Измерены чувствительность и пространственное резрешение фототермического резиста на основе двухслойной пленки металлического индия и полимера. Прямым лазерным воздействием изготовлены двумерные маски, через которые созданы наноразмерные металлические и диэлектрические островки на подложке кремния. Найдены условия получения субмикронных периодических структур на пленках TiO2, нанесенных на стеклянную подложку по золь-гель технологии. Измерены их некоторые оптические характеристики, отмечается возможность использования таких решеток для возбуждения планарных электромагнитных волн.

Проведены систематические исследования особенностей морфологии поверхности и сверхпроводящих свойств эпитаксиальных пленок YBaCuO, полученных из мишеней различного катионного состава методом магнетронного распыления. Показано, что морфология поверхности пленок, а также их структурные и сверхпроводящие свойства существенно меняются при небольших изменениях условий роста и относительно малых вариациях катионного состава конденсата, что позволяет эффективно управлять параметрами YBCO-пленок. Установлено, что в 90o off-axis-конфигурации магнетронной системы напыления возможна реализация условий роста, при которых выращиваемые пленки не содержат преципитатов CuO и имеют хорошие сверхпроводящие свойства (Tc>=q 88 K, jc(77 K)>=q 4· 106 A/cm2). Работа выполнена при поддержке Министерства науки и технологий РФ в рамках ФЦНТП \glqq Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники\grqq (тема \glqq Экспериментальные и теоретические исследования по созданию физических основ новой элементной базы сверхпроводниковой электроники\grqq) и Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 02-02-16764).

Представлены результаты исследования зависимости спектров фотолюминесценции структур с самоорганизующимися островками GeSi/Si(001) от температуры осаждения Ge. Обнаружен немонотонный характер зависимости положения максимума пика фотолюминесценции от островков при понижении температуры осаждения Ge. Сдвиг пика фотолюминесценции от островков в область больших энергий при понижении температуры роста с 600 до 550oC связывается с происходящим в этом температурном интервале изменением формы островков, которое сопровождается резким уменьшением средней высоты островков. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16792), проекта INTAS NANO N 01-444 и программ Минпромнауки РФ.

Представлены результаты исследований роста и фотолюминесценции (ФЛ) самоформирующихся островков Ge(Si) / Si(001), полученных в широком интервале скоростей (vGe=0.1-0.75 Angstrem / s) осаждения Ge при температуре Tg=600oC. АСМ-исследования показали, что для всех скоростей осаждения Ge доминирующим типом островков на поверхности являются dome-островки. Обнаружено, что латеральный размер островков уменьшается, а их поверхностная плотность растет с увеличением vGe. Уменьшение латерального размера связывается как с увеличением содержания Ge в островках, так и с увеличением доли поверхности, занятой ими. Обнаруженное смещение положения пика ФЛ в область меньших энергий также объясняется повышением содержания Ge в островках при увеличении vGe. Работа выполнена при поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследований N 02-02-16792, проекта INTAS NANO N 01-444 и программ Минпромнауки РФ.

Представлены результаты исследования роста самоорганизующихся наноостровков Ge на Si (001) при 700oC и изменения их параметров в процессе отжига. Получены островки с малым разбросом (~ 6%) по латеральным размерам и высоте. Из спектров комбинационного рассеяния света и рентгенодифракционных исследований обнаружено растворение Si в островках, определена его доля в твердом растворе SixGe1-x и измерены упругие напряжения в островках. Установлено, что в процессе отжига структур с наноостровками происходит увеличение доли Si в островках. Это изменение состава приводит к изменению формы и размеров островков.

Проведены расчеты потенциала в полупроводнике вокруг сферических и цилиндрических металлических наноконтактов. Проанализированы электрические свойства наноконтактов с малыми характерными размерами a<< S (S--- ширина обедненной области в плоской геометрии). Показано, что наноконтакты имеют слабую зависимость емкости от напряжения, большее, чем в плоском случае, снижение высоты барьера Шоттки за счет сил изображений, а также малую инерционность отклика до частот терагерцового диапазона.

Исследовано влияние некоторых видов обработки сапфировой подложки на свойства слоев нитрида галлия, полученных методом металлорганической газофазной эпитаксии.

Показана возможность формирования методом металлорганической газофазной эпитаксии искусственной среды, представляющей собой матрицу монокристаллического GaAs с внедренными наночастицамиAl. Проведены исследования ее электрических и оптических свойств.

Представлены результаты исследования роста самоформирующихся островковGe(Si), выращенных на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) (x~25%) с малой шероховатостью поверхности. Показано, что рост самоформирующихся островков на буферных слоях SiGe качественно аналогичен росту островков на Si (001). Обнаружено, что изменение морфологии поверхности (переход от dome- к hut-островкам) в случае роста островков на релаксированных буферных слоях SiGe происходит при большей температуре, чем для островков Ge(Si)/Si (001). Причинами этого могут быть как меньшее рассогласование кристаллических решеток островка и буферного слоя, так и несколько большая поверхностная плотность островков при их росте на буфереSiGe. PACS: 68.65.Hb, 68.55.Ac, 68.55.Jk

Исследован рост квантовых точек InAs(N) на GaAs в реакторе металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ) пониженного давления. Вкачестве источника азота использован демитилгидразин. Внастоящее время хорошо известно, что температура роста квантовых точек InGaAs должна быть ограничена, чтобы предотвратить нежелательные процессы взаимодиффузии атомов In и Ga, а также переиспарение атомовIn. Сдругой стороны, толстые барьерные слои GaAs должны выращиваться при повышенной температуре из-за сильного влияния температуры роста на оптическое качество структуры. Повышение температуры подложкодержателя на 100 градусов требует прерывания процесса в реакторе МОГФЭ примерно на 2 мин. Момент прерывания процесса для подъема температуры может быть выбран в различных точках процесса: 1--- после квантовых точек, перед покрывающим слоем InGaAs; 2--- внутри процесса роста покрывающего слоя; 3--- между покрывающим слоем и барьерным GaAs; 4--- внутри барьерного слоя GaAs. Показано, что наиболее подходящим для структур с сильной фотолюминесценцией на 1.3 мкм является последний вариант, где тонкая начальная часть барьерного слоя выращивается при пониженной температуре. PACS: 78.55.-m, 81.16.-c