Приведены спектральные характеристики светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs с активным слоем из InAs и резонатором, образованным широким анодным контактом и поверхностью структуры, излучающих вблизи 3.3 мкм при комнатной температуре. Приведены данные о диаграмме направленности и модовой структуре светодиодов с толщинами 7.5-45 мкм и зависимости положения мод от тока накачки.

Исследовано влияние gamma-облучения на величину плотности поверхностных состояний на границе раздела кремний--свинцово-боросиликатное стекло. Установлено, что при дозах облучения, больших чем 106 рад, наблюдается возникновение локального максимума поверхностных состояний при энергии E=Ec-(0.32±0.04) эВ. Показано, что граница раздела Si--свинцово-боросиликатное стекло характеризуется меньшей чувствительностью к воздействию gamma-облучения по сравнению с границей раздела Si--SiO2, полученной термическим окислением поверхности кремния.

Проведены температурные (77--300 K) измерения вольт-фарадных характеристик и внешней квантовой эффективности электролюминесценции голубых GaN-светодиодов с InGaN-квантовой ямой. Результаты интерпретируются с учетом влияния локализованных на интерфейсе InGaN / GaN состояний, создаваемых дефектами структуры и примесями, на емкость GaN-светодиодов. Нелинейные C-2(U)-характеристики, наблюдающиеся при малых прямых напряжениях, связываются с увеличением заряда на интерфейсе в результате туннелирования и захвата свободных электронов на состояния интерфейса. Согласно оценкам, на интерфейсе присутствуют состояния с плотностью порядка 3·1012 см-2. Рекомбинационный ток в области интерфейса приводит к подавлению инжекции носителей заряда в квантовую яму и падению эффективности электролюминесценции при больших прямых напряжениях. Процесс деградации оптической мощности светодиода, сопровождающийся ростом измеряемой емкости, связывается с увеличением плотности заряженных состояний на инетрфейсе и изменением их распределения в запрещенной зоне.

При помощи метода релаксации неравновесной емкости структуры металл--окисел--полупроводник изучено влияние ультразвукового воздействия на генерационные параметры границы раздела Si-SiO2, облученной gamma-квантами. Обнаружено уменьшение генерационного времени жизни под влиянием ультразвуковой обработки. Показано, что в облученных и необлученных структурах изменение генерационных параметров под влиянием ультразвука носит существенно различный характер. PACS: 73.40.Qv, 73.20.Hb, 61.80.Ed, 73.50.Gr

Аксенов В.л., Fredrikze H., Кожевников С.в., Никитенко Ю.в., Rekveldt M.th. Наблюдение пространственного расщепления поляризованного пучка нейтронов на границе раздела двух магнитно-неколлинеарных сред // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 90-91

Корнилов Ю.и. Развитие возмущений границы раздела упругого тела и жидкости при совместном действии постоянного и импульсного ускорений // Научная сессия МИФИ-1999. Т.12 Физические науки, стр. 39-43

Чуканов В.о., Сергеева Е.в. Электронный учебник по курсу "Основы теории компьютеров" (раздел:выполнение операций над числами с фиксированной запятой) // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.10 Телекоммуникации и новые информационные технологии в образовании, стр. 45-46

Ионов А.м., Ротов А.а. Моделирование влияния наклонных границ раздела в земной коре на структуру Lg-волн // Научная сессия МИФИ-2001. Т.5 Медицинская физика т техника, биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 48-49

Ионов А.м., Ротов А.а. Моделирование влияния наклонных границ раздела в земной коре на структуру Lg-волн // Научная сессия МИФИ-2001. Т.5 Медицинская физика т техника, биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 48-49

Чуканов В.о., Сергеева Е.в. Электронный учебник по курсу "Основы теории компьютеров" (Разделы: арифметика, логика) // Научная сессия МИФИ-2001. Т.10 Телекоммуникации и новые информационные технологии в образовании, стр. 90-91