Найдено научных статей и публикаций: 51   
31.

Рассеяние фононов на границах малых кристаллов, помещенных вдиэлектрическую матрицу пористого стекла     

Парфеньева Л.С., Смирнов И.А., Фокин А.В., Мисиорек Х., Муха Я., Ежовский А. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 2003
В интервале 5-300 K измерена теплопроводность пористого стекла с хаотически распределенными сообщающимися каналами размером ~70 Angstrem (пористость стекла ~25%), а также теплопроводность композита пористое стекло + NaCl. В композите NaCl заполнял 1/4 пор, имеющихся в стекле. Полученные экспериментальные результаты для теплопроводности композита удалось объяснить лишь в предположении рассеяния фононов на границах нанокристаллов NaCl, введенных в каналы пористого стекла. Работа выполнена в рамках соглашения между Российской и Польской академиями наук при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-17657 и 00-02-16883).
32.

Теплопроводность HgSe, введенного врешетку пустот монокристалла синтетического опала     

Богомолов В.Н., Картенко Н.Ф., Курдюков Д.А., Парфеньева Л.С., Попов В.В., Сорокин Л.М., Смирнов И.А., Мисиорек Х., Ежовский А., Хатчисон Дж. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 2003
Приготовлены образцы нанокомпозита \glqq опал+HgSe\grqq с 100% заполнением пустот первого порядка опала селенидом ртути. В интервале температур T=5-200 K измерены эффективные теплопроводность (varkappaeff) и удельное электросопротивление (rhoeff), а в интервале 80--300 K --- коэффициент термоэдс (alpha). Показано, что величина alpha HgSe в опале остается такой же, как и в объемных образцах селенида ртути с близкими значениями концентраций носителей тока. При этом у HgSe в опале не изменяется и механизм рассеяния носителей тока. Из varkappaeff и rhoeff выделены полная теплопроводность (varkappa0tot), удельное электросопротивление (rho0) и определены электронная (varkappa0e) и решеточная (varkappa0ph) составляющие теплопроводности для HgSe в опале. Во всем исследованном интервале температур (5--200 K) величина varkappa0ph оказалась значительно меньше, чем varkappaph для объемного HgSe с той же концентрацией носителей тока. При T>20 K такое поведение varkappa0ph(T) объясняется наличием специфических примесей и дефектов, возникающих в HgSe, а при T
33.

Теплопроводность нанокомпозита опал + эпоксидная смола     

Богомолов В.Н., Картенко Н.Ф., Курдюков Д.А., Парфеньева Л.С., Смирнов И.А., Шаренкова Н.В., Мисиорек Х., Ежовский А. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 2003
В интервале 100--300 K измерена эффективная теплопроводность varkappaeff семи образцов нанокомпозита опал + эпоксидная смола при 100% заполнении пустот первого порядка эпоксидной смолой. Для исследованного нанокомпозита выполняется условие: теплопроводность матрицы (аморфные сферы SiO2) больше теплопроводности наполнителя (эпоксидная смола). Показано, что поведение varkappaeff(T) нанокомпозита опал + эпоксидная смола в области средних температур (100--300 K) аналогично поведению теплопроводности чистого опала. Приводится объяснение обнаруженного эффекта. Работа выполнена в рамках двустороннего соглашения между Российской и Польской академиями наук и при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-0216883).
34.

Длинноволновая ИК спектроскопия сверхрешеток ZnTe/CdTe сквантовыми точками     

Водопьянов Л.К., Козырев С.П., Карчевски Г. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 2003
Представлены результаты анализа спектров решеточного ИК отражения от многопериодных сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками CdTe, выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с буферным слоем CdTe. Показано, что спектры изучаемых структур характеризуются тремя интенсивными полосами отражения, связанными с колебательными возбуждениями в подложке GaAs, в потенциальных барьерах ZnTe и в буферном слое CdTe. Анализ каждой из обнаруженных полос позволил по сдвигу фононных частот выявить наличие внутренних упругих напряжений в приповерхностном слое подложки GaAs, а также в потенциальных барьерах ZnTe. Установлена релаксация упругих напряжений в разделяющих слоях ZnTe при увеличении их толщины. Обнаружено отщепление дополнительной моды от основной полосы отражения, которую мы связываем с проявлением ZnTe-подобных колебаний образовавшегося сплава ZnCdTE за счет взаимодиффузии Cd и Zn на границах раздела. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-7110).
35.

Электронные состояния иколебательные спектры сверхрешеток квантовых точек CdTe/ZnTe     

Багаев В.С., Водопьянов Л.К., Виноградов В.С., Зайцев В.В., Козырев С.П., Мельник Н.Н., Онищенко Е.Е., Карчевский Г. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 2004
Методами оптической спектроскопии (фотолюминесценция в широком интервале температур, ИК-отражение и комбинационное рассеяние света) исследованы электронные и колебательные состояния в сверхрешетках квантовых точек CdTe/ZnTe. Обсуждается изменение спектра люминесценции структур в зависимости от толщины барьерного слоя ZnTe. Предполагается, что люминесценция электронно-связанных островков вследствие особенностей зонной структуры гетеропары CdTe/ZnTe обусловлена пространственно непрямыми экситонами. В спектрах комбинационного рассеяния обнаружена ранее не наблюдавшаяся комбинация колебательных мод квантовых точек. Анализ спектров решеточного ИК-отражения показывает, что если для структур с большими толщинами барьеров между плоскостями квантовых точек упругие напряжения сосредоточены в слоях Zn1-xCdxTe, то в структурах с меньшей толщиной барьера имеет место более сложная картина распределения упругих напряжений. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 03-02-16854 и 03-02-17110), а также Комиссии РАН по работе с молодыми учеными.
36.

Изменения электронных, оптических имагнитных свойств пленокLaSrMnO при переходе отромбоэдрической корторомбической фазе     

Окунев В.Д., Самойленко З.А., Дьяченко Т.А., Szymczak R., Lewandowski S.J., Szymczak H., Baran M., Gierlowski P. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 2004
Показано, что с изменением температуры роста Ts свойства пленок LaSrMnO в области перехода ромбоэдрической фазы в орторомбическую (600-650oC) зависят от взаимодействия металлических (ферромагнитных) Mn-O-кластеров в диэлектрической (антиферромагнитной) матрице. При Ts=<q 600oC низкая плотность eg-состояний и диэлектрическая щель (Eg=0.3-0.5 eV) обеспечивают оптическую прозрачность в области homega=0.5-2 eV, разницу между FC- и ZFC-измерениями намагниченности M(T), высокие значения сопротивления и появление участков, R(T)~ const, связанных с превращением кластеров в систему туннельно-связанных квантовых точек. При Ts>=q 650oC локальное увеличение атомной и электронной плотности вызывает снижение оптического пропускания и сопротивления на 3-9 порядков с максимумом и минимумом на зависимостях R(T) пленок и увеличение M (10 K) на порядок. Сделан вывод о том, что магнитное упорядочение системы кластеров при туннельной связи между ними стимулирует увеличение размера кластеров и концентрации металлической (ферромагнитной) фазы. Данная работа частично поддержана грантом N PBZ-KBN-013/T08/19 правительства Польши.
37.

Теплопроводность нанокомпозита опал+эпоксидная смола принизких температурах     

Богомолов В.Н., Курдюков Д.А., Парфеньева Л.С., Смирнов И.А., Мисиорек Х., Ежовский А. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 2005
В интервале 5-100 K измерена теплопроводность нанокомпозита опал+эпоксидная смола при 100% заполнении пустот первого порядка опала эпоксидной смолой. При T
38.

Теплопроводность NaCl, находящегося в хаотически расположенных каналах пористого стекла     

Парфеньева Л.С., Смирнов И.А., Фокин А.В., Мисиорек Х., Муха Я., Ежовский А. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 2005
Полученные нами ранее в интервале температур 25-300 K экспериментальные данные по теплопроводности пористого стекла и композита \glqq пористое стекло + NaCl\grqq проанализированы с несколько иных позиций. Показано, что теплопроводность хлористого натрия в хаотически расположенных наноканалах пористого стекла ведет себя так же, как сильно разупорядоченная кристаллическая система, которую можно описать в рамках модели Эйнштейна для теплопроводности твердых тел. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17657) и Польского государственного комитета по научным исследованиям KBN (грант N 3 T08A 054 26).
39.

Спиновое состояние и магнитное взаимодействие между ионами кобальта влегированных ниобием кобальтитах     

Троянчук И.О., Карпинский Д.В., Szymczak R. - Журнал "Физика Твердого Тела" , 2006
Проведено исследование магнитных свойств и электропроводности твердых растворов La1-xSrxCo1-x/2Nbx/2O3, в которых ионы кобальта находятся в трехвалентном состоянии. Обнаружено, что данные твердые растворы являются спиновыми стеклами с Tf~25 K. Ферромагнитная компонента наиболее ярко выражена в составе с x=0.15. Электропроводность уменьшается с ростом содержания стронция. Результаты объясняются в модели, согласно которой ионы кобальта вблизи ионов стронция находятся в промежуточном спиновом состоянии и сверхобменное взаимодействие Co3+--O--Co3+ является ферромагнитным вследствие локальных динамических орбитальных корреляций. Работа выполнена при поддержке Фонда фундаментальных исследований Белоруссии (проекты N Ф05-179, Ф05К-012) и Государственного комитета по научным исследованиям (Польша) (грант N 1 Р03В 038 27). PACS: 75.50.Lk, 75.30.Et
40.

Фазовые состояния и магнитная структура сверхпроводящих включений свинца в узкощелевой полупроводниковой матрице     

Дарчук С.Д., Дитл Т., Коровина Л.А., Колесник С., Савицкий М., Сизов Ф.Ф. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
С помощью SQUID-магнетометра в области температур 1.7/20 K и магнитных полей до 1 кЭ проведены исследования узкощелевого полупроводника PbTe n- и p-типа проводимости. Показано, что в матрице свинца имеются микроскопические включения сверхпроводящего свинца с минимальными размерами ~1300 Angstrem, с концентрацией атомов свинца в них ~(1/5)· 1018 см-3 и фазовым переходом, характерным для сверхпроводников IIрода.