Найдено научных статей и публикаций: 1292   
81.

Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники . I.Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом жидкофазной эпитаксии     

Чарыков Н.А., Литвак А.М., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Проведен расчет диаграмм фазовых равновесий расплав--твердый раствор (диаграмм плавкости) и твердый раствор (I)--твердый раствор (II) (поверхностей спинодального распада твердых растворов) в пятикомпонентной системе In--Ga--As--Sb--P (твердые растворы изопериодны подложкам GaSb и InAs). Проведен расчет концентрационных областей твердых растворов изовалентного замещения InxGa1-xAsySbzP1-y-z, доступных к синтезу, методом жидкофазной эпитаксии.
82.

Твердые растворы ( C IV2)1-x( A III B V)x, полученные изограниченного объема оловянного раствора--расплава     

Сапаев Б., Саидов М.С., Саидов А.С., Каражанов С.Ж. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Приводятся теоретические предпосылки образования непрерывного ряда твердых растворов замещения с позиции учета обобщенных моментов, разности валентности и ковалентных радиусов исходных компонентов. На основе этих исследований разработана технология получения из оловянного раствора--расплава методом принудительного охлаждения эпитаксиальных слоев (Si2)1-x(GaAs)x (0=<q x=<q0.96) и (Si2)1-x(GaP)x (0=<q x=<q 1) на кремниевых подложках. Исследованы распределение компонентов по толщине слоев (Si2)1-x(GaAs)x, (Si2)1-x(GaP)x, фоточувствительность и вольт-амперные характеристики гетероструктур Si-(Si2)1-x(GaAs)x и Si-(Si2)1-x(GaP)x. Анализ результатов рентгеновских исследований и фотоэлектрических свойств полученных эпитаксиальных слоев твердых растворов указывает на структурное совершенство выращенных твердых растворов (CIV2)1-x(AIIIBV)x.
83.

Инфракрасные светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов--расплавов     

Астахова А.П., Гребенщикова Е.А., Иванов Э.В., Именков А.Н., Куницына Е.В., Пархоменко Я.А., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Сообщается о создании светодиодов на основе твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов--расплавов. Приведены результаты исследования электролюминесцентных характеристик и их зависимости от тока и температуры. Внешний квантовый выход фотонов составил при комнатной температуре1.6 и0.11% для светодиодов с длиной волны излучения lambda=2.3 и 2.44 мкм соответственно. Для светодиодов с длиной волны излучения lambda=2.3 мкм при комнатной температуре в квазинепрерывном режиме достигнута средняя мощность излучения P=0.94 мВт, а в импульсном режиме пиковая мощность излучения составляла P=126 мВт (при токе3 А, длительности импульса0.125 мкс и частоте512 Гц).
84.

Процессы переноса компонентов раствора i-i электролитов в системе плазма-раствор     

Хлюстова Анна Владимировна
Хлюстова А.В. Процессы переноса компонентов раствора i-i электролитов в системе плазма-раствор: автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04. - M, 2010.
85.

Термодинамика растворов полиэлектролитов в гауссовом эквивалентном представлении в рамках мезоскопических моделей. водный раствор хондроитинсульфата     

Макарова Елена Станиславовна
Макарова Е.С. Термодинамика растворов полиэлектролитов в гауссовом эквивалентном представлении в рамках мезоскопических моделей. водный раствор хондроитинсульфата : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04. - M, 2008.
86.

Определение парциальных парных корреляционных функций для многокомпонентных систем методом EXAFS:применение к водным растворам ZnBr2     

Бабанов Ю.А., Каменский И.Ю., Хаземанн Ж.-Л., Кальзавара И., Раокс Д. - Электронный журнал "Исследовано в России" , 2006
Предложен метод определения парциальных парных корреляционных функций для многокомпонентных систем из данных EXAFS. Метод основан на использовании процедуры регуляризации при решении интегрального уравнения Фредгольма первого рода. Эффективность метода была проверена при проведении модельных численных экспериментов для кристаллического сплава ZnBr2. Представлены результаты полученные из экспериментальных данных для водного раствора ZnBr2 при комнатной температуре (303K) и давлении 250 бар. Характерными особенностями метода являются высокая разрешающая способность для близко расположенных координационных сфер и высокая точность определения парциальных парных корреляционных функций.
87.

Электропроводность водных растворов муравьиной и уксусной кислот     

Щербаков В.В., Барботина Н.Н. - Электронный журнал "Исследовано в России" , 2006
В интервале температур 15–90оС исследована удельная электропроводность водных растворов муравьиной и уксусной кислот. Получены уравнения, описывающие концентрационную и температурную зависимость электропроводности.
88.

Термодинамика поверхностной сегрегации ZrC из твердого раствора Zr1-xNbxC и фазовые равновесия в системе Zr-Nb-C     

Ремпель С.В., Гусев А.И. - Электронный журнал "Исследовано в России" , 2005
Методами электронной микроскопии, рентгеновского микроанализа, лазерного масс-анализа и рентгеновской дифракции обнаружено спонтанное поверхностное выделение зерен карбида циркония из карбидных твердых растворов псевдобинарной системы ZrC - NbC. Показано, что поверхностная сегрегация ZrC является следствием распада гомогенных карбидных твердых растворов Zr1-xNbxC = (ZrC)1-x(NbC)x. Найдены температурные и концентрационные границы твердофазной области распада карбидных твердых растворов с разной нестехиометрией. Показано, что карбидные твердые растворы распадаются при температуре ниже 1200 K. Величина энергии сегрегации ZrC, оцененная из экспериментальных данных и теоретически, составляет -50 и -31 кДж моль-1, соответственно. Рассчитана и в интервале температур от 300 до 3900 K построена равновесная фазовая диаграмма тройной системы Zr – Nb – C.
89.

Водородная связь в структуре твердых растворов KXNH4(1-X)ClO4     

Халиуллин Р.Ш., Леонтьева Е.В., Невоструев В.А. - Электронный журнал "Исследовано в России" , 2005
Изучены ИК-спектры параметры кристаллической структуры смешанных кристаллов KXNH4(1-X)ClO4 в диапазоне концентраций 0 x 1 при комнатной температуре. Получен-ные результаты обсуждаются на основе разницы природы водородных связей в чистом перхлорате аммония и твердых растворах KXNH4(1-X)ClO4
90.

Фотолиз твердого раствора KClO4 - RbClO4     

Халиуллин Р.Ш., Леонтьева Е.В., Невоструев В.А. - Электронный журнал "Исследовано в России" , 2005
Методом количественного химического анализа определены концентрации ионных продуктов фотолиза KхRb(1-х) ClO4 (0 х 1) светом 185+254 нм, построены кривые накоп-ления. Наблюдаемое снижение эффективности разложения двойных систем по сравнению с индивидуальными перхлоратами обсуждается с точки зрения кристаллохимических осо-бенностей структуры KхRb(1-х)ClO4, энергии колебаний и прочности Cl-O связей. Методом ЭПР зарегистрированы электронные O3- , [O3-, O2] и дырочные ClO3 , ClO2 парамагнитные центры в фотолизированных твердых растворах замещения KхRb(1-х) ClO4. Концентрации парамагнитных центров в твердых растворах меньше рассчитанных по линейно аддитив-ной зависимости от состава образцов.