Найдено научных статей и публикаций: 174   
41.

Усиление излучения дальнего инфракрасного диапазона горячими дырками в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях     

Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Кочегаров Ю.В., Тулупенко В.Н., Фирсов Д.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Приведены результаты прямых измерений коэффициента усиления поляризованного и неполяризованного длинноволнового инфракрасного излучения горячими дырками в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях в конфигурациях Фогта и Фарадея. Проведено сравнение экспериментальных данных с расчетами коэффициента усиления.
42.

Пространственное распределение излучения в дальней зоне мезаполосковых лазеров на основе InAsSb/InAsSbP в зависимости оттока     

Данилова Т.Н., Данилова А.П., Ершов О.Г., Именков А.Н., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследована диаграмма направленности в дальней зоне диодных мезаполосковых лазеров с шириной полоска 10 мкм в зависимости от тока. Диаграмма направленности в плоскости p-n-перехода содержит одну продольную моду, ширина которой зависит от тока. Показано сравнением теоретически рассчитанных и экспериментально измеренных пространственных мод, что эта зависимость определяется изменением с током распределений интенсивности светового потока и концентрации свободных носителей по ширине полоска. В том случае, когда они близки к равномерным, наблюдается максимально узкая пространственная продольная мода и одномодовый спектр излучения.
43.

Мощное дальнее инфракрасное излучение горячих дырок напряженной двумерной структуры InGaAs / AlGaAs     

Иванов Ю.Л., Морозов С.А., Устинов В.М., Жуков А.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
На фоне насыщения вольт-амперной характеристики в сильном электрическом поле напряженной структуры InGaAs / AlGaAs обнаружено резкое возгорание дальнего инфракрасного излучения в полях около 1.5 кВ / см. При дальнейшем увеличении электрического поля интенсивность излучения изменяется немонотонно. Предполагается связь возгорания излучения с образованием доменов, являющихся причиной насыщения тока.
44.

Дальнее инфракрасное стимулированное и спонтанное излучение в одноосно-деформированном бесщелевом Hg1-xCdxTe     

Венгер Е.Ф., Гасан-заде С.Г., Стриха М.В., Старый С.В., Шепельский Г.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
В одноосно-деформированном бесщелевом Hg1-xCdxTe (x=0.10/ 0.14) в условиях ударной ионизации электрическим полем обнаружено вынужденное излучение в диапазоне 80-100 мкм. Скачок излучения происходит при пороговых значениях упругой деформации и электрического напряжения и сопровождается скачком тока в образце. Получены также полевые и деформационные зависимости интенсивности спонтанного излучения. Предложен механизм наблюдаемого эффекта с учетом трансформации энергетических зон и примесных акцепторных уровней направленной упругой деформацией.
45.

Нелинейная генерация дальнего инфракрасного излучения вдвухчастотных полупроводниковых лазерах     

Афоненко А.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Рассмотрена нелинейная генерация разностной моды в инжекционном полупроводниковом лазере. Предложена конструкция лазера на основе гетероструктуры InGaAs--GaAs--InGaP, обеспечивающая генерацию двух лазерных мод в диапазоне1 мкм и разностной плазменной моды в диапазонах 15--35 и45--80 мкм. Показано, что в лазере с шириной волновода100 мкм при мощностях коротковолновых мод10 Вт мощность разностной моды при комнатной температуре может быть ~1 мкВт.
46.

Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра наоснове фотодиодов изCdxHg1-xTe     

Стафеев В.И., Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Акимов В.М., Климанов Е.А., Сагинов Л.Д., Соляков В.Н., Мансветов Н.Г., Пономаренко В.П., Тимофеев А.А., Филачев А.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Обзор содержит результаты исследований и разработок в ФГУП << НПО \glqq Орион\grqq>> фотодиодов и матричных фотоприемников на спектральные диапазоны 3-5 и 8-12 мкм на основе твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Представлены структура, топология и параметры разработанных фотодиодов, фотодиодных матриц \glqq смотрящего\grqq и многорядного типов, структура и электрические схемы созданных кремниевых мультиплексоров матричных фотоприемных устройств (МФПУ). Приведены параметры фотодиодных матриц различных форматов и созданного макета тепловизора на основе МФПУ формата 128x128элементов.
47.

Опыт использования программного комплекса "простор" и перспективы его дальнейшего применения     

Семенов А.а., Выговский С.б., Чернаков В.а., Щукин Н.в. - Научная сессия МИФИ-2004. Т.8 Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики , 2004
Семенов А.а., Выговский С.б., Чернаков В.а., Щукин Н.в. Опыт использования программного комплекса "Простор" и перспективы его дальнейшего применения // Научная сессия МИФИ-2004. Т.8 Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 79-80
48.

Бортовая оперативно-советующая экспертная система «дальний бой воздушный»     

Тищенко Ю.е., Федунов Б.е., Юневич Н.д., Демкин М.а. - Научная сессия МИФИ-2006. Т.3 Интеллектуальные системы и технологии , 2006
Представлено описание базы знаний бортовой оперативно-советующей экспертной системы «Дальний бой воздушный (ДБВ)», которая вырабатывает летчику рекомендации в критических ситуациях дальнего воздушного боя.
49.

Оценка эффективности алгоритмов бортового интеллекта истребителя в типовой боевой ситуации "дальний воздушный бой 1х1"     

Турновский М.б. - Научная сессия МИФИ-2006. Т.3 Интеллектуальные системы и технологии , 2006
При синтезе системы бортовых алгоритмов истребителя существует важная задача оценки качества и сравнения вариантов спецификаций этих алгоритмов, включающих как алгоритмы, реализуемые в бортовых вычислительных машинах, так и алгоритмы деятельности экипажа. В данной работе предложен метод такой оценки и описана его реализация для типовой боевой ситуации «Дальний воздушный бой один на один».
50.

Факторы формирования организационных структур предприятий в регионе (на примере обрабатывающих производств дальнего востока)     

Свириденко Ирина Александровна
Свириденко И.А. ФАКТОРЫ ФОРМИРОВАНИЯ ОРГАНИЗАЦИОННЫХ СТРУКТУР ПРЕДПРИЯТИЙ В РЕГИОНЕ (на примере обрабатывающих производств Дальнего Востока): автореф. дис. ... канд. экон. наук : 08.00.05. - M, 2008.