В диапазоне масс 1--140 u. получены и идентифицированы масс-спектры остаточного газа в металлической вакуумной камере объемом 3 l при помощи магнитного резонансного масс-спектрометра высокого разрешения и высокой чувствительности типа МИ 9303. Исследования выполнены при четырех различных способах откачки в диапазоне давлений P=10-8-10-10 Torr с разрешением практически всех массовых пиков, образующих мультиплеты. Получено, что мультиплетный состав масс-спектров остаточного газа с массовыми числами M=<q 80, как правило, имеет сложную многокомпонентную структуру, и при всех способах откачки общее давление в камере, в основном, определяется водородом. Вслед за водородом наиболее интенсивными пиками масс-спектра являются пики CH4+, H2O+, CO+, CO+2. Другие линии масс-спектров остаточного газа образованы главным образом линиями различныx соединений C, H, N, O. Кроме того, фоновый масс-спектр содержит соединения на основе Cl и F и некоторые изотопы инертных газов. Мультиплеты масс с M>80 часто вырождаются до одной углеводородной линии. PACS: 33.15.Ta

Исследованы свойства разряда и излучения в открытом газонаполненном диоде (ОГД), на который подавались наносекундные импульсы высокого напряжения от генератора РАДАН-220. При диффузном разряде в воздухе атмосферного давления зарегистрировано электромагнитное излучение в рентгеновской, УФ, видимой и ближней ИК области спектра, а также мощные субнаносекундные (~0.5-0.7 ns) импульсы сверхширокополосного (СШП) электромагнитного излучения. Показано, что при аксиальной симметрии катода и анода в ОГД формируются импульсы СШП-излучения с радиальной поляризацией поля, а при катоде в виде сегмента формируется СШП-излучение с линейной поляризацией. Эффективный потенциал для обеих конструкций ОГД составил ER=6 kV. Показано, что источником мягкого рентгеновского излучения является плазма в разрядном промежутке, а источником жесткого --- металлический анод. PACS: 52.80.Pi

Исследованы спектры и кинетика фотолюминесценции легированных и не легированных эрбием многослойных структур квазиупорядоченных кремниевых нанокристаллов в матрице диоксида кремния. Показано, что энергия оптического возбуждения нанокристаллов кремния с размерами 2-3 nm может практически полностью передаваться ионам Er3+, расположенным в окружающем нанокристаллы оксиде, с последующим высвечиванием на длине волны 1.5 mum. Обсуждаются возможные причины высокой эффективности возбуждения ионов Er3+ и делается вывод о доминирующей роли механизма Ферстера в процессах передачи энергии в исследуемых структурах. Работа поддержана грантами CRDF (N RE2-2369), Российского фонда фундаментальных исследований (N 02-02-17259) и программами Минпромнауки РФ.

Рассмотрено резонансное туннелирование X-электронов в гетероструктурах AlAs/GaAs (111) с AlAs в качестве электродов. Расчет в модели с разрывным на границах потенциалом проведен методом матрицы рассеяния, комплексная зонная структура определялась методом эмпирического псевдопотенциала. Найдены резонансные пики в коэффициенте прохождения, связанные с X-состояниями в AlAs и L-состояниями в GaAs. Предложена модель для описания данных процессов.

Представлены результаты исследований фотолюминесценции структур с Ge(Si)-самоформирующимися островками, встроенными в напряженный Si-слой. Структуры были выращены на гладких релаксированных Si1-xGex/Si(001) (x=20-30%) буферных слоях. Обнаруженный в спектрах фотолюминесценции исследованных структур пик фотолюминесценции связывается с непрямым в реальном пространстве оптическим переходом между дырками, локализованными в Ge(Si)-островках, и электронами, локализованными в напряженных Si-поляx над и под островком. Продемонстрирована возможность эффективного управления положением пика фотолюминесценции от данного типа структур путем изменения толщин напряженных Si-слоев. Обнаружено, что при 77 K интенсивность сигнала фотолюминесценции от гетероструктур с Ge(Si)-cамоформирующимися островками, заключенными между напряженными Si-слоями, на порядок превосходит интенсивность сигнала фотолюминесценции от структур Ge(Si) c островками, сформированными на Si(001)-подложках. PACS: 81.07.Ta, 78.55.--m, 78.67.Hc, 71.20.Nr, 68.37.Ps, 81.15.Hi

В статье рассмотрен феномен профессионального опыта педагога. Излагаются результаты опытно-поискового исследования, направленного на раскрытие психологических аспектов профессионального опыта в контексте значимых ситуаций и событий, сохраняющихся в опыте как определенный способ поведения, анализируется специфика прогнозирования субъектом последствий тех или иных действий в аналогичных ситуациях. Обсуждаются эмпирические данные о различиях восприятия ситуаций педагогической деятельности «новичками» и «опытными» педагогами. Ключевые слова: профессиональный опыт, события и ситуации педагогической деятельности.

Шульц С.б., Коржебин А.с., Капустин Д.в. Пакет Miphrill 3DEngine // Научная сессия МИФИ-1998. Т.9 Конференция студентов и молодых ученых. Компьютерные науки. Информационные технологии, стр. 103-105

Радкевич А.в., Ремизович В.с. О связи вероятности изменения знака проекции скорости фотона со средним углом рассеяния // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 104-105

Собенин Н.п., Костин Д.в., Шведунов В.и. Призматическая бипериодическая ускоряюще-фокусирующая структура // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 103-105

Собенин Н.п., Калюжный В.е., Завадцев А.а. Датчик измерения длины электронного сгустка в интервале 1-5 мм // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 105-106