Методом { in situ} сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии исследовано влияние адсорбции золота на распределение моноатомных ступеней на поверхности кремния (111) при температурах 850--1260 circC. Обнаружен новый эффект нестабильности морфологии поверхности кремния, который вызывает перераспределение регулярных ступеней (textbf{РС}) в эшелоны ступеней (textbf{ЭС}), и наоборот, на поверхности, содержащей субмонослойное покрытие золота. В условиях нагрева кристалла прямым пропусканием электрического тока установлена зависимость морфологических переходов textbf{РС} Leftrightarrow textbf{ЭС} на поверхности кремния от степени покрытия золотом и направления нагревающего тока. Так, изотермический отжиг при 900 circС сопровождался следующими переходами на поверхности кремния с предварительно осажденным 0.75 МС золота: textbf{РС} (0.72) Rightarrow textbf{ЭС} (0.42) Rightarrow textbf{РС} (0.24) Rightarrow textbf{ЭС} (0.07) Rightarrowtextbf{РС} (0). В скобках приведены оценочные значения критических покрытий золотом в монослоях, при которых наблюдались морфологические переходы. При смене направления электрического тока, используемого для нагрева кристаллла, происходило обратимое изменение textbf{РС} Rightarrow textbf{ЭС}, а textbf{ЭС} Rightarrow textbf{РС} при тех же значениях критических покрытий золотом.

Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)A, (111)B. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста.

Методом масс-спектрометрии вторичных ионов исследовано распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111) A, (111) B. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время анализа методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при анализе методом масс-спектрометрии вторичных ионов, так и с ускоренной диффузией Si по дефектам роста.

Ивaновский А.Л., Сабирянов Р.Ф. Адсорбция атомарного кислорода на полярной (111) поверхности карбидов титана и ванадия : моделирование электронной структуры и Оже-электронных спектров кластерным методом дискретного варьирования // Электронный журнал "Исследовано в России", 1-4, 298-303, 2000. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2000/022.pdf

А.В. Гусев, С.И. Морозов, Т.П. Привалова, А.Е. Чудаков . Особенности поверхностной сегрегации атомов Ag и Sn в поверхности (111) сплавов Cu-Ag-Sn. Известия Челябинского научного центра, http://www.csc.ac.ru/news/, Выпуск 2(19), 2003

Аристов В.Ю., тальянский В.И., Харламов А.А.. Об электропроводности поверхности (111) германия, образованной скалыванием // Письма в ЖЭТФ, том 34, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru

Свиридовский Л.С., Галаев А.А., Горюнова И.И.. Чистая поверхность Si(111) - 2Х1: большие неравновесные изгибы зон // Письма в ЖЭТФ, том 38, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru

Долгополов В.Т., Житенев Н.Б.. О строении двумерных подзон в МДП структурах (111) германия // Письма в ЖЭТФ, том 40, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru

Гусев Г.М., Заварицкий Н.В., Квон З.Д., Юргенс А.А.. О долинном вырождении двумерных электронов у поверхности (111) кремния // Письма в ЖЭТФ, том 40, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru

Москалев А.А., Цой B.C.. Особенности неупругой дифракции медленных электронов на поверхности (111) сурьмы // Письма в ЖЭТФ, том 43, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru