Базылев Борис Александрович. Петрология и геохимия океанических и альпинотипных шпинелевых перидотитов в связи с проблемой эволюции мантийного вещества: Автореф. дис. канд. геолого-минералогических наук : 25.00.09 - Москва, 2003 - 381с.

Представлена модификация известной модели вольт-амперных характеристик Оверстратена и др. [1] для МОП транзистора в области слабой инверсии, учитывающая планарную неоднородность поверхностного потенциала полупроводника. Предложена простая и удобная методика определения спектральной плотности поверхностных состояний и флуктуационного параметра по выходным (сток-стоковым) и передаточным (сток-затворным) однопороговым вольт-амперным характеристикам. Дополнительное измерение порогового напряжения МОП транзистора дает возможность рассчитать эффективный заряд окисла. Методика позволяет определять указанные поверхностные параметры МОП транзисторов с достаточно хорошей точностью и удобна для тестового контроля интегральных микросхем.

Проведены акустические исследования процессов кристаллизации и плавления галлия, введенного в опалоподобную матрицу. Обнаружены гистерезисные зависимости скорости и поглощения продольных ультразвуковых волн при фазовых переходах в alpha- и beta-модификациях. Показано, что акустические методы не регистрируют плавление и кристаллизацию в тетрагональной фазе галлия, образующейся в условиях ограниченной геометрии. Получены экспериментальные факты, свидетельствующие в пользу гетерогенной кристаллизации галлия в порах.

Рассматривается влияние случайно расположенных заряженных центров в кристалле на поляризацию люминесценции, связанную с ян-теллеровскими центрами в условиях однородной деформации.

C помощью обобщенного метода сильной связи исследована спектральная плотность в ARPES-спектрах антиферромагнитных диэлектриков Sr2CuO2Cl2 и Ca2CuO2Cl2 вдоль основных симметричных направлений зоны Бриллюэна. Установлено, что на потолке валентной зоны данных недопированных соединений в АФМ фазе имеется псевдощель магнитной природы Es( k)~0-0.4 eV между виртуальным уровнем и самой валентной зоной, а близость триплета 3B1g и уровня ZR-синглета может являться причиной наблюдаемого подобия дисперсии вдоль направлений Gamma=<ftrightarrow M и X=<ftrightarrow Y. Рассчитанная четность поляризованных ARPES-спектров в точках Gamma,M,X для АФМ фазы с учетом парциальных вкладов является положительной. Указаны также условия наблюдения парциальных вкладов в поляризованных ARPES-экспериментах. За счет спиновых флуктуаций виртуальный уровень приобретает дисперсию и малый спектральный вес. Вероятно, эффекты затухания просто не позволяют его разрешить на фоне основного квазичастичного пика. Работа выполнена при поддержке Красноярского научного фонда (КНФ грант N 9F0039).

В рамках континуального приближения исследуются различные типы магнитных структур в двумерном гейзенберговском ферромагнетике. Изучается влияние параметров анизотропного обмена и одноионной анизотропии на структуру вихря. В легкоплоскостном ферромагнетике предсказывается существование нового типа статических образований ("мишеней") и исследуется их структура.

Представлены результаты исследования температурной зависимости формы линии неупругого рассеяния нейтронов на TA фононах в GaAs, сильно легированном Te, в интервале температур от 363 до 253 K. Показано, что легирование теллуром (при концентрации носителей Ne~ 2· 1018 cm-3) приводит к появлению дополнительного вклада в рассеяние в области TA фононных резонансов со стороны высоких энергий при значениях приведенного волнового вектора q

Исследована кинетика релаксации фотопроводимости селективно легированных гетероструктур AlGaAs / GaAs, связанная с перезарядкой структурных дефектов с глубокими уровнями (EL2- и DX-центров). Установлено, что фотоиндуцированная перезарядка глубоких центров приводит к накоплению на них как положительного, так и отрицательного зарядов и таким образом вызывает положительную и отрицательную остаточную фотопроводимость. Положительные и отрицательные заряды накапливаются в разных частях гетероструктуры и характеризуются разными временами релаксации, по-разному зависящими от температуры. С этим связан немонотонный характер релаксации остаточной фотопроводимости и немонотонные температурные зависимости. Выяснено, что презарядка EL2-центров приводит к отрицательной остаточной фотопроводимости в области температур 180/300 K. При температурах ниже 180 K наблюдается отрицательная фотопроводимость, связанная с возбужденными состояниями DX-центров.