорванных квантованных магнитных вихрей.
Козловский А.А., Хирный В.Ф. Критический ток, захваченные магнитные поля и разорванные вихри в керамических ВТСП образцах // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 10, Стр. 1780

Предложено теоретическое объяснение экспериментальных результатов по поведению высших гармоник отклика гранулированного ВТСП на переменное магнитное поле при частотах ~ 102 Hz. Теория объясняет периодичность зависимости амплитуд гармоник от постоянного внешнего магнитного поля; зависимость периода от номера гармоники и амплитуды переменного магнитного поля; существование порога в зависимости амплитуд нечетных гармоник от амплитуды переменного магнитного поля; возможного попарного группирования этих зависимостей для соседних нечетных гармоник. Показано, что получаемые на опыте зависимости могут быть объяснены без подробного анализа микропроцессов в отдельных джозефсоновских контурах только в рамках представлений а ВТСП как о макроскопической среде, характеризующейся типичной для сверхпроводников II рода зависимостью магнитного потока от внешнего магнитного поля Phi(H). Работа выполнена в рамках гранта Министерства науки и технологии по направлению "Сверхпроводимость".
Зеликман М.А. Поведение высших гармоник отклика гранулированных ВТСП на низкочастотное магнитное поле // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 10, Стр. 1768

We report first observation of the polarization dependence of the d. c. photocurrent induced by illumination in Cu. The dependence of d. c. photocurrent on the direction of the plane of light polarization is measured. In agreement with the theoretical considerations, the current parallel to the plane of light incidence is a symmetric function of the angle between this plane and the plane of light polarization. The angular-dependent part of the current perpendicular to the plane of light incidence is an antisymmetric function of the angle. One of the authors (V.L.G.) is pleased to acknowledge Turku University for the hospitality extended to him while the work on this paper was done. He is grateful to Wihuri Foundation for financial support. He also wishes to acknowledge support for the work by the Russian Foundation for Basic Research (Grant N 97-02-18286-a).
Gurevich V.L., Laiho R. Photomagnetism of metals. First observation of dependence on polarization of light // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 10, Стр. 1762

Исследована магнитная структура уединенного осциллирующего вихря Абрикосова в магнитном сверхпроводнике. Показано, что процесс движения и магнитная подсистема существенно перенормируют форму вихря, приводя к "инверсионному предвестнику" впереди и к "инверсионному следу" позади него на больших расстояниях от его центра.
Ломтев А.И. Инверсионные предвестник и след уединенного осциллирующего вихря Абрикосова в магнитном сверхпроводнике // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 9, Стр. 1542

Приведены результаты экспериментального исследования теплопроводности, термоэдс, эффекта Нернста и магнитосопротивления тонких монокристаллических пластин вольфрама в условиях статического скин-эффекта в области T=2-18 K и в магнитных полях до 28 kOe. Показано, что полевая зависимость магнитотермоэдс следует предсказаниям теории гальвано- и термомагнитных явлений в сильных полях и проявляет анизотропию, связанную как с формой образца, так и с отражательными свойствами поверхности кристалла. Исследована температурная зависимость магнитотермоэдс и обнаружен вклад фононного увлечения. Выделен поверхностный вклад в электро- и теплопроводность в условиях статического скин-эффекта и прослежена температурная зависимость числа Лоренца для поверхностного рассеяния. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (проект N 96-02-17736a).
Батдалов А.Б., Абдулвагидов Ш.Б., Алиев А.М. Магнитотермоэдс и соотношение Видемана--Франца для монокристаллов вольфрама в условиях статического скин-эффекта // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 8, Стр. 1345