Найдено научных статей и публикаций: 120
21.
Совместное интеркалирование двумерной графитовой пленки на (111)Ir атомами цезия и калия
Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я., Царев Ю.Н.. Совместное интеркалирование двумерной графитовой пленки на (111)Ir атомами цезия и калия // Письма в ЖЭТФ, том 71, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
22.
Совместные колебания двухслойной жидкости и массивного штампа в бесконечном волноводе
Показано, что в волноводе, представляющим собой канал бесконечной протяженности, заполненный двухслойной тяжелой жидкостью со свободной поверхностью, наряду с бегущими волнами могут существовать нераспространяющиеся волны (ловушечные моды колебаний). Эти волны локализуются в области динамического включения --- массивного штампа на дне канала. Возникновение таких волн обусловлено наличием вещественного дискретного спектра собственных частот колебаний, который располагается на оси непрерывного спектра, соответствующего расходящимся волнам в жидкости. Для случаев близких плотностей жидкостей в волноводе найдена связь между геометрическими параметрами канала, характеристиками жидкости и массой штампа, при которых такой спектр существует.
23.
Деформация кристаллов NaCl в условиях совместного действия магнитного и электрического полей
Обнаружено сильное макропластическое влияние слабых магнитных и электрических полей (B=< 0.4 T, E~1 kV/m) при их совместном действии на образцы NaCl в процессе активного деформирования последних с постоянной скоростью varepsilon=const. В отсутствие магнитного поля наблюдение электрических эффектов в макропластичности тех же кристаллов требует приложения полей E<= 103 kV/m. Измерены количественные зависимости макропластичности от магнитного и элекрического полей и от скорости деформации. Наблюдаемым эффектам предложена физическая интерпретация.
24.
Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную илегированную индием подложки GaAs
Исследованы электрические свойства и низкотемпературная (4.2 K) фотолюминесценция сильнолегированных слоев n-типа проводимости, полученных имплантацией ионов кремния и кремния совместно с фосфором в нелегированные и легированные индием полуизолирующие подложкир GaAs, выращенные методом Чохральского. Показано, что совместная имплантация Si + P приводит к подавлению глубоких уровней в анионной подрешетке, увеличивает степень активации доноров и позволяет получить более резкий профиль распределения внедренной примеси в подложках обоих типов. Использование подложек GaAs, легированных изовалентной примесью In, не сказывается на степени активации доноров, но способствует отжигу радиационных дефектов.
25.
Физические свойстваCdTe при совместном легированииV иGe
Методом Бриджмена получены монокристаллы теллурида кадмия, легированные ванадием и германием, с концентрацией примесей в расплаве NV=1· 1019 см-3, NGe=5· 1018; 1· 1019 см-3. Исследованы электрические и гальваномагнитные характеристики в интервале температур 300-400 K. Установлено, что равновесные характеристики определяются глубокими уровнями (Delta E=0.75-0.95 эВ), которые находятся почти посредине запрещенной зоны. Низкотемпературные спектры оптического поглощения свидетельствуют о том, что в области малых энергий примесные уровни ионов ванадия и германия находятся в различных зарядовых состояниях. Отжиг образцов в парах кадмия с последующим резким охлаждением приводит к распаду различных комплексов, образованных в процессе роста кристалла, увеличению электропроводности и концентрации носителей заряда.
26.
Разработка и исследование системы совместного отведения ливневых и дренажных сточных вод с урбанизированных территорий (на примере г. пензы)
Разработка и исследование системы совместного отведения
ливневых и дренажных сточных вод с урбанизированных территорий (на примере
г. Пензы): Автореф.дис. ...канд.техн.наук: 05.23.04; 03.00.16 / Г. И.
Фомичева; Пенз.гос.архитектур.-строит.акад. - Пенза, 2003. - 23с.
27.
Использование агентно-ориентированного подхода для реализации совместного функционирования комплексов ат-технология и g2
Рыбина Г.в. Использование агентно-ориентированного подхода для реализации совместного функционирования комплексов АТ-технология и G2 // Научная сессия МИФИ-1999. Т.7 Информатика и компьютерные системы. Информационные технологии. Интеллектуальные системы и технологии. Технологии разработки программного обеспечения. Банки данных и анализ данных, стр. 188-189
28.
Эволюция возмущений границы идеальной и вязкой жидкостей при совместном действии постоянного и импульсного ускорений
Корнилов Ю.и. Эволюция возмущений границы идеальной и вязкой жидкостей при совместном действии постоянного и импульсного ускорений // Научная сессия МИФИ-1999. Т.12 Физические науки, стр. 33-39
29.
Развитие возмущений границы раздела упругого тела и жидкости при совместном действии постоянного и импульсного ускорений
Корнилов Ю.и. Развитие возмущений границы раздела упругого тела и жидкости при совместном действии постоянного и импульсного ускорений // Научная сессия МИФИ-1999. Т.12 Физические науки, стр. 39-43
30.
Инженерно-ориентированный программный комплекс ипк-ваб для совместного анализа надежности и безопасности аэс с реакторами рбмк
Винников Б.и. Инженерно-ориентированный программный комплекс ИПК-ВАБ для совместного анализа надежности и безопасности АЭС с реакторами РБМК // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.5 Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 240-241