Иванов Б.А., Тартаковская Е.В.. Магнитоупругая стабилизация дальнего магнитного порядка в двумерных легкоплоскостных магнетиках // Письма в ЖЭТФ, том 63, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru

Воробьев Л.Е., Голуб Л.Е., Донецкий Д.В.. Поглощение и эмиссия света дальнего ИК диапазона горячими дырками в квантовых ямах GaAs/AlGaAs // Письма в ЖЭТФ, том 63, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru

Такзей Г.А., Гунько Л.П., Сыч И.И., Трощенков Ю.Н., Черепов С.В., Миребо И.. Возникновение дальнего магнитного порядка в системе малых ферромагнитных частиц // Письма в ЖЭТФ, том 63, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru

Белов К.П., Вировец Т.В., Королева Л.И., Машаев М.Х.. Фазовый переход спиновое стекло - дальний магнитный порядок в полупроводниковых шпинелях CuCr_{1.5+0.5x}Sb_{0.5-0.5x}S_4 (x= 0.34 и 0.4) // Письма в ЖЭТФ, том 64, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru

Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Тулупенко В.Н., Шерняков Ю.М., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Алферов Ж.И.. Спонтанное излучение дальнего ИК диапазона при переходах носителей заряда между уровнями квантовых точек // Письма в ЖЭТФ, том 67, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru

Бондар В.М., Воробьев Л.Е., Далакян А.Т., Тулупенко В.Н., Фирсов Д.А.. Дальнее ИК излучение горячих дырок германия при взаимно перпендикулярных направлениях одноосного давления и электрического поля // Письма в ЖЭТФ, том 70, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru

Сообщается о наблюдении дальнего ИК излучения в гетероструктурах II рода. Образцы представляют собой десятипериодные каскадные структуры, каждый период которых включает квантовые ямы InAs и AlGaAsSb, разделенные варизонным барьером. Результаты исследования вертикального транспорта и электролюминесценции свидетельствуют о том, что излучение обусловлено переходами между состояниями электронов и дырок, находящимися в соседних квантовых ямах.

Показано, что учет дальних межузельных взаимодействий качественно изменяет вид зависимости сверхпроводящей щели от квазиимпульса как для s-, так и для d-типов симметрии. В частности, параметр порядка сверхпроводящей фазы с dx2-y2 типом симметрии становится зависящим от двух амплитуд и описывается выражением Delta({bf k})= Delta_1 (cos{kx}-cos{ky})+Delta_2 (cos{2kx}-cos{2ky}). При этом реализуется ситуация, когда теоретическая зависимость критической температуры от степени допирования соответствует экспериментальной.

При низких температурах обнаружено установление дальнего магнитного порядка в квазиодномерных металлооксидных соединениях со структурой пироксена NaCrSi2O6 и NaCrGe2O6. NaCrSi2O6~-- антиферромагнетик с температурой Нееля TN = 3 К, а NaCrGe2O6~-- ферромагнетик с температурой Кюри Tc= 6 К. Из измерений намагниченности и теплоемкости этих соединений определены основные параметры их магнитных подсистем и в NaCrSi2O6 обнаружен переход с переворотом спина. Смена типа магнитного упорядочения при замещении Si на Ge может быть связана с изменением параметров конкурирующих прямого Cr--Cr антиферромагнитного и косвенного Cr--O--Cr ферромагнитного обменных взаимодействий в изолированных цепочках CrO6 октаэдров.

Разработан метод измерения углового распределения излучения в ближней волновой зоне, исключающий вклад в угловые характеристики размеров источника излучения. На основе этой методики выполнены абсолютные измерения углового распределения когерентного переходного излучения в миллиметровом диапазоне длин волн. Показано соответствие измеренных характеристик теоретическим, полученным в приближении дальней волновой зоны.