Предложены новые выражения для закона сопротивления и безразмерного момента сил для турбулентного течения Тэйлора--Куэтта, исходя из обобщенной модели локального баланса турбулентной энергии. Эти формулы содержат единственную постоянную --- постоянную Кармана в случае предельно больших чисел Рейнольдса.

Для изучения динамических и статистических особенностей траекторий диффузионных процессов использовался вспомогательный процесс \glqq дробного сноса\grqq. Выведено уравнение для функции плотности вероятностей случайного блуждания, применимое в субдиффузионном и в супердиффузионном случаях. Найдено его решение, основанное на свойствах функций Миттаг--Леффлера.

Численно решена одномерная граничная задача по определению стационарного температурного поля ветви термоэлемента в режиме максимального температурного перепада в интервале температур горячего конца ветви 100-300 K. В расчете учтены эффект Томсона, распределенный эффект Пельтье и температурная зависимость подвижности носителей заряда. Проведена оптимизация по току и концентрации носителей.

Проанализирована распространенная в научной литературе ошибка, связанная с формой записи закона сохранения количества вещества на движущейся границе раздела двух жидкостей. В терминах векторного анализа проведен вывод не зависящей от выбора системы координат математической формулировки этого закона, справедливой для произвольной криволинейной поверхности с отличной от нуля кривизной, пригодной для анализа релаксационных феноменов, связанных с нелинейными волновыми движениями.

На основе законов сохранения энергии и z-компоненты импульса в волне магнитной самоизоляции (ВМС) в вакуумной передающей линии и в предположении, что все электроны, падающие на анод, имеют одинаковые энергию и угол падения. Найден релятивистский фактор gammam, соответствующий напряжению на внешней границе электронного потока, с учетом потерь энергии в волне-предвестнике. Исследовано влияние этих потерь на основные характеристики ВМС. PACS: 07.57.-c

Теоретически исследовано влияние электронов проводимости на кривую намагничивания металлического ферромагнетика с поверхностным закреплением магнитного момента. Электронный вклад обусловлен перестройкой дискретного спектра носителей заряда, захваченных неоднородным полем магнитной индукции такого ферромагнетика, и является своего рода диамагнитным эффектом, который приводит к заметному уменьшению усредненной по объему образца намагниченности ферромагнетика. В законе приближения намагниченности к насыщению получена степенная зависимость H-3/4 от внешнего магнитного поля H, обусловленная вкладом электронов проводимости.

Проведены измерения динамического диэлектрического отклика и нелинейной диэлектрической восприимчивости K1-xLixTaO3 (x=0.01, 0.016 и 0.03) в постоянном электрическом поле для области температур 4=< T=< 150 K. Обнаружено, что в образцах с двумя меньшими концентрациями лития электрическое поле E уменьшает диэлектрическую восприимчивость varepsilon'. В образце с концентрацией лития x=0.03 наблюдалось как уменьшение (E>1 kV / cm), так и увеличение (E

В линейном приближении по электрическому полю рассмотрен токоперенос в биполярном полупроводнике, замкнутом на металлический проводник. Выяснено, что электроны и дырки в общем случае являются неравновесными носителями в сколь угодно слабом электрическом поле и для корректного описания электропроводности необходим учет объемной и поверхностой рекомбинации. В приближении квазинейтральности определены пространственные распределения квазиуровней Ферми для электронов и дырок, получено общее выражение для проводимости биполярного полупроводника. Показано, что она существенно зависит не только от проводимостей электронов и дырок, но и от темпов поверхностной и объемной рекомбинации. Определены критерий слабой и сильной рекомбинации; показано, что обычно используемое выражение для проводимости биполярного полупроводника справедливо только при больших скоростях поверхностной и (или) объемной рекомбинации.

Мы исследуем новые эффекты в резонансном туннелировании электронов в однобарьерной гетероструктуре GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs с учетом приложенного электрического смещения. Gamma-X-смешивание электронных состояний на границах раздела ответственно за резонансы Фано в прозрачности барьера. Исследовано движение резонансов Фано и их взаимодействие с резонансами Брейта--Вигнера в электрическом поле. Рассчитана вольт-амперная характеристика гетеробарьера. Показано, что дифференциальная проводимость позволяет получить профиль резонанса Фано и определить его параметры.

Дифракционным и рентгенографическим методами определены параметры решетки эпитаксиальных твердых растворов AlxGa1-xAs с различным содержанием AlAs (x) в гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Вэпитаксиальных гетероструктурах с x~ 0.50 обнаружена фаза упорядочения (сверхструктурная фаза) AlGaAs2 с постоянной решетки, меньшей, чем параметры решеток твердого раствора Al0.50Ga0.50As и монокристаллической подложкиGaAs.