Случайные поля в кристаллах, создаваемые заряженными примесями и другими дефектами, дают дополнительное расщепление уровней акцепторов, которое, в силу хаотичности направления этих полей, приводит к уменьшению степени поляризации люминесценции в условиях одноосной деформации полупроводника. Вместо обычного описания деполяризации излучения методом эффективной температуры, в работе предлагается модель учета влияния кулоновского поля случайно расположенных заряженных центров на основное состояние акцептора в поле внешней одноосной деформации полупроводника. Сопоставление рассчитанных в данной модели поляризационных характеристик люминесценции при давлении вдоль оси[100] с экспериментальными данными при низких температурах позволяет оценить концентрацию заряженных центров.

Исследованы пленки GeO2, содержащие нанокристаллы германия, полученные двумя способами: осаждением пленок из пересыщенных паров GeO с последующим распадом метастабильного монооксида германия на гетерофазную систему Ge : GeO2; формированием аномально толстых естественных окислов германия химического состава GeOx(H2O) при его каталитически ускоренном окислении. Пленки на различных подложках исследованы с применением методик фотолюминесценции, спектроскопии комбинационного рассеяния света, спектральной эллипсометрии, высокоразрешающей электронной микроскопии. Впленках GeO2 с нанокластерами Ge обнаружена интенсивная фотолюминесценция при комнатной температуре. Изположения пика спектра комбинационного рассеяния на локализованных оптических фононах оценены размеры нанокластеров. Получена корреляция между уменьшением размеров нанокластеров и сдвигом пиков фотолюминесценции в синюю область спектра при уменьшении доли кристаллического германия. Наличие нанокластеров подтверждено данными электронной микроскопии высокого разрешения. Наблюдается корреляция рассчитанной с учетом размерного квантования электронов и дырок оптической щели в нанокластерах с положением экспериментально наблюдаемого пика. Из полученных данных можно сделать вывод, что нанокластеры Ge в матрице GeO2 являются квантовыми точками первого рода.

Исследованы зависимости интенсивности катодолюминесценции множественных квантовых ям Al0.55Ga0.45N/Al0.45Ga0.55N, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, от условий роста. Наблюдается увеличение почти на 2 порядка интенсивности пика катодолюминесценции с энергией 4.45 эВ при росте слоя квантовой ямы в режиме сильного обеднения по аммиаку. На картине дифракции быстрых электронов при этом появляется тенденция к режиму трехмерного роста, эффект интерпретируется в модели формирования квантовых точек AlGaN. PACS: 78.67.De, 78.67.Hc, 81.15.Hi

Борисов Н.м., Панин М.п. Применение сопряженных методов Монте-Карло для оценки доз облучения // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.1 Экология и рациональное природопользование. Биофизика, медицинская физика и техника. Экономика и управление. Актуальные проблемы гуманитарных наук. Роль естественно-научных дисциплин при подготовке инженеров по наукоемким направлениям, стр. 80-81

Борисов П.в. Интенсивный шум при оптическом взаимодействии полупроводниковых лазеров и его подавление // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 77-79

Борисов П.в., Дедушенко К.б. Измерение спектральной ширины линии при оптическом взаимодействии двух полупроводниковых лазеров // Научная сессия МИФИ-2000. Т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 233-234

Евгенев Г.б., Савинов А.м., Кузьмин Б.в., Борисов С.а, Лебедев С.б CASE-технология создания мультиагентных конструкторско-технологических САПР // Научная сессия МИФИ-2001. Т.3 Банки данных и анализ данных. Интеллектуальные системы и технологии. Технологии разработки программных систем, стр. 67-69

Борисов А.л., Жуков И.ю., Штабов А.н. Организация информационного хранилища на базе файловой системы ОС МСВС 3.0 // Научная сессия МИФИ-2001. Т.12 Компьютерные системы и технологии. Информационные системы и среды, технологии проектирования, электронный бизнес, стр. 139-140

Борисов А.л., Жуков И.ю., Штабов А.н. Информационные системы на базе отечественных программных средств // Научная сессия МИФИ-2001. Т.12 Компьютерные системы и технологии. Информационные системы и среды, технологии проектирования, электронный бизнес, стр. 141-142

Борисов А.а., Сумсокй С.и., Барыкин А.е. Численное моделирование течений в высокоплотных насыпных средах // Научная сессия МИФИ-2002. Т.7 Астрофизика и космофизика. Фундаментальная и прикладная математика. Физика пучков и ускорительная техника, стр. 83-84