Методами растровой электронной микроскопии с использованием энергодисперсного анализа изучен механизм структурообразования и локальный химический состав конденсатов системы Ti--C, образованных на границе раздела углеродно-аргонно-титановая плазма--титановая подложка при условии убывания со временем титановой составляющей плазмы. Установлен пространственно распределенный рост различных структурных модификаций углерода, обусловленный перераспределением массопереноса вблизи подложки, а также селективной конденсацией только тех адатомов, которые в период термической аккомодации создали с ростовой поверхностью достаточно устойчивые химические связи.

В трехслойных образцах Fe/Cr/Fe, различающихся шероховатостью границ раздела слоев, методами керровской магнитометрии и мандельштам-бриллюэновского рассеяния света исследовано взаимодействие слоев железа через хромовую прослойку в зависимости от толщины прослойки и температуры. Обнаружено, что в широком диапазоне значений этих параметров межслойный обмен в образце Fe/Cr/Fe с достаточно гладкими границами раздела может адекватно описываться моделями ``магнитной близости'' и ``половинного угла'', учитывающими антиферромагнитные свойства хрома. При увеличении шероховатости становится справедливой хорошо известная модель биквадратичного обмена. Тем самым продемонстрировано решающее влияние магнитной жесткости хромовой прослойки и структуры межслойных границ на неколлинеарное взаимодействие в системе Fe/Cr/Fe.

К. Водичка, Раздел чехословакии - десять лет спустя // Журнал "Социологические исследования", № 1, 2003, http://socis.isras.ru/

Исследовались особенности контактообразования в системе NbN--GaAs при изменении структурно-фазового состояния металлического конденсата. Показано, что роль химического фактора в процессах контактообразования снижается с возрастанием степени структурного совершенства сплава NbN. Обсуждаются причины соответствующих изменений в электронной структуре границы раздела, вызванных фазовым переходом NbN--Nb4N3. До и после отжига в вакууме при T=850oC в течение 10 s измерены оже-спектры и вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики поверхностно-барьерных структур NbN--GaAs.

На основе анализа выведенного дисперсионного уравнения показана возможность существования двух различных видов неустойчивости по отношению к собственному заряду заряженной плоской границы раздела двух вязких несмешивающихся жидкостей конечной электропроводности в поле силы тяжести. При больших значениях поверхностной плотности заряда в зависимости от вязкостей и отношения удельных электропроводностей сред может наблюдаться либо апериодическая (типа Тонкса--Френкеля), либо колебательная неустойчивость границы раздела. Увеличение вязкости нижней жидкости приводит к существенному снижению инкрементов рассмотренных видов неустойчивостей и изменению критических условий проявления колебательной неустойчивости, тогда как варьирование вязкости верхней жидкости на этих характеристиках сказывается весьма слабо.

Дифференциальное уравнение, описывающее эволюцию со временем возмущений плоской заряженной границы раздела двух несмешивающихся жидкостей, когда верхняя жидкость движется относительно нижней параллельно границе раздела с зависящей от времени скоростью, является уравнением Хилла. Граница раздела сред в такой системе при различных значениях физических параметров способна претерпевать неустойчивости трех видов: Кельвина--Гельмгольца, Тонкса--Френкеля и параметрическую. При определенных значениях физических параметров возможна реализация параметрической стабилизации границы раздела сред, неустойчивой по отношению к поверхностному заряду и к тангенциальному скачку поля скоростей на границе раздела сред.

В рамках линейной математической модели капиллярного волнового движения в двухслойной жидкости показано, что в результате взаимодействия волн, порождаемых свободной поверхностью верхнего слоя жидкости, движущегося поступательно с постоянной скоростью параллельно границе раздела сред, и волн, порождаемых заряженной границей раздела, кроме классической неустойчивости типа Кельвина--Гельмгольца в области малых значений скорости верхней среды имеет место колебательная неустойчивость границы раздела с инкрементом, зависящим от отношения плотностей сред, скорости поступательного движения и величины заряда на границе.

В рамках линейной теории изучен капиллярный распад слоя вязкой магнитной жидкости, находящейся в состоянии гидроневесомости при наличии градиентного магнитного поля. Внутренней границей слоя служит цилиндрическая поверхность токонесущего проводника, а внешней --- коаксиальная поверхность раздела с несмешивающейся невязкой жидкостью меньшей магнитной проницаемости. Исследовано влияние относительной толщины слоя и магнитного числа Бонда на характерное время развития наиболее быстро растущей гармоники и на характерный размер капель, образующихся в предельных режимах капиллярного распада (при больших и малых числах Онезорге).

Проведено сравнительное исследование влияния gamma-облучения 60Co в диапазоне доз 103-2·105 Gy на характеристики фотопреобразования и темновые ВАХ солнечных элементов (СЭ) поверхностно-барьерного типа (Au/GaAs) в зависимости от морфологии микрорельефа границы раздела, создаваемого с целью увеличения эффективности фотопреобразования. Показано, что из двух типов морфологии микрорельефа (дендритный и квазирешеточный), полученных методом химического анизотропного травления (100) поверхности n-GaAs, более перспективным для использования в СЭ, особенно космического назначения, является микрорельеф квазирешеточного типа, поскольку он позволяет получить СЭ с большей эффективностью и радиационной стойкостью.

В линейном приближении исследована электрогидродинамическая задача устойчивости поверхности вязкой жидкости на границе с воздухом с учетом кинетики переноса поверхности заряда. Определены критические напряженности электрического поля, нарушающие устойчивость плоской поверхности раздела. Найдены условия генерации незатухающих волн на межфазной границе.