Алексеенко М.В., Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Ильин В.А., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф.. Особенности электрических и магнитных свойств 6H-SiC на изоляторной стороне перехода металл - диэлектрик // Письма в ЖЭТФ, том 39, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru

Предложена методика расчета стороннего источника электродинамической задачи, формируемого при поглощении жесткого излучения средой. Использован метод численного моделирования. Показана возможность пространственно-временной локализации вектора плотности тока.

Дан анализ нелинейного экранирования ионизованного донора вырожденным газом электронов проводимости кристаллического полупроводника. При нелинейном экранировании плотность заряда экранирующего ион электронного облака не пропорциональна суммарному электростатическому потенциалу иона и облака. В результате потенциал слабее спадает с расстоянием от иона, чем в линейном приближении, и величина энергии электростатической корреляции иона с экранирующим облаком меньше. Работа поддержана грантом Белорусского государственного университета.

Исследована ударная ионизация локализованных состояний электрона на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода металл--диэлектрик в кристаллахSi(P) иGe(Sb) при концентрациях доноров, значительно превышающих критическую концентрацию перехода, реализуемого за счет изменения концентрации примеси. Получены зависимости энергии активации и поля ударной ионизации от одноосного давления. Переход от металлической проводимости к varepsilon2-проводимости в области больших одноосных давлений обсуждается на основе перестройки энергетического спектра зоны проводимости при определенных направлениях оси деформации в кристаллах кремния игермания.

Исследованы удельное сопротивление rho(P) и коэффициент Холла R(P)

Бесконтактными методами исследованы характеристики рабочей итыльной сторон подложек монокристаллического арсенида галлия, подвергнутого обработке тыльной стороны ионами аргона низких энергий. Обнаружены изменения оптических ифотоэлектрических свойств облучаемых инеоблучаемых сторон. Предложен солитонный механизм проникновения дефектов вглубь кристалла.

Проведен анализ коррозионных процессов оболочки твэла со стороны теплопередающего свинцового подслоя, проходящих при нейтронном облучении (U,Pu)N топлива. Предложены различные методы уменьшения или предотвращения коррозии оболочки твэла.

Единственная могучая мысль статьи: непризнанные республики убегали от слишком интенсивной опеки своих слишком близких республик к Москве, которая далеко и предметно в их внутренние дела лезть не будет. Остальное - вполне заурядно.

Рассматриваются возможные модели взаимоотношений человека и технических систем. Анализируются точки зрения относительно онтологического статуса технической системы и человека в процессе их взаимодействия

Левченко О.В. Уголовно-процессуальные меры безопасности участников уголовного судопроизводства со стороны защиты, содействующих правосудию: автореф. дис. ... канд. юр. наук : 12.00.09. - M, 2008.