Предложена последовательная схема вычисления проводимости и других эффективных характеристик модельного композита с регулярной анизотропной структурой --- двумерной системы с включениями круговой формы, образующими прямоугольную решетку. Для электрического потенциала и эффективного тензора проводимости \hat sigmae найдены точные выражения в виде бесконечных рядов. В случае малой концентрации включений из общих формул получено вириальное разложение для \hat sigmae и выяснены условия его применимости. Для изотропной модели (квадратная решетка) первые члены этого разложения воспроизводят известный результат Рэлея.

Рассматривается влияние случайно расположенных заряженных центров в кристалле на поляризацию люминесценции, связанную с ян-теллеровскими центрами в условиях однородной деформации.

Полученные нами ранее в интервале температур 25-300 K экспериментальные данные по теплопроводности пористого стекла и композита \glqq пористое стекло + NaCl\grqq проанализированы с несколько иных позиций. Показано, что теплопроводность хлористого натрия в хаотически расположенных наноканалах пористого стекла ведет себя так же, как сильно разупорядоченная кристаллическая система, которую можно описать в рамках модели Эйнштейна для теплопроводности твердых тел. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17657) и Польского государственного комитета по научным исследованиям KBN (грант N 3 T08A 054 26).

Случайные поля в кристаллах, создаваемые заряженными примесями и другими дефектами, дают дополнительное расщепление уровней акцепторов, которое, в силу хаотичности направления этих полей, приводит к уменьшению степени поляризации люминесценции в условиях одноосной деформации полупроводника. Вместо обычного описания деполяризации излучения методом эффективной температуры, в работе предлагается модель учета влияния кулоновского поля случайно расположенных заряженных центров на основное состояние акцептора в поле внешней одноосной деформации полупроводника. Сопоставление рассчитанных в данной модели поляризационных характеристик люминесценции при давлении вдоль оси[100] с экспериментальными данными при низких температурах позволяет оценить концентрацию заряженных центров.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены тройные гетероструктуры GaAs/GaAsN/InGaAs на подложках GaAs иисследованы их оптические свойства. Сопоставление спектров фотолюминесценции, измеренных экспериментально, сизвестными значениями параметров зонной диаграммы соединений (In, Ga)As, позволило оценить взаимное расположение краев энергетических зон вгетероструктурах GaAs/GaAsN иInGaAs/GaAsN. Показано, что гетеропереход GaAs/GaAsN является гетеропереходом Iрода, агетеропереход InxGa1-xAs/GaAsN может быть переходом I или IIрода взависимости отx.

Исследованы люминесцентные свойства пар двух близко расположенных трехмерных ZnO-микрорезонаторов цилиндрической формы диаметром1.8 мкм с разными расстояниями между ними, полученных методом электронно-лучевой литографии и реактивного ионного травления. Обнаружены узкие пики свечения в экситонной области спектра оксида цинка, обусловленные одномодовой лазерной генерацией. Проведен теоретический расчет энергии обменного взаимодействия связанных мод двух микрорезонанторов в зависимости от расстояния между ними. Обнаружено уширение линии стимулированной ультрафиолетовой люминесценции на связанных фотонных модах двух микрорезонаторов при их сближении. PACS: 78.45.+h, 78.66.Hf, 42.60.Da

В диапазоне энергий фотонов от1 до2 эВ проведены исследования оптического отражения и электроотражения от слоев AlGaAs с периодически расположенными квантовыми ямами GaAs различной толщины. Установлено, что спектральная зависимость коэффициента отражения содержит три основных вклада: отражение от границы воздух-среда; интерференционное отражение, обусловленное периодической модуляцией коэффициента преломления из-за различий его значений для материалов ям и барьеров; отражение, связанное с взаимодействием электромагнитных волн с экситонными состояниями в квантовых ямах. Исследование спектров отражения показало, что эти вклады имеют различные зависимости от температуры, угла падения и поляризации, однако количественное разделение различных вкладов весьма затруднительно. Для выделения в оптических спектрах вклада, обусловленного взаимодействием света с экситонными состояниями, разработан подход на основе бесконтактного измерения спектров оптического электроотражения. Показано, что применение такой методики позволяет определить параметры экситонных состояний в квантовых ямах. PACS: 78.67.De, 73.21.Fg, 78.40.Fy

Анпилов А.в. Исследование деформирования модели корпуса ГЦН реактора ВВЭР-1000 в зонах расположения поверхностных трещин // Научная сессия МИФИ-1999. Т.13 Прикладная физика, стр. 149-153

Бородина Т.а., Баранова А.в., Иванов Д.в. Клонирование кандидатных генов, расположенных в районе Q14.3 хромосомы 13, утрачиваемых у больных в-клеточным хроническим лимфолейкозом // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.5 Биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Медицинская физика. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 18-19

Григорьянц П.г., Чепин Е.в. Рациональные критерии взаимного расположения объектов в решении задачи ориентации в пространстве // Научная сессия МИФИ-2001. Т.12 Компьютерные системы и технологии. Информационные системы и среды, технологии проектирования, электронный бизнес, стр. 59