.

Исследованы электрофизические характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью по примесной зоне на кремнии легированном галлием (NrmGa~5·1017 rmсм-3). Блокирующие слои в структурах получены пассивацией легирующей примеси галлия гидрогенизацией в водородной плазме пониженного давления (высокочастотный разряд) при температуре подложки в диапазоне T=20/220o C. Обнаружено уменьшение при гидрогенизации энергии активации прыжковой проводимости с прыжками между ближайшими соседними атомами галлия с Ea=8.7 мэВ (в негидрирогенизированных структурах) до Ea=1.3 мэВ (после гидрогенизации при T=220o C). Изучены вольт-амперные характеристики и температурные зависимости темнового тока структур и их изменения после изохронных (t=20 мин) отжигов в диапазоне 220/400o C. Проведен расчет вольт-амперных характеристик при низких температурах. Показано, что расчетные данные совпадают с экспериментальными.

Исследованы процессы инверсии типа проводимости в эпитаксиальных пленках Pb1-xSnxTe при воздействии непрерывного излучения CO2-лазера (lambda=10.6 мкм) допороговой мощности. Предполагается, что стабильное инверсионное состояние возникает вследствие образования нейтральных бивакансий металла и халькогена.

Приведены результаты исследований по влиянию gamma-излучения (60Co) различной интенсивности (Pgamma~ 1.7/7.5 кГр/ч) на фотолюминесценцию (ФЛ) монокристаллов GaAs : Te (n0=1.2/ 2.3·1018 см-3). Наряду с известными примесной (hnumax~1.2 эВ и(или) hnumax~1.35 эВ ) и краевой (hnumax~1.51 эВ) ФЛ в спектре обнаружены новые полосы hnumax~1.3 эВ и hnumax~ 1.48 эВ. Наблюдаемые эффекты объясняются радиационно-стимулированным упорядочением донорной примеси и глубоких примесных центров.

Сверхрешетки GaAsn / AlAsm, выращенные молекулярно-лучевой эпитаксией на поверхностях GaAs (311)A и (311)B, были исследованы методом спектроскопии комбинационного рассеяния света. Вид тензора комбинационного рассеяния света позволял, используя различные геометрии рассеяния, раздельно наблюдать моды TOy и TOx, где оси y и x--- направления смещения атомов, направленные вдоль и поперек фасеток на поверхности (311)A. Обнаружено расщепление мод TO1x и TO1y в сверхрешетках, выращенных на фасетированной поверхности (311)A GaAs. Наблюдалось усиление расщепления для свеpxрешеток со средней толщиной слоев GaAs 6монослоев и менее. Так как для сверxpешеток, выращенных в тех же условиях на поверхности (311)B, расщепления не наблюдалось, эффект расщепления можно связать с формированием квантовых проволок GaAs на фасетированной поверхности (311)A.

С применением методик комбинационного рассеяния света установлено, что впленках аморфного кремния при наносекундных воздействиях ультрафиолетового лазерного излучения сплотностями энергии от 75 до 150 мДж/см2 образуются нанокристаллы кремния сразмерами от 2 нм и свыделенной ориентацией (110) по нормали кпленке. Всистеме взаимно ориентированных нанокристаллов Si экспериментально обнаружена анизотропная зависимость интенсивности комбинационного рассеяния света вразличных поляризационных геометриях, что позволило определить объемную долю ориентированных нанокристаллов. Эффект ориентации предположительно обусловлен влиянием как макроскопических полей упругих напряжений впленке, так и локальных полей упругих напряжений вокруг нанокристаллов.

Исследовано взаимодействие радиационных дефектов с атомами фосфора в кристаллах кремния в условиях различной степени пересыщения по отношению к равновесной концентрации примесей и точечных дефектов при облучении электронами и отжигах. Показано, что при облучении кремния дозовые зависимости изменения концентрации фосфора в узлах (Ps) выходят на участки насыщения. При этом уровень насыщения определяется температурой облучения. Стадии восстановления концентрации Ps при отжигах коррелируют с температурными интервалами диссоциации вакансионных комплексов. Полученные результаты подтверждают наличие двух процессов: 1)взаимодействие атомов легирующей примеси с собственными межузельными атомами кремния и появление межузельных комплексов, т. е. радиационно-стимулированный распад пересыщенного раствора примеси при генерации точечных дефектов и ионизации; 2)растворение межузельной примеси в вакансиях при достаточно высоких температурах, или аннигиляция освобождающихся при отжиге вакансий с межузельными атомами, входящими в состав сложных дефектных комплексов с участием атомов фосфора.

Приведены результаты исследования спектров краевой фотолюминесценции при 300 K серии монокристаллов арсенида галлия, выращенных методом Чохральского, легированного теллуром сконцентрацией свободных носителей заряда вдиапазоне n0=1017-1019 см-3. На основе анализa контура спектров фотолюминесценции получены концентрационные зависимости химического потенциала и величины сужения запрещенной зоны. Рассчитана зависимость эффективной массы электронов на дне зоны проводимости от их концентрации m0*(n0). Показано, что немонотонная зависимость m0*(n0) согласуется сданными по рассеянию электронов висследуемом материале и обусловлена упорядочением примесных комплексов.

Статья посвящена проблеме использования сенсорной интерактивной доски в процессе формирования математических представлений у дошкольников. Рассмотрены функции и возможности использования сенсорной интерактивной доски на занятиях в дошкольном учреждении, особенности этого использования, требования к программным средствам, разрабатываемым для интерактивной доски, приведены примеры заданий для дошкольников.