Теоретически анализируются и сравниваются с экспериментом эффекты резонансного брэгговского рассеяния обратных объемных магнитостатических волн на преиодической меандровой проводящей структуре с переменным током. Показано, что в отличие от статической динамическая решетка вызывает частотное смещение рассеянной волны. Предлагается использовать исследованное явление для эффективного управляемого межмодового преобразования магнитостатических волн.

Представлены результаты исследований температурной зависимости дифракционной эффективности и лучевой прочности объемных фазовых голограмм --- решеток пропускающего типа. Обратимые дифракционные эффективности описываются диаграммами фазового равновесия системы полимер--диффузант. Лучевая прочность исследованных голограмм-решеток определяется порогами фототермолитического распада используемого диффузанта --- бромнафталина. Изучены композиции, содержащие диффузанты с высокими порогами процессов фотолиза и термолиза. В результате предложены модификации фотополимерной регистрирующей среды с лучевой прочностью более 200 MW/cm2.

Экспериментально показана возможность повышения импульсной мощности СВЧ компрессора со сверхразмерным резонатором и выводом энергии через интерференционный переключатель синхронным выводом энергии через "пакет" переключателей с суммированием их выходных сигналов. При выводе через два переключателя достигнуто почти двукратное повышение мощности сигналов при пропорциональном их укорочении. Показана принципиальная возможность вывода с суммированием через четыре переключателя.

Собраны и проанализированы экспозиционные характеристики, полученные при выращивании различных пленок на естественных, с низкими индексами Миллера поверхностях некоторых кристаллов. Построена эволюционная терия, объясняющая их характерный вид. Показано, что наблюдаемая форма дозовых характеристик говорит о реконструкции, неравновесном структурном фазовом переходе, происходящем на поверхности. Проведен количественный анализ существующих экспериментов. В частности, получена количественная оценка того, в какой степени покрытие свинцом замедляет окисление никелевой поверхности. При интенсивном световом или при электронном облучении кремния преимущественными центрами образования точечных и протяженных радиационных дефектов, а также локальных областей плавления являются дивакансии. Для некоторых двумерных систем (дивакансий, атомов серы на поверхностях пассивированных полупроводников, оксидных пленок) определены времена задержки и времена эволюции возникающей самоорганизованной структуры.

Предложен метод исследования ионно-оптических свойств электростатических сектoрных анализаторов заряженных частиц на основе метода матрицантов. Полученные матрицанты можно эффективно применять для решения задачи динамики пучка в электростатических секторных полях с учетом краевых эффектов как в рамках прямоугольной, так и гладкой моделях поля.

Исследована начальная стадия формирования ультратонких пленок калия на W (100) методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии с использованием p- и s-поляризованного света в диапазоне энергий квантов 1.6-3.5 eV. Найдено, что вид спектральных зависимостей тока фотоэлектронов зависит от величины покрытия поверхности щелочными атомами и в первую очередь определяется изменением с покрытием матричных элементов возбуждения фотоэмиссии. Показано, что изменение матричных элементов связано с тем, что глубина выхода фотоэлектронов мала и при облучении как p-, так и s-поляризованным светом эмиссия происходит из поверхностного слоя.

Исследованы пленки композиций полистирола, содержащие от 0 до 0.45 mol% фуллерена C60. Установлено, что введение фуллерена увеличивает плотность молекулярной упаковки цепей ПС и таким образом оказывает влияние на транспорт малых молекул через полимерные пленки. Процесс диффузии молекул газа через пленки композиций осуществляется медленнее, чем через пленки ПС, а газоразделительные свойства композиций выше. Методом диэлектроскопии показано, что в пленках композиций, приготовленных из растворов, сохраняется кластерное состояние фуллеренов. Прогрев образцов выше температуры стеклования ПС без доступа воздуха приводит к увеличению времени релаксации alpha-перехода ПС в композициях, содержащих больше 0.15 mol% фуллерена. Этот эффект обусловлен достаточно сильным межцепным взаимодействием, которое осуществляется через молекулы фуллерена, входящие в комплексы ПС--C60. Характерные изменения наблюдали при исследовании композиций методом ЯМР спектроскопии.

Изучены закономерности формирования и характеристики фуллереновых покрытий на поверхности острийных полевых эмиттеров из вольфрама, а также эмиттеров со сформированным на их поверхности ребристым кристаллом. Выявлено влияние электрических полей и термической обработки на структуру и эмиссионные характеристики фуллереновых покрытий. Разработаны и испытаны способы создания на поверхности покрытий микровыступов, существенно усиливающих поле. Продемонстрирована возможность создания эмиттеров с одиночным микровыступом, обеспечивающим плотности тока эмиссии до 106-107 A/cm2, а также фуллереновых покрытий в виде распределенной микрокластерной структуры, обеспечивающих в статическом режиме токи с одиночного микронного острия свыше 100 muA.

Электронная линза обладает возможностью создавать фокусирующие поля с управляемым профилем индивидуально для каждого протонного и антипротонного сгустков, что может позволить компенсировать эффекты, возникающие при их встрече. Первые эксперименты с такой линзой привели к уменьшению времени жизни антипротонов с нескольких сотен часов до нескольких десятков часов. В данной работе приводятся экспериментальные исследования процессов, возникающих при входе высокоинтенсивного протонного пучка в электронный пучок. На основании их предлагается два физических механизма, способных привести к уменьшению времени жизни антипротонного пучка.

Изучено термическое разрушение двумерных графитовых пленок (ДГП) на четырех подложках: Ni(111), Re(10-10), Ir(111), Pt(111). Показано, что во всех случаях лимитирующей стадией процесса является отрыв краевого атома углерода от островка. Оценена энергия активации этого процесса --- она изменяется от 2.5 eV на никеле до 4.5 eV на иридии. Природа этих изменений связана с большей или меньшей способностью поверхности металла устанавливать сильные хемосорбционные связи с валентно активными краями графитовых островков, ослабляющих C-C связи в графите.