Ю.И. Федотов,, Эстетически-коммуникативная природа произведения искусства (на примере картины) // Социальные процессы в современной западной Сибири, 2002, http://e-lib.gasu.ru/SocPr/2002/

Описана эффективная и быстродействующая система регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение. Программное обеспечение, разработанное для данной системы, включает в себя три пакета программ: для работы в однооконном, четырехоконном и линейном режимах. Приведены примеры использования системы для контроля и исследования процессов роста полупроводниковых соединений A3B5 в методе молекулярно-пучковой эпитаксии. С использованием описанной системы обнаружен эффект периодического расщепления профилей дифракционных рефлексов при росте GaAs (100).

Описан эффективный и быстродействующий комплекс, предназначенный для визуализации, ввода в ЭВМ и компьютерной обработки оптических картин дифракции быстрых электронов на отражение. Приведены структурные схемы и технические характеристики комплекса, его взаимосвязь с устройствами управления процесами роста полупроводниковых структур методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Описано разработанное для данного комплекса программное обеспечение, необходимое для обработки картин дифракции быстрых электронов, в том числе в реальном масштабе времени. Приведены экспериментальные результаты применения комплекса для исследования процессов гетероэпитаксиального роста и формирования InAs нанообъектов на поверхностях GaAs и Si.

Определены условия формирования квазирегулярной интерференционной картины в спекл-модулированном излучении, отраженном от прозрачного слоя с шероховатой поверхностью, при освещении слоя сфокусированным лазерным пучком. Обсуждается лазерный метод определения оптической толщины прозрачного покрытия, нанесенного на шероховатую поверхность.

Исследованы Кикучи-картины, возникающие при квазиупругом отражении электронов с энергией 0.6-2 keV от тонкого приповерхностного слоя монокристалла Si (111) 7x7. Показано, что для кремния, как и для металлов, результаты эксперимента вполне удовлетворительно описываются расчетами, выполненными в кластерном приближении однократного рассеяния, а также в модели, феноменологически учитывающей фокусировку отраженных электронов при их выходе из кристалла. Тем самым продемонстрировано, что при энергии E=2 keV эффект фокусировки (forward-focusing) играет основную роль в формировании Кикучи-картин, что позволяет их использовать для визуализации атомной структуры поверхности. Для наиболее плотноупакованных направлений кристалла установлены зависимости эффективности фокусировки от параметров атомных цепочек, вдоль которых распространяются электроны.

Для выявления механизма формирования Кикучи-полос полная дифракционная картина Si(100), полученная регистрацией квазиупругорассеянных электронов с энергией 2 keV, сопоставлена с результатами модельных расчетов, выполненных в приближении однократного рассеяния для кластеров, построенных из разного числа плотноупакованных плоскостей (110). Показано, что формирование Кикучи-полос определяется двумя типами процессов рассеяния электронов в кристалле. Основной вклад в усиление интенсивности отражения электронов в пределах полосы вносит их фокусировка при движении вдоль многочисленных межатомных направлений, лежащих в плоскостях (110). Другим механизмом, ответственным за формирование резких краевых областей Кикучи-полос, является рассеяние электронов на ближайших соседних плоскостях. Специфический профиль Кикучи-полос предложено использовать для оценки формы и размеров кристаллитов легких элементов, образующихся на начальных стадиях роста островковых пленок.

Ларкин А.и., Одинцев И.н., Скуланов Д.с., Щепинов В.п. Интерпретация голографических картин полос при определении трехмерных перемещений с помощью интерферометра "Конус" // Научная сессия МИФИ-2001. т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 34-35

Кукушкин А.б., Ранцев-картинов В.а. Долгоживущие микропылевые каркасы в электрических разрядах как новый тип наноматериалов: I.Наблюдения // Научная сессия МИФИ-2001. Т.9 Памяти В.С.Емельянова. Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-)материалы, стр. 146-147

У статті проаналізовано сучасні підходи до визначення національно-культурної специфіки мовних одиниць, визначено теоретичні засади до розуміння поняття мовної картини світу. Охарактеризовано специфіку універсального, індивідуального та національно-культурного компонентів семантики мовних одиниць, уточнено поняття національно-культурної специфіки мовних одиниць художнього тексту.

У статті уточнено поняття пресупозиції та її типи в художньому мовленні. Доведено, що вина художнього героя виступає в ролі пресупозиції для комунікативної ситуації “виправдання”, виявлено типи вини художнього героя як різновидів гіпертекстових пресупозицій.