Представлены результаты исследований изменения свойств сенсоров магнитного поля на основе нитевидных микрокристаллов n+-InSb в процессе облучения быстрыми нейтронами реактора ИБР-2. Оценена оптимальная концентрация свободных электронов n~(6-7)· 1017 см-3 в InSb, которая обеспечивает максимальную радиационную стойкость сенсоров. Определен раздельный вклад двух конкурирующих процессов в изменение электрофизических свойств InSb при нейтронном облучении: трансмутационного легирования InSb мелкой донорной примесьюSn и компенсации исходной проводимости n+-InSb вследствие генерации глубоких радиационных дефектов акцепторного типа.

В одноэлектронном приближении рассмотрено изменение энергетического спектра носителей заряда в цилиндрическом полупроводниковом слое под влиянием поперечного к оси симметрии однородного электрического поля. Получена явная зависимость величины штарковского сдвига от напряженности внешнего поля и нанорадиальных размеров образца. Рассчитаны также коэффициенты поглощения и получены соответствующие правила отбора для межзонных и внутризонных-межподзонных оптических переходов в присутствии внешнего электрического поля.

Проведены исследования эффективности введения донорных центров в кислородсодержащем Si при термообработках при 450oC после предварительной гидрогенизации в плазме водорода и облучения gamma-квантами 60Co. Показано, что максимальная скорость введения донорных центров наблюдается в образцах, содержащих водород в атомарной форме. Облучение Si gamma-квантами 60Co с предварительно гидрогенизированным в плазме водорода слоем приводит к высвобождению атомарного водорода из связанных состояний. Это повышает скорость введения донорных центров при последующих термообработках при 450oC. PACS: 81.40.Ef, 81.40.-g, 61.80.Ed, 73.30.+y

Представлены результаты исследования поглощения инфракрасного излучения свободными носителями заряда в монокристаллах GaAs : Te, выращенных методом Чохральского с концентрацией электронов n0=5· 1017-6· 1018 см-3. Анализ спектральных зависимостей коэффициента поглощения проводился с учетом пространственной корреляции в распределении примесных зарядов. Показано, что модель корреляции ближнего порядка позволяет объяснить уменьшение величины коэффициента поглощения и ослабление его спектральной зависимости в области поглощения свободными носителями заряда, обусловленного рассеянием на ионах примеси. PACS: 78.20.Di, 78.30.Fs, 71.55.Eq

Представлены результаты исследования характера влияния облучения быстрыми и полным спектром реакторных нейтронов и последующих термообработок на структурные характеристики монокристалловInP. Показано, что в отличие от других полупроводниковых соединений AIIIBV в монокристаллахInP при облучении нейтронами период решетки уменьшается. Основной вклад в изменение периода решетки вносят быстрые нейтроны. Наличие составляющей тепловых нейтронов, приводящих к образованию в материале атомовSn, не вызывает существенного изменения периода решетки. Термообработка облученных образцов до температуры порядка600oC приводит к отжигу радиационных дефектов и восстановлению периода решетки, а при больших флюенсах нейтронов период решетки становится больше, чем до облучения. Анализ полученных экспериментальных результатов позволил сделать предположение о том, что уменьшение периода решетки вInP при облучении нейтронами вызвано в основном образовавшимися антиструктурными дефектамиPIn, вызывающими в данном случае эффект, аналогичный вакансионным дефектам. PACS: 61.66.-f, 61.80.Hg, 61.82.Fk, 81.40.Wx, 81.40.Gh

Изучены структурные превращения в кристаллах InSb при облучении быстрыми нейтронами (сэнергиями E>0.1 МэВ) и полным спектром реакторных нейтронов с соотношением плотностей потоков тепловых и быстрых нейтронов varphisn/varphifn~ 1. Показано, что по характеру воздействия быстрых нейтронов на период решетки в дозовой зависимости можно выделить два участка. При малых флюенсах быстрых нейтронов (Ffn2.5· 1017 см-2 период решетки с увеличением флюенса нейтронов растет линейно, и образуется множество мелких вакансионных и межузельных кластеров, которые могут захватывать примесные атомыSn. Термообработка облученных образцов до400oC приводит к полному восстановлению значений периода решетки. PACS: 61.80.Hg, 61.66.Fn

Данное пособие предназначено для студентов факультетов высших учебных заведений дневной и заочной формы обучения по специальности «Юриспруденция», осваивающих дисциплину «История Отечества». Оно может быть рекомендовано как для подготовки к экзамену по данному предмету и работы на семинарах, так и для самостоятельного освоения отечественной истории будущим юристом. Основной упор при составлении пособия автор постарался сделать на особенностях развития государства и права в тот или иной исторический период. Подобное рассмотрение отечественной истории сквозь призму государственно-правового развития нашей страны и общества на различных этапах его развития является гораздо более приемлемым и полезным для студентов, чем учебники по истории России для гуманитарных неисторических специальностей. Структура пособия выстроена по хронологическому принципу, т.е. все темы освещаются в строгом порядке, начиная с Древней Руси и заканчивая современной Россией. Фактический и теоретический материал учебного пособия позволит студенту не только получить представление об основных событиях отечественной истории, основных политических и правовых моделях, существовавших в нашей стране, но и углубить свои знания: увидеть исторический процесс в деталях и подробностях, узнать о неизвестных политико-правовых особенностях прошлых эпох. Ряд материалов, включенных в пособие, может быть использован для подготовки докладов и различных других форм творческой работы студентов.

в статье рассмотрены аспекты повышения доходности туристической деятельности

Статья посвящена одному из методов контроля качества корпоративного управления в коммерческих банках. В ней коротко раскрывается суть аудита корпоративного управления и его этапы.

В книге представлена эволюционная теория происхождения и сущности государственной власти, её развития от древности до наших дней.