Для джозефсоновских переходов в геометрии сэндвича и тонкой пленки сформулированы уравнения нелокальной электродинамики, в которых учтено влияние нормальных электронов в сверхпроводниках. На основе этих уравнений изучены спектр и затухание обобщенных волн Свихарта. Установлено, что затухание волн на нормальных электронах проявляется особенно ярко в коротковолновой области. Сравнение различных механизмов диссипации позволило выявить условия эффективного излучения электромагнитных волн из джозефсоновских структур конечных размеров.
Малишевский А.С., Силин В.П., Урюпин С.А. О затухании обобщенных волн Свихарта // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1160

Изучено влияние нестехиометрии и фазовых превращений типа беспорядок--порядок на период базисной (типа B1) структуры карбида титана TiCy (0.5
Зуева Л.В., Гусев А.И. Влияние нестехиометрии и упорядочения на период базисной структуры кубического карбида титана // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1134

Методами рентгенографии, дифференциальной сканирующей калориметрии, дилатометрии и просвечивающей электронной микроскопии исследованы начальные стадии распада аморфной фазы в массивном металлическом стекле на основе циркония. Обнаружено, что кристаллизация массивного металлического стекла происходит в несколько стадий, причем на первой стадии объемный эффект превращения равен более 1.6%, что составляет около 80% полного объемного эффекта кристаллизации. Показано, что первая стадия распада аморфной фазы в массивном металлическом стекле Zr29Ti11Cu60 приводит к образованию нанокристаллической структуры с размером зерна 1-5 nm. Проанализировано изменение формы дифракционных максимумов при образовании очень мелкой нанокристаллической структуры.
Абросимова Г.Е., Аронин А.С., Гуров А.Ф., Кирьянов Ю.В., Молоканов В.В. Начальные стадии распада аморфной фазы в массивном металлическом стекле Zr--Cu--Ti // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1129

Рассмотрено обобщение теории БКШ на случай, когда энергетический спектр затравочных носителей заряда вблизи энергии Ферми имеет нелинейный характер. Нелинейность может приводить к резкому уменьшению длины когерентности, росту плотности состояний, температуры перехода и к неаналитичности вершинной части как функции импульса. С ростом плотности состояний модель проявляет тенденцию к отрицательной кривизне критического поля в точке перехода (хотя вблизи нее возможно обращение знака кривизны). Положительность кривизны может проявляться при обеднении плотности состояний, что в реальности соответствует отклонению параметров кристалла от условий максимальности температуры перехода.
Щедрина Н.В., Щедрин М.И. О температурной зависимости верхнего критического поля в модели сверхпроводника с особыми точками вблизи поверхности Ферми // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 6, Стр. 975

На композитах ВТСП + CuO, моделирующих сеть слабых S-I-S-переходов джозефсоновского типа (S --- сверхпроводник, I --- диэлектрик), проведены измерения температурных зависимостей электросопротивления R(T) ниже температуры сверхпроводящего перехода при различных значениях транспортного тока. Экспериментально показано, что температурные зависимости R(T) при различных величинах транспортного тока хорошо описываются в рамках механизма термоактивационного проскальзывания фазы, развитого в работе Амбегаокара и Гальперина для туннельных структур. В рамках этой модели численно рассчитаны зависимости критического тока Jc(T) по различным критериям его определения. Получено качественное согласие между экспериментально измеренными и рассчитанными температурными зависимостями Jc(T).
Петров М.И., Балаев Д.А., Шайхутдинов К.А., Александров К.С. Влияние транспортного тока и тепловых флуктуаций на резистивные свойства композитов ВТСП + CuO // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 6, Стр. 969

Впервые продемонстрирована эффективность использования магнитооптической методики при исследовании пространственно-временной релаксации магнитного поля YBa2Cu3O7-полоски после включения транспортного тока. Показано, что эволюция распределения магнитного потока хорошо описывается в рамках модифицированной модели Бина с зависящим от времени критическим током. Через 50 ms после включения тока величина критического тока исследованных образцов уменьшается на ~ 15%. Тем самым доказана важность термоактивированного движения (крипа) магнитного потока в исследованном режиме. Оценена величина энергии пиннинга магнитных вихрей --- U0~ 20 kT.
Гаевский М.Е., Шанцев Д.В., Гальперин Ю.М., Бобыль А.В., Йохансен Т.Х., Хауглин Х. Магнитооптическое исследование релаксации пространственного распределения магнитного поля ВТСП-полоски после включения транспортного тока // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 6, Стр. 965

В рамках метода самосогласованного псевдопотенциала рассчитаны энергии связи состояний изображения для поверхностей (0001), (1010) и (1120) бериллия. Показано, что для грани (0001) в точке Gamma поверхностной зоны Бриллюэна существует хорошо выраженное резонансное состояние изображения n=1 с энергией -0.95 eV. На поверхности (1010), имеющей широкую запрещенную энергетическую щель в окрестности вакуумного уровня, рассчитанное состояние изображения n=1 в точке Gamma имеет энергию -1.2 eV и является поверхностным состоянием щелевого типа. Для грани (1120) в окрестности точки Gamma отсутствуют запрещенные щели. Однако симметрия объемных состояний вблизи вакуумного уровня делает возможным существование резонансного состояния изображения n=1 с энергией -0.6 eV.
Силкин В.М., Чулков Е.В., Эченике П.М. Состояния изображения на поверхностях бериллия с низкими индексами // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 6, Стр. 935

-1 В поликристаллических образцах магния, алюминия, меди, цинка, индия, олова, свинца и висмута методом углового распределения аннигиляционных фотонов изучен процесс аннигиляции позитронов в объеме металлов. Показано, что в аннигиляции позитронов принимают участие как остовные электроны, так и электроны проводимости. Определены концентрации электронов проводимости и энергии Ферми. Установлено, что концентрация электронов в окрестности позитрона значительно выше концентрации свободного электронного газа. Высказано предположение, что это связано с образованием комплексов типа Уилера и оценен его заряд. Проанализированы различные способы измерения концентраций электронов проводимости и сделан вывод, что позитронный метод дает наиболее достоверную информацию.
Графутин В.И., Прокопьев Е.П., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. Особенности механизма аннигиляции позитронов в металлах // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 6, Стр. 929

В рамках многозонной p-d-модели оксидов меди рассмотрены локальные изменения электронной структуры и их влияние на физические свойства сверхпроводящей и нормальной фаз при замещении меди на цинк и никель. Показано, что сильные электронные корреляции подавляют S=1-конфигурацию Ni2+ и обусловливают суперпозицию S=1/2 и S=0-состояний никеля. Рассмотрено изменение плотности состояний в системах p- и n-типа, показана особенность примесей Zn для систем p-типа и Ni для систем n-типа. Обсуждается универсальная зависимость Tc от остаточного сопротивления для слаболегированных сверхпроводников и отклонения от нее для оптимально легированных систем.
Овчинников С.Г. Роль примесей цинка и никеля в высокотемпературных сверхпроводниках // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 4, Стр. 596

Рассмотрена модель динамического токового резистивного состояния, при помощи которой генерация электромагнитных колебаний в тонких сверхпроводящих пленках объясняется существованием в них полосок проскальзывания фазы.
Хирный В.Ф. Джозефсоновская и неджозефсоновская генерации --- динамическое резистивное состояние в сверхпроводящих пленках // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 4, Стр. 577