Обнаружено изменение положения и формы линии гистерезиса магнитомодулированного микроволнового поглощения при многократном перемагничивании ВТСП. Смещение сигнала растет с ростом магнитного поля, амплитуды его модуляции и времени сканирования исчезают при Tc, подчиняясь основным закономерностям температурного поведения линии в монокристаллах и в керамике. Появление его коррелирует с достижением критического состояния модулированных экранирующих токов контуров слабых связей, распределенных на поверхности образца, и может быть интерпретировано их взаимодействием в рамках модели обобщенного поверхностного барьера. Наблюдаемая анизотропия указывает на неелевский механизм взаимодействия.
Широков М.И., Шендрик А.В. Дрейф циклов развертки микроволнового магнитопоглощения ВТСП // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 4, Стр. 567

Исследовано влияние эволюции структуры аморфного сплава Mg84Ni12.5Y3.5 (релаксация внутренних напряжений, расстеклование, зарождение и распад нанокристаллических фаз) при его нагреве на внутреннеее трение и модуль Юнга. Измерения проводились на ленточных образцах методом изгибных колебаний. Обнаружены необратимые пики внутреннего трения и аномалии в поведении модуля Юнга с температурой, положение которых коррелирует с характеристическими температурами перестройки структуры, выявляемыми методами дифференциального термического и рентгеноструктурного анализов. Обсуждаются возможные механизмы внутреннего трения, связанные с различного типа структурной релаксацией и процессами нанокристаллизации сплава.
Кобелев Н.П., Сойфер Я.М., Бродова И.Г., Манухин А.Н. Внутреннее трение и изменение модуля Юнга в сплаве Mg--Ni--Y, обусловленное переходом из аморфного в нанокристаллическое состояние // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 4, Стр. 561

Рассчитана форма линии ЭПР в тонкой (=lambda/2, lambda --- лондоновская глубина проникновения магнитного поля в сверхпроводнике) парамагнитной пленке, наложенной на поверхность анизотропного сверхпроводника, в наклонных магнитных полях с учетом неоднородности локального магнитного поля вихревой решетки Абрикосова. Показано, что с изменением угла наклона внешнего магнитного поля форма линии ЭПР заметно меняется, что может дать дополнительную информацию о параметрах сверхпроводника (о типе симметрии вихревой решетки, о параметре анизотропии сверхпроводника).
Ефремова С.А., Царевский С.Л. Форма линии магнитного резонанса в тонкой пленке на поверхности анизотропного сверхпроводника // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 3, Стр. 386

Методами полевой ионной микроскопии исследовались изменения структуры границ зерен, индуцированные межзеренной адсорбцией точечных дефектов, создаваемых ионной бомбардировкой бикристаллов вольфрама. Установлено, что облучение при температурах ниже порога зернограничной релаксации вызывает локальное расширение границ. Компьютерное моделирование с использованием методов молекулярной динамики показало, что межзеренная адсорбция вакансий может приводить к формированию трехмерных зернограничных структур.
Луговская Е.И., Мазилова Т.И. Радиационно-индуцированные изменения атомной структуры границ зерен в вольфраме // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 3, Стр. 383

Экспериментально исследовано влияние постоянного электрического тока на величину и температурную зависимость электросопротивления пленок хрома, полученных методом вакуумно-термической конденсации. Результаты интерпретируются в рамках модели фрелиховской проводимости.
Абрамова Г.М., Киселев Н.И., Патрин Г.С., Петраковский Г.А. Электрические свойства пленок хрома // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 3, Стр. 380

Представлена общая теория колебательных возбуждений в металлических стеклах, основанная на дисклинационной модели структуры твердых тел с локальной икосаэдрической симметрией. Использовано представление неортогональных плоских волн, что позволяет выделить в гамильтониане диагональные члены, а также члены, описывающие рассеяние этих волн на флуктуациях плотности и силовых констант, а также на топологических флуктуациях структуры. Для функции Грина получено и решено уравнение Дайсона. Получено аналитическое выражение для плотности колебательных состояний стекла. Обсуждается природа мягких колебательных мод. Показано, что эти моды являются резонансными модами, наличие которых обусловлено флуктуациями плотности и силовых постоянных. Особо обсуждается роль рассеяния вперед и характер пространственного изменения амплитуды данных мод.
Маничев В.М., Гусев Е.А. Природа мягких колебательных мод в металлических стеклах // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 3, Стр. 372

Методом конденсации паров иттербия в остаточной атмосфере водорода на подложку, охлаждаемую жидким гелием, получены аморфные пленки Yb--H, содержащие до 55 at.% водорода. Исследованы некоторые термодинамические и кинетические параметры перехода этих пленок из аморфного в кристаллическое состояние (a-> c-перехода), а также их электропроводность в этих состояниях. Показано, что исследованные свойства пленок Yb--H, содержащих до 40 at.% водорода, практически не отличаются от свойств пленок чистого Yb в интервале температур 4.2-293 K. Увеличение концентрации водорода до 55 at.% приводит к незначительному увеличению удельного электросопротивления, кинетической температуры и энергии активации a-> c-перехода, а также к уменьшению скорости распространения фронта самоподдерживающейся лавинной (взрывной) кристаллизации. Проанализированы причины наблюдаемого влияния водорода на свойства пленок Yb--H. Изученные низкотемпературные конденсаты Yb--H в интервале температур 4.2-293 K представляют собой "замороженный" твердый раствор водорода в иттербии. Выдержка таких пленок при комнатной температуре приводит к образованию ионного дигидрида иттербия YbH2.
Кузьменко В.М., Владычкин А.Н. Водород в аморфных и кристаллических пленках иттербия // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 2, Стр. 177

Исследованы стеклообразующая способность, структура и сверхпроводящие свойства соединений Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15LixOy, Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15-xLixOy (x=0, 0.3, 0.5, 0.7). Расплавы соединений получались методом ВЧ-плавления при T=1300-1500oC. Резкая закалка приводит к cтеклообразным сплавам, у которых наилучшая стеклообразующая способность наблюдается при замещении меди на литий. Отжиг стекла при температурах 700-800oC приводит к образованию высокотемпературной сверхпроводящей (ВТСП) фазы 2212 с критической температурой до 91 K. Для образцов, легированных литием, образование ВТСП-фазы происходит при меньших температурах, небольшой продолжительности отжига и зависит от скорости охлаждения после отжига. Содержание и свойства фазы 2212 немонотонным образом зависят от продолжительности отжига. Параметр c кристаллической решетки фазы 2212 растет с увеличением содержания лития.
Волков М.П., Мелех Б.Т., Бахарев В.И., Картенко Н.Ф., Матыкин Н.В., Филин Ю.Н. Влияние легирования литием на критическую температуру и особенности стеклообразования системы Bi--Sr--Ca--Cu--O // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 1, Стр. 18

На основании ранее разработанного когезионного подхода к описанию адсорбционных свойств атомов d-металлов на d-подложках проведен расчет самодиффузии по поверхностям (111) и (100) fcc и hcp металлов и (110) dcc металлов. Результаты расчета сопоставлены с данными расчетов других авторов и имеющимися экспериментальными данными.
Давыдов С.Ю. Расчет энергии активации поверхностной самодиффузии атомов переходных металлов // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 1, Стр. 11

В алмазной камере высокого давления измерена зависимость температуры сверхпроводящего перехода в TiD0.74 от давления до 30 GPa. Обнаружено, что при давлениях, соответствующих переходу в фазу высокого давления zeta, дейтерид TiD0.74 становится сверхпроводником с температурой перехода, возрастающей от 4.17 до 4.43 K в интервале P=14-30 GPa. Экстраполированное к атмосферному давлению значение Tc(0)=4.0 K значительно ниже ранее измеренной температуры сверхпроводящего перехода (Tc=5.0 K) в метастабильном состоянии, получаемом как результат закалки TiD0.74 под давлением. Предполагается, что значительное отличие экстраполированного значения от температуры сверхпроводящего перехода в метастабильном состоянии после закалки под давлением обусловлено фазовым переходом на пути из области стабильности zeta-фазы под давлением в область метастабильного состояния при атмосферном давлении.
Башкин И.О., Нефедова М.В., Тиссен В.Г., Понятовский Е.Г. Сверхпроводимость в системе Ti--D под давлением // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 12, Стр. 2153