Методами компьютерного моделирования применительно к ГПУ кристаллам проведен анализ особенностей процессов движения скользящих дислокаций через композиционные амсамбли точечных препятствий и колеблющихся дислокаций леса. Показано, что возможность дислокаций леса совершать вынужденные колебания приводит к увеличению прозрачности композиционного ансамбля. Установлено, что при достижении амплитудой дислокационных колебаний определенного значения, зависящего от мощности точечных препятствий, также препятствия в композиционном ансамбле практически полностью утрачивают возможность оказывать сопротивление продвижению скользящих дислокаций.

Впервые обнаружено, что на поверхности щелочно-галоидных кристаллов LiF и NaF, активированных переходными металлами Co, Ni, Mn, в процессе термодиффузии внутрикристаллических примесей образуются пленки, состоящие из структур преимущественно переходного металла. Показано, что толщина и плотность пленки, а также состав различаются в зависимости от условий термообработки кристаллов. Образцы отжигались при температурах от 473 до 1073 K в вакууме и на воздухе. Поверхностные структуры, полученные обработкой кристаллов в вакууме, проявляют магнитные свойства. Исследования, проведенные методами оптической, рентгенофлуоресцентной и электронной спектроскопии, позволяют предположить механизмы образования пленок переходного металла в процессе термического отжига. PACS: 61.72.Ji, 66.30.Jt

Исследованы электрофизические свойства и спектр глубоких ловушек в GaAs при термообработке, нейтронном облучении и последующем отжиге до Tann=1100 oC. Показано, что при Tann>900 oC в GaAs интенсивно формируются термоакцепторы, что приводит к ухудшению свойств ядерно-легированного материала. Проведены оценки коэффициента использования примеси при ядерном легировании GaAs в зависимости от Tann и интегрального потока нейтронов. Приведены параметры глубоких ловушек в исследованном материале.

Учтено влияние рекомбинации в области пространственного заряда эмиттерного перехода на коэффициент передачи биполярного транзистора. Результаты измерений коэффициента передачи транзистора при низком уровне инжекции на некоторых промышленных образцах практически совпадают с расчетными значениями, сделанными по полученным выражениям с учетом глубоких уровней и рекомбинации через них.

Исследована зависимость электрофизических свойств монокристаллических образцов InP с различными исходными концентрациями носителей заряда от условий облучения быстрыми нейтронами реактора и последующих термообработок в интервале температур 20/ 900oC. Показано, что характер изменения электрофизических свойств зависит от уровня легирования исходного материала, а отжиг в указанном интервале температур приводит к полному устранению радиационных дефектов, что делает возможным применение метода ядерного легирования к образцам InP. Вклад от ядерных реакций на промежуточных нейтронах в общий уровень ядерного легирования образцов InP составляет ~ 10%.

Приведены экспериментальные результаты изучения процесса ядерного легирования монокристаллов InP облучением нейтронами ядерного реактора; показана возможность их легирования оловом в широком диапазоне концентраций и получения концентрации свободных электронов до 2· 1019 см-3. Исследованы электрофизические свойства материала и характер их изменения при облучении и в процессе последующих термообработок. Определены перспективы использования метода.

Спектры оптического поглощения GaAs, облученного реакторными нейтронами (потоками до D=2· 1019 см-2) при температурах 70, 350--390, 850oC, исследованы при последующем изохронном отжиге до 1100oC. Показано, что свободные носители (в концентрации n>~= 1017 см-3) в облученном материале появляются при температурах отжига вблизи 400--550oC. Оценено качество ядерно-легированного материала в зависимости от условий облучения и температуры последующего термического отжига.

Предложена теоретическая модель наиболее локализованного дефектного состояния кристалла, пригодная для расчета стационарного положения уровня Ферми в радиационно-модифицированных полупроводниках, оценки высоты барьера контакта металл/полупроводник и разрывов энергетических зон в полупроводниковых гетеропарах. Показано, что такому состоянию соответствует наиболее глубокий уровень в области запрещенной зоны каждого полупроводника. Данный уровень выполняет роль, аналогичную уровню электронного химического потенциала, в объемном дефектном полупроводнике и на межфазной границе. Выполнены численные расчеты энергетического положения данного уровня в полупроводниковых группах IV иIII-V.

Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических, оптических свойств и особенностей отжига (до800oC) радиационных дефектов в кристаллах InAs n- и p-типа проводимости, облученных электронами сэнергией ~ 2 МэВ интегральными потоками до D=1· 1019 см-2. Выполнены расчеты электронной структуры нерелаксированных дефектовVAs, VIn, AsIn иInAs. Обсуждается связь электрофизических свойств и положения уровня Ферми в облученном InAs с электронной структурой собственных дефектов и особенностями зонного спектра полупроводника.

Представлены результаты исследований электрофизических свойств и спектров оптического поглощения InP, облученного быстрыми нейтронами (E>0.1 МэВ, Df.n=<q 1019, см-2) и полным спектром реакторных нейтронов (Dth.n=<q 2.1· 1019 см-2, отношение потоков составляло varphith.n/varphif.n~ 1), а также характер изменения этих свойств при последующей термообработке материала до900oC. Результаты оптических исследований свидетельствуют о том, что свободные носители заряда в сильно облученном нейтронами InP появляются только после отжига выше 500oC. Оценена эффективность ядерного легирования и качество ядерно-легированного материала.