А.В. Важенин, Г.Н. Рыкованов, Э.П.Магда, З.З.Мунасипов, Г.В.Мокичев, А.С.Доможирова . Уральский центр нейтронной терапии - результаты работы, перспективы. Известия Челябинского научного центра, http://www.csc.ac.ru/news/, Специальный выпуск к 60-летию РАМН, 2004

Показаны результаты создания в структуре научно-образовательного центра (НОЦ CRDF REC-011) «Фундаментальные исследования материи в экстремальных состояниях» современного дизайн-центра научно-технического творчества «Электроника для современных физических экспериментов», нацеленного на автоматизированное компьютерное проектирование специализированных интегральных микросхем и сенсоров и их опытное изготовление как на собственной, так и передовой зарубежной технологической базе.

Гавриленко Борис Викторович. Минерагения благородных металлов и алмазов северо-восточной части Балтийского щита: Автореф. дис. канд. геолого-минералогических наук : 25.00.11 / Геологический институт Кольского научного центра РАН - Москва, 2003 - 399с.

Реконструкция мелких доноров в кристаллах GaAs--Ga1-xAlxAs, сопровождающаяся образованием глубоких катионных DX-центров, впервые рассматривается в кластерном приближении с помощью самосогласованного метода рассеянных волн. Демонстрируется, что образование DX--состояния C3v-симметрии может быть обусловлено отличием электронной структуры мелкого донора от структуры атома решетки, которое является причиной перехода примесного атома в ближайшее тетраэдрическое междоузлие. Предлагаемая модель катионных DX-центров основана на принципиальной возможности локализации двух антисвязывающих электронов на разрыхляющей орбитали одной из четырех тетраэдрических связей примесного центра с лигандами мышьяка, что приводит к ее значительному ослаблению и соответствующему образованию тригонального DX--состояния.

Исследованы спектры фотолюминесценции слоев SiO2, имплантированных суммарными дозами 1.6· 1016, 4· 1016 и 1.6· 1017 см-2 ионов Si и затем отожженных в стационарном (30 мин) и импульсном (1 с и 20 мс) режимах. Структурные изменения контролировались высокоразрешающей электронной микроскопией и комбинационным рассеянием. Обнаружено, что при снижении дозы с 4· 1016 см-2 до 1.6· 1016 см-2 перестают формироваться центры слабой фотолюминесценции видимого диапазона, а также теряется возможность сформировать последующими отжигами нанокристаллы Si и получить сильную фотолюминесценцию в красной--ИК области. Отжигу после больших доз присущи стадии роста фотолюминесценции (до -700oC), ее гашения при 800/ 900oC и возникновения очень интенсивной полосы фотолюминесценции вблизи 820 нм (более 900oC). Последней стадии соответствует появление нанокристаллов Si. Дозовая зависимость объяснена потерей возможности вытесняемых из SiO2 избыточных атомов Si взаимодействовать между собой с образованием перколяционных кластеров. Особенности отжигов обусловлены при слабых нагревах доминированием перколяционных кластеров Si, а выше ~ 700oC--- трансформацией этих кластеров в фазовые выделения, не дающие фотолюминесценции. При температуре выше 900oC образующиеся нанокристаллы Si дают интенсивную полосу фотолюминесценции благодаря квантово-размерному эффекту. Различие в скоростях перколяции и превращения кластеров в фазовые выделения влияет на преципитацию кремния при комбинированных отжигах.

Методами фотолюминесценции, комбинационного рассеяния и спектроскопии обратного рассеяния alpha-частиц исследовано формирование центров видимого рекомбинационного излучения при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионамиGe. Обнаружено, что обусловленные Ge центры формируются сразу после имплантации, а с повышением температуры отжига до 800oC проявляются стадии роста и спада интенсивности полос фотолюминесценции. Диффузионное перераспределение атомов Ge наблюдалось только после 1000oC и сопровождалось формированием германиевых нанокристаллов. Это, однако, не приводило к появлению интенсивной фотолюминесценции в отличие от прошедших аналогичную обработку слоев SiO2 с избыткомSi. Считается, что до начала диффузииGe формирование центров фотолюминесценции происходит путем замыкания прямых связей между близкими избыточными атомами, что дает доминирующую фиолетовую полосу (аналогичную фотолюминесценции вакансийO вSiO2) и слабое длинноволновое свечение различных комплексовGe. Последующее образование центров фотолюминесценции с lambdam~570 нм при отжигах ниже 800oC объяснено стягиванием связанных атомов Ge в компактные некристаллические преципитаты. Отсутствие после высокотемпературных отжигов сильной фотолюминесценции обусловлено несовершенством границ раздела между сформировавшимися нанокристалламиGe и матрицейSiO2.

Проведен сравнительный анализ особенностей перестройки метастабильных примесных центров в тетраэдрических (III--V иII--VI) и кубических (IV--VI) кристаллах при изменении заряда центра. На основе кластерного приближения исследуется, каким образом специфика химического строения кристаллической матрицы определяет характер реконструкции соответствующего дефекта. Для центров IV--VI : III отмечается принципиальное значение трехцентрового характера кристаллических связей и особая роль несвязывающего (слабосвязывающего) 3a1g-состояния, обладающего свойствами как примесного, так и возмущенного кристаллического состояния одновременно.

На основе анализа характера изменения электронной структуры и химической связи регулярного кристалла при легировании, а также при изменении зарядового состояния дефекта предложена общая картина перестройки метастабильных центров, донорных и акцепторных, в различных полупроводниках: "классических" полупроводниковых соединенияхIII--V и II--VI, преимущественно ионном кристалле CdF2 и узкозонных соединенияхIV--VI; выявлены причины, приводящие к реконструкции центра, установлены общие тенденции и специфика их проявлений для отдельных классов кристаллов и типов примесных центров.

В магнитном полупроводнике CdCr2Se4 с различными концентрациями примесей Ga и вакансий Se (VSe) в интервале температур 10--300 K проведены комплексные исследования электропроводности и фотопроводимости в постоянных и переменных электрических полях, термостимулированной проводимости и фотоферромагнитного эффекта. Впервые обнаружено явление фотоиндуцированной прыжковой проводимости. Показано, что центрами, ответственными за фотоферромагнитный эффект, могут быть мелкие донорные уровни, обменивающиеся захваченными ими фотоэлектронами с магнитными ионами Cr3+. Вследствие такого обмена ионы Cr приобретают валентную и спиновую неустойчивости, приводящие к неравновесному захвату ими доменной стенки.

В своей жизни человек сталкивается с множеством проблем. Многие из них являются следствием воздействия факторов окружающей его действительности, не зависящей от человека. Для того чтобы не только выжить, но и быть успешным в этом мире, человек должен сохранить себя как личность, свое чувство субъектности. При определении «стратегии выживания личности» автор исходит из известного в психологии активности тезиса: «Мир начинается с тебя, с твоего отношения к миру, другим людям и к себе». В книге приводятся психологические рекомендации, позволяющие стать более успешным в общении с другими людьми. Книга может быть полезна практическим психологам, педагогам школ, студентам, изучающим психологию, а также всем тем, кто интересуется практической психологией и социальными технологиями.